45/40納米需求旺 中芯國(guó)際年底加入戰(zhàn)局
[導(dǎo)讀]受惠于智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)運(yùn)算裝置銷售暢旺，帶動(dòng)晶圓代工45/40納米制程需求，臺(tái)積電、聯(lián)電及GlobalFoundries皆擴(kuò)大45/40納米制程產(chǎn)能，中芯國(guó)際也加緊腳步，預(yù)計(jì)于2011年下半加入戰(zhàn)局，讓競(jìng)爭(zhēng)更加激烈。中
受惠于智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)運(yùn)算裝置銷售暢旺，帶動(dòng)晶圓代工45/40納米制程需求，臺(tái)積電、聯(lián)電及GlobalFoundries皆擴(kuò)大45/40納米制程產(chǎn)能，中芯國(guó)際也加緊腳步，預(yù)計(jì)于2011年下半加入戰(zhàn)局，讓競(jìng)爭(zhēng)更加激烈。
中芯先進(jìn)制程技術(shù)布局積極，2011年預(yù)計(jì)將再投入10億美元資本支出建置先進(jìn)制程產(chǎn)能。執(zhí)行長(zhǎng)王寧國(guó)表示，近期65/55納米技術(shù)將會(huì)繼續(xù)放量，且2011年底前45/40納米技術(shù)將會(huì)量產(chǎn)。
中芯首席財(cái)務(wù)官曾宗琳表示，因?yàn)橹行緦で蠹訌?qiáng)其資產(chǎn)結(jié)構(gòu)，該公司將尋求替代資金。不過(guò)曾宗琳也強(qiáng)調(diào)，中芯2010年的資本支出超過(guò)了7億美元，即便不獲得額外的資金，中芯在2011年仍然能夠完成10億美元的資本支出。
中芯積極建構(gòu)40納米生產(chǎn)平臺(tái)，透過(guò)與供應(yīng)鏈伙伴進(jìn)一步拓展合作協(xié)議，另一方面也積極開發(fā)客戶，并協(xié)助既有客戶轉(zhuǎn)換至40納米平臺(tái)，以期能加速40納米在2011年下半順利量產(chǎn)，進(jìn)一步縮短與臺(tái)積電、聯(lián)電的競(jìng)爭(zhēng)差距。
中芯2010年由虧轉(zhuǎn)盈，過(guò)去代管的武漢新芯晶圓廠，也順利在武漢市政府注資下正式入主，未來(lái)將主要生產(chǎn)65、40納米制程，在合資后的3年內(nèi)，達(dá)成月產(chǎn)能4.5萬(wàn)片的目標(biāo)，提升整體產(chǎn)能。
此外，中芯也宣布投資IC設(shè)計(jì)服務(wù)廠燦芯半導(dǎo)體，目前中芯與燦芯也已著手為客戶進(jìn)行40納米芯片的設(shè)計(jì)。
待中芯納米級(jí)制程更加成熟，除大陸本土IC設(shè)計(jì)客戶外，IDM廠也恐?jǐn)U大投片中芯，對(duì)臺(tái)積電與聯(lián)電在大陸的布局造成威脅。
不過(guò)，臺(tái)系晶圓代工廠亦積極提升先進(jìn)制程能力，為擴(kuò)充40納米與28納米產(chǎn)能，聯(lián)電2011年資本支出將達(dá)約18億美元，與2010年相當(dāng)，聯(lián)電預(yù)估，2011年12寸產(chǎn)能將增加25%，65納米制程全年?duì)I收比重將提升至40%左右，40納米制程下半年將提升到10%，顯現(xiàn)聯(lián)電在先進(jìn)制程進(jìn)展快速。
至于在臺(tái)積電方面，臺(tái)積電2010年第4季65納米以下先進(jìn)制程技術(shù)比重達(dá)52%；其中，65納米制程比重為31%，40納米制程比重約21%，合計(jì)65納米以下制程比重已超過(guò)一半。
中芯先進(jìn)制程技術(shù)布局積極，2011年預(yù)計(jì)將再投入10億美元資本支出建置先進(jìn)制程產(chǎn)能。執(zhí)行長(zhǎng)王寧國(guó)表示，近期65/55納米技術(shù)將會(huì)繼續(xù)放量，且2011年底前45/40納米技術(shù)將會(huì)量產(chǎn)。
中芯首席財(cái)務(wù)官曾宗琳表示，因?yàn)橹行緦で蠹訌?qiáng)其資產(chǎn)結(jié)構(gòu)，該公司將尋求替代資金。不過(guò)曾宗琳也強(qiáng)調(diào)，中芯2010年的資本支出超過(guò)了7億美元，即便不獲得額外的資金，中芯在2011年仍然能夠完成10億美元的資本支出。
中芯積極建構(gòu)40納米生產(chǎn)平臺(tái)，透過(guò)與供應(yīng)鏈伙伴進(jìn)一步拓展合作協(xié)議，另一方面也積極開發(fā)客戶，并協(xié)助既有客戶轉(zhuǎn)換至40納米平臺(tái)，以期能加速40納米在2011年下半順利量產(chǎn)，進(jìn)一步縮短與臺(tái)積電、聯(lián)電的競(jìng)爭(zhēng)差距。
中芯2010年由虧轉(zhuǎn)盈，過(guò)去代管的武漢新芯晶圓廠，也順利在武漢市政府注資下正式入主，未來(lái)將主要生產(chǎn)65、40納米制程，在合資后的3年內(nèi)，達(dá)成月產(chǎn)能4.5萬(wàn)片的目標(biāo)，提升整體產(chǎn)能。
此外，中芯也宣布投資IC設(shè)計(jì)服務(wù)廠燦芯半導(dǎo)體，目前中芯與燦芯也已著手為客戶進(jìn)行40納米芯片的設(shè)計(jì)。
待中芯納米級(jí)制程更加成熟，除大陸本土IC設(shè)計(jì)客戶外，IDM廠也恐?jǐn)U大投片中芯，對(duì)臺(tái)積電與聯(lián)電在大陸的布局造成威脅。
不過(guò)，臺(tái)系晶圓代工廠亦積極提升先進(jìn)制程能力，為擴(kuò)充40納米與28納米產(chǎn)能，聯(lián)電2011年資本支出將達(dá)約18億美元，與2010年相當(dāng)，聯(lián)電預(yù)估，2011年12寸產(chǎn)能將增加25%，65納米制程全年?duì)I收比重將提升至40%左右，40納米制程下半年將提升到10%，顯現(xiàn)聯(lián)電在先進(jìn)制程進(jìn)展快速。
至于在臺(tái)積電方面，臺(tái)積電2010年第4季65納米以下先進(jìn)制程技術(shù)比重達(dá)52%；其中，65納米制程比重為31%，40納米制程比重約21%，合計(jì)65納米以下制程比重已超過(guò)一半。
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關(guān)鍵字： 專利侵權(quán) 三星 臺(tái)積電 高通公司 337調(diào)查 USITC6月3日，國(guó)內(nèi)最先進(jìn)晶圓代工廠商中芯國(guó)際，招股書表示，因?yàn)槊绹?guó)商務(wù)部修訂直接產(chǎn)品規(guī)則（Foreign-Produced Direct Product Rule），他們?yōu)槟承┛蛻舸し?wù)可能會(huì)受到限制。
關(guān)鍵字： 中芯國(guó)際 海思半導(dǎo)體 EDA設(shè)計(jì)
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