市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Developpement的最新報(bào)告指出，僅管微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)產(chǎn)業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)化尚未落實(shí)，各大公司仍致力于讓自己的技術(shù)平臺(tái)最佳化；這方面的制程革新也將驅(qū)動(dòng) MEMS 設(shè)備及材料在2012到2018年間達(dá)到7%的年復(fù)合成長(zhǎng)率。
制程革新將點(diǎn)燃MEMS的設(shè)備與材料市場(chǎng)，Yole Developpement預(yù)期 MEMS相關(guān)制造設(shè)備市場(chǎng)將在接下來(lái)五年內(nèi)，以5.2%的年復(fù)合成長(zhǎng)率從2012年的3億7,800萬(wàn)美元，在2018年成長(zhǎng)至5億1,000萬(wàn)美元以上；值得注意的是，Yole Developpement預(yù)期MEMS的設(shè)備市場(chǎng)的循環(huán)周期模式將與主流IC設(shè)備市場(chǎng)相當(dāng)。

而在接下來(lái)五年，MEMS材料與相關(guān)的消耗品之需求將以10.5%的年復(fù)合成長(zhǎng)率，從2012年的1億3,600萬(wàn)美元成長(zhǎng)到2018年的2億4,800萬(wàn)美元以上。


全球MEMS設(shè)備與材料需求 (單位：百萬(wàn)美元)
（來(lái)源：Yole Developpement，2013年2月）

目前，MEMS的制造仍相當(dāng)多元且欠缺標(biāo)準(zhǔn)化；仍采用Yole Developpement所形容的「一種產(chǎn)品，一套制程」規(guī)則。其實(shí)MEMS的歷史與一般IC產(chǎn)業(yè)不同，且其技術(shù)藍(lán)圖也與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有所不同。因此，以完全不同制造方式制作相同MEMS裝置的業(yè)者處處可見(jiàn)，有時(shí)還甚至來(lái)自同一家公司(例如，CMOS MEMS及混合途徑方法都可用于慣性感測(cè)器或麥克風(fēng))。

然而，當(dāng)MEMS與前代產(chǎn)品相比成為可快速攻入市場(chǎng)的商品化產(chǎn)品時(shí)，任何能夠加速商業(yè)化流程的事宜也都會(huì)廣受歡迎。MEMS的封裝正朝向與前端制程不同的方向演進(jìn)，且Yole Developpement已經(jīng)注意到，封裝標(biāo)準(zhǔn)化對(duì)于支援產(chǎn)量大幅成長(zhǎng)的產(chǎn)品出貨之重要性將會(huì)提高，而與MEMS與感測(cè)器內(nèi)容相關(guān)的整體成本將會(huì)降低(例如，制造商之間的麥克風(fēng)封裝方式大都相同)。此外，這份報(bào)告也顯示在前端制程方面，各大公司都正在發(fā)展針對(duì)不同MEMS裝置的獨(dú)家技術(shù)平臺(tái)。


MEMS的前端制造發(fā)展趨勢(shì)
（來(lái)源：Yole Developpement，2013年2月；圖表顯示新MEMS制程采用的時(shí)間表。箭頭左側(cè)表示技術(shù)的開(kāi)始采用時(shí)間--例如，DRIE是從96年時(shí)開(kāi)始運(yùn)用于Bosch慣性MEMS--Yole Developpement預(yù)測(cè)在未來(lái)將可看到越來(lái)越多創(chuàng)新的MEMS制程:TSV、微影步進(jìn)機(jī)、薄晶圓的暫時(shí)性接合、室溫接合）

Yole Developpement的報(bào)告中，也揭示當(dāng)MEMS從制程技術(shù)性的競(jìng)爭(zhēng)移轉(zhuǎn)到功能及系統(tǒng)性的競(jìng)爭(zhēng)時(shí)，就有必要采用標(biāo)準(zhǔn)途徑來(lái)降低封裝尺寸及成本。目前，MEMS代工廠(chǎng)仍處于制程技術(shù)性的競(jìng)爭(zhēng)階段，且必須以更廣泛的制程技術(shù)來(lái)因應(yīng)新的MEMS設(shè)計(jì)及結(jié)構(gòu)。

這種技術(shù)途徑與通常只專(zhuān)注于單一類(lèi)型MEMS設(shè)計(jì)的無(wú)晶圓廠(chǎng)公司是不同的，該種公司的主要任務(wù)是找到最有經(jīng)驗(yàn)與可靠的代工夥伴來(lái)說(shuō)服客戶(hù)自己的強(qiáng)項(xiàng)所在；同時(shí)，整合元件大廠(chǎng)(IDM)則通常是仰賴(lài)已制式化運(yùn)作的MEMS制程來(lái)制造其產(chǎn)品(如ST的THELMA)。由于總是必須面對(duì)MEMS制造技術(shù)前景的最前線(xiàn)變革，故代工廠(chǎng)的挑戰(zhàn)也往往是最大的。

Yole Developpement的MEMS的前端制造發(fā)展趨勢(shì)報(bào)告也清楚點(diǎn)出了主要的前端制造技術(shù)改革；例如，晶片尺寸封裝(CSP)技術(shù)中的矽穿孔(TSV)也正逐漸滲透到MEMS產(chǎn)業(yè)。在此方面，該機(jī)構(gòu)分析了意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)自家工廠(chǎng)采用TSV來(lái)接合MEMS晶片與主機(jī)板的獨(dú)家方法。

ST的方法免除焊墊(bond pad)的需求，將之以使用氣隙蝕刻(etched-out air gaps)絕緣的多晶矽通孔來(lái)取代；采用其基礎(chǔ)MEMS制程，但規(guī)模約十倍大。根據(jù)ST的報(bào)告，減少了20%~30%的晶片尺寸，可抵銷(xiāo)采用TSV制程微增的成本，使得總成本反而降低。


MEMS結(jié)構(gòu)層制造流程實(shí)例
（來(lái)源：Yole Developpement，2013年2月）

然而，因?yàn)榫⌒突衅湎拗?，故各個(gè)研發(fā)機(jī)構(gòu)正著手發(fā)展新的檢測(cè)原理(例如，Tronic的M&NEMS概念)來(lái)降低MEMS的矽晶片尺寸。此技術(shù)是基于壓阻矽奈米線(xiàn)(piezoresistive nanowires)而不是純電容式檢測(cè)(capacitive detection)，且著眼于裝置效能及晶片尺寸上的技術(shù)躍進(jìn)。此舉將奠定新一代動(dòng)作感測(cè)應(yīng)用的組合式感測(cè)器基礎(chǔ)，且可讓多自由度感測(cè)器明顯的減少表面積及改善效能。

Yole Developpement在一系列的MEMS技術(shù)中列出數(shù)種可望在未來(lái)幾年嶄露頭角的技術(shù)，包括：矽穿孔、室溫接合、薄膜PZT、暫時(shí)性接合、Cavity SOI、CMOS MEMS。其他的MEMS 技術(shù)(如金接合)，亦可能廣泛運(yùn)用于縮減晶片尺寸且同時(shí)維持晶圓級(jí)封裝的高度密封性。