DRAM的五大趨勢
[導(dǎo)讀]2011年全球DRAM會(huì)發(fā)生什么？下面是由BarclaysCapital的CJMuse在匯總了各種資料之后給出的DRAM五大趨勢;1.DownonDRAM下行2011可能是NAND年，而不是DRAM。當(dāng)平板電腦開始蠶食它的同伴，筆記本與上網(wǎng)本時(shí)未來市場會(huì)發(fā)生
2011年全球DRAM會(huì)發(fā)生什么？下面是由BarclaysCapital的CJMuse在匯總了各種資料之后給出的DRAM五大趨勢;
1.DownonDRAM下行
2011可能是NAND年，而不是DRAM。當(dāng)平板電腦開始蠶食它的同伴，筆記本與上網(wǎng)本時(shí)未來市場會(huì)發(fā)生什么？在此情況下，過去每臺(tái)筆記本電腦使用2Gb的存儲(chǔ)器，將被僅使用256Mb，它的1/8的容量的平板電腦所替代，因此DRAM在2011年可能要過載啦。
2.Goingto3x-nmnode采用3xnm工藝
總體上全球DRAM制造商都將邁入3xnm工藝，三星與海力士走在前列，然而爾必達(dá)也試圖由65nm或者65xS(65nm縮小版)跨入3xnm，為了降低成本。
3.Koreanduopoly韓國兩家壟斷
從DRAM市場看，與NAND不同，有多家競爭者共存，但是將呈現(xiàn)韓國兩家壟斷的局面。目前應(yīng)該說僅是三星與海力士能稱得上是第一陣容，因?yàn)樗鼈兊募夹g(shù)先進(jìn)，而Micron，Nanya，Inotera(明顯的技術(shù)滯后，財(cái)務(wù)不佳)只能稱之為第二陣容。而Elpida，Powerchip，Rexchip，盡管也是落后，但明顯有翻本的決心。
三星采用30nm技術(shù)制造DRAM，必須要購買的NXT光刻機(jī)(浸入式)，這也是三星站在首位要付出的代價(jià)。今年三星非常成功在Q3已將DRAM的市場份額擴(kuò)大至40％，讓競爭對(duì)手望塵莫及。全球DRAM的位增長率可達(dá)45-50％，而三星可能增長過70％。
海力士僅在三星之后，站在第一陣容中。它的問題是由于它的結(jié)構(gòu)導(dǎo)致債務(wù)高懸，期望2011年能園滿解決。海力士在韓國的M10及無錫產(chǎn)出的DRAM會(huì)采用4x及3xnm工藝，明年它將由8F2邁入6F2架構(gòu)。
4.ToughtimesforMicroncampMicron陣營艱難
目前Micron還是可以算作在DRAM第一陣容中，實(shí)際上它從2009年開始表現(xiàn)好己經(jīng)有一陣子。但是它要從成熟的Trench技術(shù)過渡到stackDRAM，電容器的尺寸要改變。在2010年初它的啟步是成功的，也拿到訂單，但是由于成品率不理想，導(dǎo)致位產(chǎn)能增長只能在低水平。
由trench向stack工藝過渡，對(duì)于Micron及它的臺(tái)灣合作伙伴不太容易平滑過渡，目前Nanya，Inotera正為50nm的成品率提升而努力，因此向40nm及30nm過渡是吃力的。但是也有好的消息，可能明年能夠解決工藝問題，克服學(xué)習(xí)曲線這一關(guān)。由于Micron及它的合作伙伴Nanya，Inotera能在FormosaPlastics的財(cái)力支持下，所以明年它們有可能過渡到4xnm或者3xnm。同樣Micron將把它在2011年的投資總計(jì)19億美元中的2/3，用在NAND中。
5.Elpida'sgamble爾必達(dá)冒險(xiǎn)
爾必達(dá)將盡一切可能返回到第一陣容中。首先臺(tái)灣的資金/政府的拯救計(jì)劃并未到位，但是Micron與Rexchip/Powerchip/ProMOS的合作繼續(xù)存在?，F(xiàn)在爾必達(dá)是希望在日本與臺(tái)灣兩地都增加投資。除此之外，在技術(shù)層面，爾必達(dá)正采用65nmXS，一種65nm的縮小版技術(shù)在DRAM中獲得利潤，顯然只要價(jià)格下降不要過快。除此之外，爾必達(dá)也期望盡快跨入4xnm及3xnm中。
1.DownonDRAM下行
