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面向高端市場(chǎng)：三星量產(chǎn)30nm制程內(nèi)存

時(shí)間：2011-06-02 10:46:44
關(guān)鍵字： 三星    內(nèi)存    GB    DDR3   
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[導(dǎo)讀]韓國(guó)三星公司近日宣布將開始量產(chǎn)基于30nm制程4Gb密度DDR3內(nèi)存芯片的32GB內(nèi)存條，這款內(nèi)存條產(chǎn)品將主要面向云計(jì)算以及高檔服務(wù)器應(yīng)用。相比之前的40nm制程4GbDDR3產(chǎn)品,三星30nm制程4GbDDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)出量可提升大約

韓國(guó)三星公司近日宣布將開始量產(chǎn)基于30nm制程4Gb密度DDR3內(nèi)存芯片的32GB內(nèi)存條，這款內(nèi)存條產(chǎn)品將主要面向云計(jì)算以及高檔服務(wù)器應(yīng)用。相比之前的40nm制程4GbDDR3產(chǎn)品,三星30nm制程4GbDDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)出量可提升大約50%。

在一年前啟動(dòng)40nm級(jí)別制程4GbDDR3內(nèi)存芯片的量產(chǎn)后，三星于今年2月份已經(jīng)開始量產(chǎn)30nm制程4Gb密度DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，兩個(gè)月之后的四月份，三星又推出了總?cè)萘?6GB的DDR3內(nèi)存條產(chǎn)品，這種產(chǎn)品主要面向面向服務(wù)器制造商。

另外，不久前三星還剛剛推出了基于30nm制程4Gb密度的LPDDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品（面向移動(dòng)設(shè)備）。而本月三星又推出了基于30nm制程4Gb密度DDR3內(nèi)存芯片的這款32GB總?cè)萘康膸Ъ拇嫫麟p線（RDIMM）內(nèi)存條,以及8GB容量的筆記本用SODIMM內(nèi)存條。其基于30nm制程內(nèi)存芯片的產(chǎn)品線基本已經(jīng)完備。

三星這次推出的新款32GB容量RDIMMDDR3內(nèi)存條額定工作電壓1.35V，峰值數(shù)據(jù)傳輸率1866Mbits，性能比40nm制程32GBRDIMM內(nèi)存條的1333Mbits（工作電壓1.5V）提升了50%。另外，8GBSO-DIMMDDR3內(nèi)存條的工作電壓則為1.5V，峰值數(shù)據(jù)傳輸率為2133Mbits。

據(jù)三星預(yù)計(jì)，2012年三星將有10%的內(nèi)存芯片產(chǎn)品是基于4Gb及更高容量密度的芯片。

據(jù)IHS市調(diào)公司的統(tǒng)計(jì)，4Gb內(nèi)存芯片的銷量到2012年的市場(chǎng)占有率將達(dá)到10%左右，1314年這個(gè)數(shù)字則將先后提升至35%和57%。

來源：中關(guān)村在線

作者：zhaobin

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