DRAM的五大趨勢(shì)
[導(dǎo)讀]2011年全球DRAM會(huì)發(fā)生什么？下面是由BarclaysCapital的CJMuse在匯總了各種資料之后給出的DRAM五大趨勢(shì);1.DownonDRAM下行2011可能是NAND年，而不是DRAM。當(dāng)平板電腦開(kāi)始蠶食它的同伴，筆記本與上網(wǎng)本時(shí)未來(lái)市場(chǎng)會(huì)發(fā)生
2011年全球DRAM會(huì)發(fā)生什么？下面是由BarclaysCapital的CJMuse在匯總了各種資料之后給出的DRAM五大趨勢(shì);
1.DownonDRAM下行
2011可能是NAND年，而不是DRAM。當(dāng)平板電腦開(kāi)始蠶食它的同伴，筆記本與上網(wǎng)本時(shí)未來(lái)市場(chǎng)會(huì)發(fā)生什么？在此情況下，過(guò)去每臺(tái)筆記本電腦使用2Gb的存儲(chǔ)器，將被僅使用256Mb，它的1/8的容量的平板電腦所替代，因此DRAM在2011年可能要過(guò)載啦。
2.Goingto3x-nmnode采用3xnm工藝
總體上全球DRAM制造商都將邁入3xnm工藝，三星與海力士走在前列，然而爾必達(dá)也試圖由65nm或者65xS(65nm縮小版)跨入3xnm，為了降低成本。
3.Koreanduopoly韓國(guó)兩家壟斷
從DRAM市場(chǎng)看，與NAND不同，有多家競(jìng)爭(zhēng)者共存，但是將呈現(xiàn)韓國(guó)兩家壟斷的局面。目前應(yīng)該說(shuō)僅是三星與海力士能稱(chēng)得上是第一陣容，因?yàn)樗鼈兊募夹g(shù)先進(jìn)，而Micron，Nanya，Inotera(明顯的技術(shù)滯后，財(cái)務(wù)不佳)只能稱(chēng)之為第二陣容。而Elpida，Powerchip，Rexchip，盡管也是落后，但明顯有翻本的決心。
三星采用30nm技術(shù)制造DRAM，必須要購(gòu)買(mǎi)的NXT光刻機(jī)(浸入式)，這也是三星站在首位要付出的代價(jià)。今年三星非常成功在Q3已將DRAM的市場(chǎng)份額擴(kuò)大至40％，讓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手望塵莫及。全球DRAM的位增長(zhǎng)率可達(dá)45-50％，而三星可能增長(zhǎng)過(guò)70％。
海力士?jī)H在三星之后，站在第一陣容中。它的問(wèn)題是由于它的結(jié)構(gòu)導(dǎo)致債務(wù)高懸，期望2011年能園滿解決。海力士在韓國(guó)的M10及無(wú)錫產(chǎn)出的DRAM會(huì)采用4x及3xnm工藝，明年它將由8F2邁入6F2架構(gòu)。
4.ToughtimesforMicroncampMicron陣營(yíng)艱難
目前Micron還是可以算作在DRAM第一陣容中，實(shí)際上它從2009年開(kāi)始表現(xiàn)好己經(jīng)有一陣子。但是它要從成熟的Trench技術(shù)過(guò)渡到stackDRAM，電容器的尺寸要改變。在2010年初它的啟步是成功的，也拿到訂單，但是由于成品率不理想，導(dǎo)致位產(chǎn)能增長(zhǎng)只能在低水平。
由trench向stack工藝過(guò)渡，對(duì)于Micron及它的臺(tái)灣合作伙伴不太容易平滑過(guò)渡，目前Nanya，Inotera正為50nm的成品率提升而努力，因此向40nm及30nm過(guò)渡是吃力的。但是也有好的消息，可能明年能夠解決工藝問(wèn)題，克服學(xué)習(xí)曲線這一關(guān)。由于Micron及它的合作伙伴Nanya，Inotera能在FormosaPlastics的財(cái)力支持下，所以明年它們有可能過(guò)渡到4xnm或者3xnm。同樣Micron將把它在2011年的投資總計(jì)19億美元中的2/3，用在NAND中。
5.Elpida'sgamble爾必達(dá)冒險(xiǎn)
爾必達(dá)將盡一切可能返回到第一陣容中。首先臺(tái)灣的資金/政府的拯救計(jì)劃并未到位，但是Micron與Rexchip/Powerchip/ProMOS的合作繼續(xù)存在?，F(xiàn)在爾必達(dá)是希望在日本與臺(tái)灣兩地都增加投資。除此之外，在技術(shù)層面，爾必達(dá)正采用65nmXS，一種65nm的縮小版技術(shù)在DRAM中獲得利潤(rùn)，顯然只要價(jià)格下降不要過(guò)快。除此之外，爾必達(dá)也期望盡快跨入4xnm及3xnm中。
