[導讀]2月25日英特爾總裁暨執(zhí)行長歐德寧（PaulOtellini）上周出席科技論壇時指出，他認為晶圓代工事業(yè)在未來幾年會出現(xiàn)極大的麻煩，最大的問題就是會出現(xiàn)十分嚴重的產(chǎn)能過剩問題，其中全球晶圓等積極擴充產(chǎn)能，將會導致先進
2月25日英特爾總裁暨執(zhí)行長歐德寧（PaulOtellini）上周出席科技論壇時指出，他認為晶圓代工事業(yè)在未來幾年會出現(xiàn)極大的麻煩，最大的問題就是會出現(xiàn)十分嚴重的產(chǎn)能過剩問題，其中全球晶圓等積極擴充產(chǎn)能，將會導致先進制程市場出現(xiàn)產(chǎn)能過剩問題，連帶導致平均接單價格的下跌。
全球晶圓代工龍頭臺積電董事長張忠謀周三表示，對于英特爾認為晶圓代工業(yè)存在產(chǎn)能過剩風險的說法，表示"不認為如此"。張忠謀在公司活動場邊向記者表示，"有產(chǎn)能但沒有技術、沒有客戶的公司，他的產(chǎn)能會閑置，就不會對有技術、有客戶的公司造成影響。
由臺灣晶圓雙雄臺積電與聯(lián)電所領導的晶圓代工業(yè)，近年面臨美國芯片制造商GlobalFoundries及韓國三星等新競爭者的加入，令部份市場人士憂心產(chǎn)能過剩。
不過，臺積電則是欲藉由加速提升制程來擴大與競爭者的距離。擁有德州儀器(TexasInstruments)和英偉達(Nvidia)以及芯片設計業(yè)者訂單的臺積電，在擴充產(chǎn)能的腳步上也沒有停止。計劃今年支出78億美元，高于去年的59。4億美元。張忠謀表示，臺積電將在新竹設立14納米的研發(fā)中心。
根據(jù)外電報導，英特爾總裁暨執(zhí)行長歐德寧上周出席一場科技論壇時，對在場分析師提出對晶圓代工市場看法，由于近兩年來晶圓代工廠積極擴充產(chǎn)能，因此他認為，包括臺積電、全球晶圓等晶圓代工大廠，將會在未來幾年面臨產(chǎn)能過剩問題。
歐德寧表示，晶圓代工廠并不是靠先進制程賺錢，而是利用成熟制程，為客戶代工較長生命周期芯片產(chǎn)品，所以當全球晶圓等開始過度積極擴充先進制程產(chǎn)能時，將會導致先進制程產(chǎn)能過剩，進而壓低所有制程的價格。
不過，并非所有分析師都認同歐德寧看法，市調(diào)機構FutureHorizons創(chuàng)辦人MalcolmPenn就表示，由于過去幾年晶圓代工廠缺乏足夠投資，加上IDM廠開始停止自建先進制程晶圓廠，改為擴大委外代工，所以未來幾年晶圓制造市場將出現(xiàn)產(chǎn)能吃緊現(xiàn)象，對晶圓代工廠是件好事。
另外一派外析師則認為，晶圓代工市場是否出現(xiàn)產(chǎn)能過剩，關鍵原因還包括了現(xiàn)有IDM廠的態(tài)度，因為包括英特爾及三星等IDM大廠，已經(jīng)開始對晶圓代工市場感到興趣，并開始試著向臺積電、全球晶圓等晶圓代工廠的既有客戶，爭取先進制程的晶圓代工訂單。
業(yè)內(nèi)人士認為，歐德寧擔心的事情，應該是一旦晶圓代工市場出現(xiàn)殺價競爭，反而會給其競爭對手如超威、英偉達、高通等占盡便宜，因為這些對手都依賴臺積電、全球晶圓提供先進制程技術及產(chǎn)能。
同樣，芯片業(yè)另一巨頭三星也沒有停止前進的腳步。最新的消息顯示，三星芯片代工業(yè)務部門副總裁AnaHunter近日表示，三星將會從今年下半年開始為部分客戶試產(chǎn)采用20nm制造工藝的芯片產(chǎn)品，這種20nm制造工藝的芯片產(chǎn)品是在28nm制造工藝的基礎上進行優(yōu)化而來的全代技術，通過這樣的技術能夠使得芯片的面積縮小50%左右，而且這樣的設計也是符合業(yè)內(nèi)全代制造工藝的微縮范圍。
據(jù)悉，這種全新的20nm制造工藝采用的是平面型體硅制程并采用基于gatelast工藝的HKMG技術，同時還將使用193nm液浸式光刻系統(tǒng)來制造。但是需要注意的是由于雙重成像技術成本高且耗時較長三星并沒有在20nm制造工藝的產(chǎn)品上過多地采用雙重成像技術，而這樣晶體管單元的柵極距還沒有達到193nm液浸式光刻的極限尺寸。
預計20nm芯片產(chǎn)品的性能相比28LP低功耗芯片產(chǎn)品會提升30%左右，而在總體的耗電量方面則基本相同。AnaHunter目前還沒有透露這種20nm制造工藝是否要用于HP高性能和LP低功耗等各種不同規(guī)格的芯片產(chǎn)品，只是表示20nm制造工藝技術將會用于各種芯片產(chǎn)品上，其中包括了智能手機和平板電腦等流行產(chǎn)品的芯片上。
