集邦科技：DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營(yíng)收僅增3.4%
[導(dǎo)讀]集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第3季營(yíng)收數(shù)字達(dá)108億美元，雖然DRAM總產(chǎn)出量季成長(zhǎng)15%，但在第3季合約價(jià)跌幅超乎預(yù)期拖累，相較于上季營(yíng)收104億美元，僅微幅成長(zhǎng)約3.4%。而在全球市占上，韓系D
集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第3季營(yíng)收數(shù)字達(dá)108億美元，雖然DRAM總產(chǎn)出量季成長(zhǎng)15%，但在第3季合約價(jià)跌幅超乎預(yù)期拖累，相較于上季營(yíng)收104億美元，僅微幅成長(zhǎng)約3.4%。而在全球市占上，韓系DRAM廠第3季已囊括全球61.2%市占率，日系廠占16.3%，美系廠占12.2%，臺(tái)廠則微幅下滑至10.3%。
集邦表示，第3季DRAM合約價(jià)受到DRAM產(chǎn)出增加與PC需求旺季不如預(yù)期影響，價(jià)格呈現(xiàn)下滑走勢(shì)，第3季DDR32GB合約均價(jià)為40美元，較上季的46美元下滑約13%，現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR31GbeTT顆粒均價(jià)則較上季下跌18%至2.27美元，DDR21GbeTT則下跌約16%。
從全球DRAM廠自有品牌內(nèi)存營(yíng)收排名來(lái)分析，韓系廠商三星營(yíng)收仍居全球DRAM廠之冠，季成長(zhǎng)21.9%，營(yíng)收成長(zhǎng)貢獻(xiàn)來(lái)自DRAM產(chǎn)出增加20%以上，DRAM均價(jià)也微幅上揚(yáng)，DRAM市占率由第2季的34.3%大幅成長(zhǎng)至40.4%。
海力士第3季受到46nm良率提升不如預(yù)期，DRAM產(chǎn)出僅增加2%，均價(jià)下跌9%影響，市占率由上季的21.6%下跌至19.8%。
日系廠商爾必達(dá)第3季營(yíng)收季減9.4%，市占率也由18.4%下降至16.1%.主要因?yàn)樵?0nm制程上轉(zhuǎn)進(jìn)仍居初期，產(chǎn)出僅微幅成長(zhǎng)。
在華亞科制程轉(zhuǎn)換下，投片及產(chǎn)出減少影響，美光第3季DRAM產(chǎn)出減少12%，DRAM均價(jià)也微幅下跌，造成第3季營(yíng)收下跌約10%，市占率也下跌至12%。
而在臺(tái)系廠部分，南科雖來(lái)自華亞科廠的產(chǎn)出減少，自有DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)率在50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及投片增加下，總銷售位本季成長(zhǎng)14%，但受到DRAM銷售價(jià)格下跌15%拖累，第3季營(yíng)收下滑約5.2%，市占率也微幅下降至4.2%。
力晶為臺(tái)系廠表現(xiàn)最佳的廠商，在63nm制程比例增加及良率提升的挹注下，第3季營(yíng)收為2.75億美元，與第2季相比上升12.9%。
華邦電雖然第3季營(yíng)收季減2.7%，但由于華邦電已經(jīng)淡出標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存市場(chǎng)，較不受此波DRAM價(jià)格下探影響，對(duì)于后續(xù)表現(xiàn)仍可抱持謹(jǐn)慎樂(lè)觀的態(tài)度。
集邦表示，以各國(guó)市占率版圖來(lái)分析，第3季韓系廠商市占率達(dá)61.2%，美系及日系廠商市占率皆有下滑，各有12.2%及16.3%的市占率，臺(tái)系DRAM廠方面市占率則由上季的10.5%微幅下滑至10.3%。
