半導(dǎo)體測(cè)試需求將沖上新高峰。因應(yīng)行動(dòng)裝置高效能、輕薄設(shè)計(jì)趨勢(shì)，半導(dǎo)體業(yè)者正加碼競(jìng)逐28奈米(nm)先進(jìn)制程、立體堆疊系統(tǒng)單晶片(SoC)，以及高整合度射頻(RF)或無(wú)線區(qū)域網(wǎng)路(Wi-Fi)模組，從而激發(fā)新一波自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備(ATE)需求，將為半導(dǎo)體測(cè)試方案供應(yīng)商帶來(lái)更多商機(jī)。

臺(tái)灣愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試(Advantest)總經(jīng)理吳慶桓表示，整合元件制造商(IDM)、晶圓代工廠及晶片商為瓜分商機(jī)大餅，均已加緊腳步研發(fā)28奈米以下制程和晶圓級(jí)封裝(WLP)、2.5D/三維晶片(3D IC)等SoC設(shè)計(jì)方案。隨著晶片電路設(shè)計(jì)復(fù)雜度激增，勢(shì)將為ATE開(kāi)發(fā)商帶來(lái)更多發(fā)展機(jī)會(huì)。

據(jù)顧能(Gartner)研究報(bào)告指出，2011～2016年，全球32與28奈米晶圓產(chǎn)能的年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)將高達(dá)95.7%，顯見(jiàn)未來(lái)幾年半導(dǎo)體測(cè)試需求也將明顯增溫。吳慶桓透露，今年在各大晶圓廠28奈米產(chǎn)能陸續(xù)開(kāi)出后，全球半導(dǎo)體后段封測(cè)廠平均產(chǎn)能利用率已拉高至84.3%；為持續(xù)擴(kuò)充先進(jìn)制程封測(cè)產(chǎn)能，封測(cè)業(yè)者明年將繼續(xù)增購(gòu)ATE機(jī)臺(tái)與周邊測(cè)試軟硬體工具，刺激半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備出貨規(guī)模成長(zhǎng)。

臺(tái)灣愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試副總經(jīng)理吳萬(wàn)錕補(bǔ)充，晶片商為滿足行動(dòng)裝置高效能、低功耗與低成本的要求，除加速推進(jìn)應(yīng)用處理器邁向28奈米SoC架構(gòu)外，也運(yùn)用創(chuàng)新封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)各種射頻或電源晶片模組。這些發(fā)展將使晶片電路布局更趨復(fù)雜，并帶動(dòng)新一代半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備換機(jī)需求，以提供完整的數(shù)位、混合訊號(hào)及射頻分析功能，并透過(guò)導(dǎo)入Per-pin測(cè)試架構(gòu)，讓每個(gè)通道都能發(fā)揮強(qiáng)大功能，提升測(cè)試速度與靈活性。

吳慶桓認(rèn)為，行動(dòng)裝置的崛起已改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線，相關(guān)業(yè)者要在極短的產(chǎn)品上市時(shí)程內(nèi)，完全掌握晶片設(shè)計(jì)缺失并迅速校正，勢(shì)將采購(gòu)大量先進(jìn)的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備，從而炒熱ATE市場(chǎng)需求。

另一方面，吳萬(wàn)錕也透露，在行動(dòng)裝置大舉導(dǎo)入的推助下，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)元件出貨量也急速成長(zhǎng)，將帶動(dòng)另一波半導(dǎo)體測(cè)試需求。目前，相關(guān)業(yè)者已競(jìng)相投入研發(fā)MEMS測(cè)試解決方案；而愛(ài)德萬(wàn)也積極將觸角延伸至該領(lǐng)域，預(yù)計(jì)在2013年揭露多軸MEMS元件分類(lèi)機(jī)的技術(shù)進(jìn)展。