2011可能是NAND年，而不是DRAM。當(dāng)平板電腦開始蠶食它的同伴，筆記本與上網(wǎng)本時(shí)未來市場會(huì)發(fā)生什么？在此情況下，過去每臺(tái)筆記本電腦使用2Gb的存儲(chǔ)器，將被僅使用256Mb，它的1/8的容量的平板電腦所替代，因此DRAM在2011年可能要過載啦。
2.Goingto3x-nmnode采用3xnm工藝
總體上全球DRAM制造商都將邁入3xnm工藝，三星與海力士走在前列，然而爾必達(dá)也試圖由65nm或者65xS(65nm縮小版)跨入3xnm，為了降低成本。
3.Koreanduopoly韓國兩家壟斷
從DRAM市場看，與NAND不同，有多家競爭者共存，但是將呈現(xiàn)韓國兩家壟斷的局面。目前應(yīng)該說僅是三星與海力士能稱得上是第一陣容，因?yàn)樗鼈兊募夹g(shù)先進(jìn)，而Micron，Nanya，Inotera(明顯的技術(shù)滯后，財(cái)務(wù)不佳)只能稱之為第二陣容。而Elpida，Powerchip，Rexchip，盡管也是落后，但明顯有翻本的決心。
三星采用30nm技術(shù)制造DRAM，必須要購買的NXT光刻機(jī)(浸入式)，這也是三星站在首位要付出的代價(jià)。今年三星非常成功在Q3已將DRAM的市場份額擴(kuò)大至40％，讓競爭對(duì)手望塵莫及。全球DRAM的位增長率可達(dá)45-50％，而三星可能增長過70％。
海力士僅在三星之后，站在第一陣容中。它的問題是由于它的結(jié)構(gòu)導(dǎo)致債務(wù)高懸，期望2011年能園滿解決。海力士在韓國的M10及無錫產(chǎn)出的DRAM會(huì)采用4x及3xnm工藝，明年它將由8F2邁入6F2架構(gòu)。
4.ToughtimesforMicroncampMicron陣營艱難
目前Micron還是可以算作在DRAM第一陣容中，實(shí)際上它從2009年開始表現(xiàn)好己經(jīng)有一陣子。但是它要從成熟的Trench技術(shù)過渡到stackDRAM，電容器的尺寸要改變。在2010年初它的啟步是成功的，也拿到訂單，但是由于成品率不理想，導(dǎo)致位產(chǎn)能增長只能在低水平。
由trench向stack工藝過渡，對(duì)于Micron及它的臺(tái)灣合作伙伴不太容易平滑過渡，目前Nanya，Inotera正為50nm的成品率提升而努力，因此向40nm及30nm過渡是吃力的。但是也有好的消息，可能明年能夠解決工藝問題，克服學(xué)習(xí)曲線這一關(guān)。由于Micron及它的合作伙伴Nanya，Inotera能在FormosaPlastics的財(cái)力支持下，所以明年它們有可能過渡到4xnm或者3xnm。同樣Micron將把它在2011年的投資總計(jì)19億美元中的2/3，用在NAND中。
5.Elpida'sgamble爾必達(dá)冒險(xiǎn)
爾必達(dá)將盡一切可能返回到第一陣容中。首先臺(tái)灣的資金/政府的拯救計(jì)劃并未到位，但是Micron與Rexchip/Powerchip/ProMOS的合作繼續(xù)存在?，F(xiàn)在爾必達(dá)是希望在日本與臺(tái)灣兩地都增加投資。除此之外，在技術(shù)層面，爾必達(dá)正采用65nmXS，一種65nm的縮小版技術(shù)在DRAM中獲得利潤，顯然只要價(jià)格下降不要過快。除此之外，爾必達(dá)也期望盡快跨入4xnm及3xnm中。
下載文檔本站聲明： 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布，目的在于傳遞更多信息，并不代表本站贊同其觀點(diǎn)，本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者，如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀
LCD 液晶屏是 Liquid Crystal Display 的簡稱，LCD 的構(gòu)造是在兩片平行的玻璃當(dāng)中放置液態(tài)的晶體，兩片玻璃中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線，透過通電與否來控制桿狀水晶分子改變方向，將光線折射出來產(chǎn)...