1.DownonDRAM下行
2011可能是NAND年，而不是DRAM。當(dāng)平板電腦開(kāi)始蠶食它的同伴，筆記本與上網(wǎng)本時(shí)未來(lái)市場(chǎng)會(huì)發(fā)生什么？在此情況下，過(guò)去每臺(tái)筆記本電腦使用2Gb的存儲(chǔ)器，將被僅使用256Mb，它的1/8的容量的平板電腦所替代，因此DRAM在2011年可能要過(guò)載啦。
2.Goingto3x-nmnode采用3xnm工藝
總體上全球DRAM制造商都將邁入3xnm工藝，三星與海力士走在前列，然而爾必達(dá)也試圖由65nm或者65xS(65nm縮小版)跨入3xnm，為了降低成本。
3.Koreanduopoly韓國(guó)兩家壟斷
從DRAM市場(chǎng)看，與NAND不同，有多家競(jìng)爭(zhēng)者共存，但是將呈現(xiàn)韓國(guó)兩家壟斷的局面。目前應(yīng)該說(shuō)僅是三星與海力士能稱(chēng)得上是第一陣容，因?yàn)樗鼈兊募夹g(shù)先進(jìn)，而Micron，Nanya，Inotera(明顯的技術(shù)滯后，財(cái)務(wù)不佳)只能稱(chēng)之為第二陣容。而Elpida，Powerchip，Rexchip，盡管也是落后，但明顯有翻本的決心。
三星采用30nm技術(shù)制造DRAM，必須要購(gòu)買(mǎi)的NXT光刻機(jī)(浸入式)，這也是三星站在首位要付出的代價(jià)。今年三星非常成功在Q3已將DRAM的市場(chǎng)份額擴(kuò)大至40％，讓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手望塵莫及。全球DRAM的位增長(zhǎng)率可達(dá)45-50％，而三星可能增長(zhǎng)過(guò)70％。
海力士?jī)H在三星之后，站在第一陣容中。它的問(wèn)題是由于它的結(jié)構(gòu)導(dǎo)致債務(wù)高懸，期望2011年能園滿解決。海力士在韓國(guó)的M10及無(wú)錫產(chǎn)出的DRAM會(huì)采用4x及3xnm工藝，明年它將由8F2邁入6F2架構(gòu)。
4.ToughtimesforMicroncampMicron陣營(yíng)艱難
目前Micron還是可以算作在DRAM第一陣容中，實(shí)際上它從2009年開(kāi)始表現(xiàn)好己經(jīng)有一陣子。但是它要從成熟的Trench技術(shù)過(guò)渡到stackDRAM，電容器的尺寸要改變。在2010年初它的啟步是成功的，也拿到訂單，但是由于成品率不理想，導(dǎo)致位產(chǎn)能增長(zhǎng)只能在低水平。
由trench向stack工藝過(guò)渡，對(duì)于Micron及它的臺(tái)灣合作伙伴不太容易平滑過(guò)渡，目前Nanya，Inotera正為50nm的成品率提升而努力，因此向40nm及30nm過(guò)渡是吃力的。但是也有好的消息，可能明年能夠解決工藝問(wèn)題，克服學(xué)習(xí)曲線這一關(guān)。由于Micron及它的合作伙伴Nanya，Inotera能在FormosaPlastics的財(cái)力支持下，所以明年它們有可能過(guò)渡到4xnm或者3xnm。同樣Micron將把它在2011年的投資總計(jì)19億美元中的2/3，用在NAND中。
5.Elpida'sgamble爾必達(dá)冒險(xiǎn)
爾必達(dá)將盡一切可能返回到第一陣容中。首先臺(tái)灣的資金/政府的拯救計(jì)劃并未到位，但是Micron與Rexchip/Powerchip/ProMOS的合作繼續(xù)存在?，F(xiàn)在爾必達(dá)是希望在日本與臺(tái)灣兩地都增加投資。除此之外，在技術(shù)層面，爾必達(dá)正采用65nmXS，一種65nm的縮小版技術(shù)在DRAM中獲得利潤(rùn)，顯然只要價(jià)格下降不要過(guò)快。除此之外，爾必達(dá)也期望盡快跨入4xnm及3xnm中。
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