業(yè)內(nèi)人士表示，三星此次高調(diào)宣布20nm制造工藝技術將會很快應用主要是希望業(yè)內(nèi)能夠重視三星的技術然后為三星帶來更多的訂單，目前三星已經(jīng)是全球僅次于英特爾的第二大半導體芯片公司，三星在芯片代工方面有相當大的優(yōu)勢，包括蘋果等廠商都是三星芯片代工業(yè)務的客戶。
全球晶圓代工龍頭臺積電董事長張忠謀周三表示，對于英特爾認為晶圓代工業(yè)存在產(chǎn)能過剩風險的說法，表示"不認為如此"。張忠謀在公司活動場邊向記者表示，"有產(chǎn)能但沒有技術、沒有客戶的公司，他的產(chǎn)能會閑置，就不會對有技術、有客戶的公司造成影響。
由臺灣晶圓雙雄臺積電與聯(lián)電所領導的晶圓代工業(yè)，近年面臨美國芯片制造商GlobalFoundries及韓國三星等新競爭者的加入，令部份市場人士憂心產(chǎn)能過剩。
不過，臺積電則是欲藉由加速提升制程來擴大與競爭者的距離。擁有德州儀器(TexasInstruments)和英偉達(Nvidia)以及芯片設計業(yè)者訂單的臺積電，在擴充產(chǎn)能的腳步上也沒有停止。計劃今年支出78億美元，高于去年的59。4億美元。張忠謀表示，臺積電將在新竹設立14納米的研發(fā)中心。
根據(jù)外電報導，英特爾總裁暨執(zhí)行長歐德寧上周出席一場科技論壇時，對在場分析師提出對晶圓代工市場看法，由于近兩年來晶圓代工廠積極擴充產(chǎn)能，因此他認為，包括臺積電、全球晶圓等晶圓代工大廠，將會在未來幾年面臨產(chǎn)能過剩問題。
歐德寧表示，晶圓代工廠并不是靠先進制程賺錢，而是利用成熟制程，為客戶代工較長生命周期芯片產(chǎn)品，所以當全球晶圓等開始過度積極擴充先進制程產(chǎn)能時，將會導致先進制程產(chǎn)能過剩，進而壓低所有制程的價格。
不過，并非所有分析師都認同歐德寧看法，市調(diào)機構FutureHorizons創(chuàng)辦人MalcolmPenn就表示，由于過去幾年晶圓代工廠缺乏足夠投資，加上IDM廠開始停止自建先進制程晶圓廠，改為擴大委外代工，所以未來幾年晶圓制造市場將出現(xiàn)產(chǎn)能吃緊現(xiàn)象，對晶圓代工廠是件好事。
另外一派外析師則認為，晶圓代工市場是否出現(xiàn)產(chǎn)能過剩，關鍵原因還包括了現(xiàn)有IDM廠的態(tài)度，因為包括英特爾及三星等IDM大廠，已經(jīng)開始對晶圓代工市場感到興趣，并開始試著向臺積電、全球晶圓等晶圓代工廠的既有客戶，爭取先進制程的晶圓代工訂單。
業(yè)內(nèi)人士認為，歐德寧擔心的事情，應該是一旦晶圓代工市場出現(xiàn)殺價競爭，反而會給其競爭對手如超威、英偉達、高通等占盡便宜，因為這些對手都依賴臺積電、全球晶圓提供先進制程技術及產(chǎn)能。
同樣，芯片業(yè)另一巨頭三星也沒有停止前進的腳步。最新的消息顯示，三星芯片代工業(yè)務部門副總裁AnaHunter近日表示，三星將會從今年下半年開始為部分客戶試產(chǎn)采用20nm制造工藝的芯片產(chǎn)品，這種20nm制造工藝的芯片產(chǎn)品是在28nm制造工藝的基礎上進行優(yōu)化而來的全代技術，通過這樣的技術能夠使得芯片的面積縮小50%左右，而且這樣的設計也是符合業(yè)內(nèi)全代制造工藝的微縮范圍。
據(jù)悉，這種全新的20nm制造工藝采用的是平面型體硅制程并采用基于gatelast工藝的HKMG技術，同時還將使用193nm液浸式光刻系統(tǒng)來制造。但是需要注意的是由于雙重成像技術成本高且耗時較長三星并沒有在20nm制造工藝的產(chǎn)品上過多地采用雙重成像技術，而這樣晶體管單元的柵極距還沒有達到193nm液浸式光刻的極限尺寸。
預計20nm芯片產(chǎn)品的性能相比28LP低功耗芯片產(chǎn)品會提升30%左右，而在總體的耗電量方面則基本相同。AnaHunter目前還沒有透露這種20nm制造工藝是否要用于HP高性能和LP低功耗等各種不同規(guī)格的芯片產(chǎn)品，只是表示20nm制造工藝技術將會用于各種芯片產(chǎn)品上，其中包括了智能手機和平板電腦等流行產(chǎn)品的芯片上。
業(yè)內(nèi)人士表示，三星此次高調(diào)宣布20nm制造工藝技術將會很快應用主要是希望業(yè)內(nèi)能夠重視三星的技術然后為三星帶來更多的訂單，目前三星已經(jīng)是全球僅次于英特爾的第二大半導體芯片公司，三星在芯片代工方面有相當大的優(yōu)勢，包括蘋果等廠商都是三星芯片代工業(yè)務的客戶。
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