由于DRAM價(jià)格急速下滑，使各DRAM廠對(duì)未來(lái)資本支出轉(zhuǎn)趨保守，如三星Fab16的建設(shè)，將視未來(lái)市場(chǎng)狀況做調(diào)整，臺(tái)系廠如力晶也下修資本支出約20%，至160億元，而日臺(tái)合資的瑞晶R2廠擴(kuò)廠計(jì)劃也延后討論。
集邦預(yù)估，此波DRAM價(jià)格下跌，第4季跌幅將增大至30%以上，價(jià)格可望在明年第1季或第2季落底，DRAM廠可能在明年上半年資本支出將保守以對(duì)。
集邦表示，第3季DRAM合約價(jià)受到DRAM產(chǎn)出增加與PC需求旺季不如預(yù)期影響，價(jià)格呈現(xiàn)下滑走勢(shì)，第3季DDR32GB合約均價(jià)為40美元，較上季的46美元下滑約13%，現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR31GbeTT顆粒均價(jià)則較上季下跌18%至2.27美元，DDR21GbeTT則下跌約16%。
從全球DRAM廠自有品牌內(nèi)存營(yíng)收排名來(lái)分析，韓系廠商三星營(yíng)收仍居全球DRAM廠之冠，季成長(zhǎng)21.9%，營(yíng)收成長(zhǎng)貢獻(xiàn)來(lái)自DRAM產(chǎn)出增加20%以上，DRAM均價(jià)也微幅上揚(yáng)，DRAM市占率由第2季的34.3%大幅成長(zhǎng)至40.4%。
海力士第3季受到46nm良率提升不如預(yù)期，DRAM產(chǎn)出僅增加2%，均價(jià)下跌9%影響，市占率由上季的21.6%下跌至19.8%。
日系廠商爾必達(dá)第3季營(yíng)收季減9.4%，市占率也由18.4%下降至16.1%.主要因?yàn)樵?0nm制程上轉(zhuǎn)進(jìn)仍居初期，產(chǎn)出僅微幅成長(zhǎng)。
在華亞科制程轉(zhuǎn)換下，投片及產(chǎn)出減少影響，美光第3季DRAM產(chǎn)出減少12%，DRAM均價(jià)也微幅下跌，造成第3季營(yíng)收下跌約10%，市占率也下跌至12%。
而在臺(tái)系廠部分，南科雖來(lái)自華亞科廠的產(chǎn)出減少，自有DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)率在50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及投片增加下，總銷售位本季成長(zhǎng)14%，但受到DRAM銷售價(jià)格下跌15%拖累，第3季營(yíng)收下滑約5.2%，市占率也微幅下降至4.2%。
力晶為臺(tái)系廠表現(xiàn)最佳的廠商，在63nm制程比例增加及良率提升的挹注下，第3季營(yíng)收為2.75億美元，與第2季相比上升12.9%。
華邦電雖然第3季營(yíng)收季減2.7%，但由于華邦電已經(jīng)淡出標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存市場(chǎng)，較不受此波DRAM價(jià)格下探影響，對(duì)于后續(xù)表現(xiàn)仍可抱持謹(jǐn)慎樂(lè)觀的態(tài)度。
集邦表示，以各國(guó)市占率版圖來(lái)分析，第3季韓系廠商市占率達(dá)61.2%，美系及日系廠商市占率皆有下滑，各有12.2%及16.3%的市占率，臺(tái)系DRAM廠方面市占率則由上季的10.5%微幅下滑至10.3%。
由于DRAM價(jià)格急速下滑，使各DRAM廠對(duì)未來(lái)資本支出轉(zhuǎn)趨保守，如三星Fab16的建設(shè)，將視未來(lái)市場(chǎng)狀況做調(diào)整，臺(tái)系廠如力晶也下修資本支出約20%，至160億元，而日臺(tái)合資的瑞晶R2廠擴(kuò)廠計(jì)劃也延后討論。
集邦預(yù)估，此波DRAM價(jià)格下跌，第4季跌幅將增大至30%以上，價(jià)格可望在明年第1季或第2季落底，DRAM廠可能在明年上半年資本支出將保守以對(duì)。
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