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[導(dǎo)讀]臺積電宣布,2010年資本支出總額上調(diào)至59億美元,比此前規(guī)劃的48億美元大幅增加了21%,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)的闊綽程度僅次于三星電子。臺積電CEO兼董事長張仲謀在投資者會議上稱,臺積電計劃將投資總額中的58億美元用于自

臺積電宣布,2010年資本支出總額上調(diào)至59億美元,比此前規(guī)劃的48億美元大幅增加了21%,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)的闊綽程度僅次于三星電子。

臺積電CEO兼董事長張仲謀在投資者會議上稱,臺積電計劃將投資總額中的58億美元用于自己最核心的晶圓廠代工業(yè)務(wù),其中79%用于65/40/28nm工藝的拓展、13%用于主流工藝、8%用于設(shè)備和研發(fā)支出,剩余1億美元則用于太陽能、LED等新興業(yè)務(wù)。

臺積電的第三座12英寸(300毫米)晶圓廠Fab15已于近期正式破土動工,F(xiàn)ab12第五階段和Fab14第四階段的擴建也即將完成。這些12寸廠將成為臺積電的主心骨。

張仲謀還說,臺積電預(yù)計半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和代工業(yè)今年會分別增長30%、40%,高于此前估計的22%、36%。

根據(jù)最新財報,臺積電今年第二季度(截至2010.6.30)總收入1049.6億新臺幣(222.5億元人民幣),凈利潤402.8億新臺幣(85.4億元人民幣),攤薄每股收益1.55新臺幣(0.33元人民幣),分別同比增長41.4%、64.8%,環(huán)比增長13.9%、19.7%,同時毛利率49.5%、運營利率38.6%、凈利率38.4%。

臺積電預(yù)計第三季度收入1090-1110億新臺幣,比此前預(yù)計的提高了4-6%,毛利率48-50%,運營利潤36-38%。

臺積電的各種制造工藝中,150nm或更老工藝的比例仍有28%,相比上個季度只減少了一個百分點,130/110nm、90/80nm、65/55nm則都保持不不變,仍為13%、16%、27%,而最新的40nm工藝增速減緩,只提高了一個百分點達到16%,不過新工藝的收入?yún)s環(huán)比增加了30%,高于整體水平。

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  Q1 2009 Q2 2009 Q3 2009 Q4 2009 Q1 2010 Q2 2010
150nm+ 35% 35% 33% 30% 29%28%
130/110nm 16.66% 13% 14% 15% 13% 13%
90/80nm 25% 23% 18% 16% 17% 16%
65/55nm 23% 28%31% 30% 27% 27%
40nm 0.33% 1% 4% 9% 14% 16%
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