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[導讀]盡管一直到2015下半年,臺積電(TSMC)都仍可能無法為ARM處理器提供可量產(chǎn)的FinFET技術,不過,ARMCEOWarrenEast表示,他并不擔心于英特爾(Intel)在制程技術方面領先于其他所有代工廠。在FinFET技術中,電晶體是垂直在

盡管一直到2015下半年,臺積電(TSMC)都仍可能無法為ARM處理器提供可量產(chǎn)的FinFET技術,不過,ARMCEOWarrenEast表示,他并不擔心于英特爾(Intel)在制程技術方面領先于其他所有代工廠。

在FinFET技術中,電晶體是垂直在晶圓表面上,這種方法被認為能改善電晶體性能,并減少關閉狀態(tài)下的漏電流。英特爾已經(jīng)采用22nmFinFETCMOS制程進行量產(chǎn),在此同時,臺積電則正試圖為客戶提高其平面28-nmCMOS產(chǎn)能。

然而,Ease對《EETimes》表示,ARM和臺積電將在SoC技術競爭方面領先英特爾。“我們非常關注SoC的整合。就SoC而言,英特爾正在使用32nmhigh-k金屬閘極平面CMOS進行生產(chǎn)。而臺積電則使用28nmhigh-k金屬閘極。這在我看來并不是什么重大的技術領先,不過,你確實可以說臺積電在這方面是領先的。”

East表示,英特爾的22nmFinFET主要用來量產(chǎn)電腦晶片,但要將該技術用在包含大量周邊電路的SoC上并不是件容易的事。

英特爾目前擁有智慧手機和平板電腦專用的Atom-based32nmMedfield處理器。英特爾也預計2013年開始用22nmFinFETCMOS制程生產(chǎn)采用Silvermont架構的Atom低功耗處理器。而Merrifield則很可能是首個采用22nmFinFET技術的高階智慧手機專用處理器。

而針對臺積電的16nmFinFET,以及聯(lián)電(UMC)的20nmFinFET制程,East表示,“目前還很難說何時針對ARM的FinFET技術能夠就緒。”

ARM處理器核心也支援由意法半導體(ST)開發(fā)的28nm全耗盡型SOI(FDSOI),目前正在轉移到GlobalFoundries,預計之后將再微縮到20nm制程。
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