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[導讀]據韓國電子新聞報導,三星電子(SamsungElectronics)1990年代受到專利訴訟、國際貨幣基金組織(IMF)危機等,1999年決定拋售工廠并撤守電力芯片事業(yè),歷經12年,三星又再度著手進行該事業(yè)。從數年前開始,以三星電子綜合

據韓國電子新聞報導,三星電子(SamsungElectronics)1990年代受到專利訴訟、國際貨幣基金組織(IMF)危機等,1999年決定拋售工廠并撤守電力芯片事業(yè),歷經12年,三星又再度著手進行該事業(yè)。

從數年前開始,以三星電子綜合技術院為中心,已展開電力芯片相關研究,三星更將在2011年內架構專門研究中心,著手開發(fā)具體商用化技術。三星每年呈現爆發(fā)性成長,重新進入電力芯片市場,除多元化以存儲器為主的半導體事業(yè)外,另一方面則是計劃培育并發(fā)展集團新子事業(yè)。

據三星表示,三星綜合技術院將于2011年內設立電力裝置中心(PowerDeviceCenter),已進行電力芯片相關新技術研究及開發(fā)商用化技術。近來三星綜合技術院內部已成立特別小組籌建研究中心,而該特別小組也將會探討未來在技術開發(fā)方向、市場性、確保人力方案,以及與三星集團企業(yè)進行連結等相關方案。

三星相關人員表示,電力裝置中心將集中研究絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),并行研究氮化鎵(GaN)及碳化硅(SiC)等新素材。氮化鎵和碳化硅等為海外電力芯片業(yè)者爭相確保技術且競爭激烈的領域,若三星能率先開發(fā)出相關技術,將能迅速在該領域確保其競爭力。

氮化鎵可取代矽,大幅縮減耗電量,原料價格近來已下跌,商用化的可能性變高。三星綜合技術院也投入電力芯片業(yè)界龍頭英飛凌(Infineon)的研究企畫,并與三星康寧精密材料(SamsungCorningPrecisionMaterials)共同開發(fā)氮化鎵原創(chuàng)技術。此外,更以開發(fā)采用氮化鎵的電力裝置為研究目的,向美國半導體設備業(yè)者Veeco購買有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)機臺。

三星除氮化鎵外,也正在開發(fā)使用碳化硅且可取代矽基板的技術,期望能應用在高電壓、大容量次世代電力芯片開發(fā)上。

三星1999年將電力芯片事業(yè)拋售給美商快捷半導體公司(FairchildSemiconductor),12年后又計劃再度展開電力芯片事業(yè),是期望繼存儲器、系統(tǒng)芯片外,在培育新的集團子事業(yè)。尤其太陽能、風力、智能電網(SmartGrid)、電動車等新的綠能產業(yè)迅速成長,電力芯片的需求估計也將會有成長,而外電指出,未來電力芯片產能將會有相當大的比重運用在三星集團的能源、汽車、家電領域。

根據日本矢野經濟研究所(YRI)統(tǒng)計,全球電力芯片市場再2010年約為141億美元、2011年將達到152億美元規(guī)模等,至2015年前將可望維持年平均11.5%高成長率。即使電力芯片市場快速成長,由于確保新技術較困難,因此市場競爭相對于存儲器業(yè)界較不激烈。

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