關(guān)鍵字： 三星 Galaxy A14 LCD屏據(jù)業(yè)內(nèi)消息，目前三星正在研發(fā)一種智能戒指，佩戴后可以監(jiān)測使用者的活動(dòng)健康數(shù)據(jù)，因?yàn)檩p便續(xù)航高且可長時(shí)間佩戴等優(yōu)點(diǎn)，不少業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為其會(huì)取代智能手環(huán)和手表。
關(guān)鍵字： 智能手環(huán) 智能手表 三星 智能戒指
廠商專欄
熱門文章
- 一文搞懂脈沖寬度調(diào)制（PWM）原理、頻率與占空比
- 國產(chǎn)GPU第一股摩爾線程終于來了：12月5日上市 市值537億
- 1.2億天價(jià)罰單！全球第三大設(shè)備商因臺(tái)積電2nm泄密案被起訴
- 科技巨頭集體預(yù)警：內(nèi)存價(jià)格將大幅上漲！
- 基于PLC的焊點(diǎn)檢測隔離機(jī)的電控設(shè)計(jì)
- 盤點(diǎn)GET 和 POST請(qǐng)求的本質(zhì)區(qū)別
- CAN收發(fā)器
- CAN的數(shù)據(jù)幀
- 荷蘭安世仍未向中國供應(yīng)晶圓 全球汽車產(chǎn)線幾周內(nèi)或?qū)⑼．a(chǎn)
- 終止一切對(duì)華采購！美國汽車巨頭要求數(shù)千供應(yīng)商“斷華”！
編輯精選
更多
論壇活動(dòng)
更多
論壇熱帖
- 【每周分享】程序員真的逃不過35歲被裁的坎嗎？
- 【每周分享】公司已經(jīng)裁掉我了，還在繼續(xù)安排大量工作給我，這合適嗎？
- 【每周分享】努力、運(yùn)氣、選擇，哪一個(gè)更重要？
- CW32L012固件庫發(fā)現(xiàn)兩處問題
- CW32L011休眠模式 偶發(fā)無法喚醒
- gd32f4 中斷影響adc采樣怎么解決
- GD32F303定時(shí)器捕獲頻率出現(xiàn)問題
- 用PMOS做開關(guān)的電路，開關(guān)按下PMOS導(dǎo)通，電路為啥不行呢
- APM32F407備份SRAM VBAT測試避坑指南：從誤判到精準(zhǔn)檢測
- 極海的APM32F425和APM32F427到底有什么區(qū)別？
技術(shù)子站
更多
資料下載
更多
技術(shù)學(xué)院
- TrendForce集邦咨詢: 預(yù)估2026年全球AI 服務(wù)器出貨年增逾28%，ASIC類別占比擴(kuò)大
- TrendForce集邦咨詢: 美光收購力積電銅鑼晶圓廠，2027年全球DRAM供給或?qū)⑸闲?/a>
- TrendForce集邦咨詢: 新機(jī)調(diào)價(jià)抑制銷售需求，2026年第二季度起智能手機(jī)生產(chǎn)承壓明顯
- 電動(dòng)汽車電池管理系統(tǒng)原理
- 手把手教你如何解決MySQL order by limit語句的分頁數(shù)據(jù)重復(fù)問題
- 盤點(diǎn)PCB電路板上需要有測試點(diǎn)的原因
- 盤點(diǎn)晶體諧振器振蕩頻率溫度特性異常的幾個(gè)原因
- PCB板的ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì)原理解析
