[導讀]【日經BP社報道】英特爾日本試制出了瞄準直接芯片貼裝（DCA）的晶圓級封裝（Wafer Level Package，WLP），并在國際封裝會議“ICEP-IAAC（Joint Conference of "International Conference on Electronics Packaging"
【日經BP社報道】英特爾日本試制出了瞄準直接芯片貼裝（DCA）的晶圓級封裝（Wafer Level Package，WLP），并在國際封裝會議“ICEP-IAAC（Joint Conference of "International Conference on Electronics Packaging" and "IMAPS All Asia Conference"）2012”（2012年4月17日～20日在東京有明國際會展中心舉行）上發(fā)表（演講序號：FB1-2）。登臺演講的是該公司技術開發(fā)本部、制造技術本部 裝配技術開發(fā)部封裝開發(fā)經理富田至洋。
富田表示，英特爾日本此次是首次在ICEP上發(fā)表演講（在ICEP的前身International Microelectronics Conference（IMC）上發(fā)表過演講）。富田表示，之所以在ICEP發(fā)表演講，是因為“希望微細間距的主板及其制造技術能盡快實現實用化”。以美國英特爾提倡的Ultrabook為代表的電子產品的薄型化要求永無止境。為了滿足這種需求，廠商想要實現不使用轉接板和插座，而是直接把組件安裝到主板上的技術。
身為半導體廠商的英特爾日本為此迅速確立了WLP技術。WLP能利用普通的表面封裝技術配備到主板上，因此可以用于Ultrabook、智能手機以及平板PC等價格競爭激烈的產品。之后就是“希望日本的封裝行業(yè)快速推進配備WLP的主板的微細間距化”（富田）。富田表示，目前微細間距的目標為30～40μm，這與“日本封裝技術發(fā)展藍圖”等介紹的周列式（Peripheral Array）倒裝芯片連接所要求的最小焊點間距（Pad pitch）基本相同。
利用300mm晶圓試制[!--empirenews.page--]
英特爾日本此次展示的WLP工藝設想裸片厚度為200μm～75μm，在其上設置20μm厚的背面膜（Back Side Film）和40μm厚的前端模件（Front Side Mold）。裸片側的銅凸點高40μm，其上有高80μm的板卡連接用微球（Micro Ball）。
試制的WLP采用300mm晶圓，以45nm節(jié)點工藝制造了9.5mm×9.5mm的裸片。裸片厚度有200μｍ和75μm兩種，裸片凸點的間距最小為227μm。包括切割在內，WLP的各工藝均能用普通設備處理，板卡的表面封裝也可以用普通設備完成。此次試制的WLP板卡對WLP進行了底部填充，估計是為了提高可靠性。
富田在介紹完試制的WLP工藝詳情后還公開了可靠性的評測結果，稱“目前達到了非常高的水平”。在演講的最后，富田介紹了可進一步提高可靠性的“Fully Encapsulated WLP Process”工藝。
在演講后的問答環(huán)節(jié)，聽眾提出了很多提問。比如，此次的WLP工藝設想的裸片尺寸是多大？富田回答道：“計劃主要為8mm×8mm左右。估計最大為10×10mm左右?！绷硗飧惶镞€介紹，輸入輸出I/O數為600～800。
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ce="Tahoma, Verdana, Arial">此次的WLP的截面構造，英特爾日本的數據。（點擊放大）
此次的WLP工藝，英特爾日本的數據。（點擊放大）
試制的WLP，（a）為正面，（b）為背面。英特爾日本的數據。（點擊放大）
試制的WLP安裝在板卡上（a）是從正面拍攝的。（ｂ）為厚度為200μm的裸片WLP的截面圖。（c）為厚度75μm的裸片WLP的截面圖。英特爾日本的數據。
富田表示，英特爾日本此次是首次在ICEP上發(fā)表演講（在ICEP的前身International Microelectronics Conference（IMC）上發(fā)表過演講）。富田表示，之所以在ICEP發(fā)表演講，是因為“希望微細間距的主板及其制造技術能盡快實現實用化”。以美國英特爾提倡的Ultrabook為代表的電子產品的薄型化要求永無止境。為了滿足這種需求，廠商想要實現不使用轉接板和插座，而是直接把組件安裝到主板上的技術。
身為半導體廠商的英特爾日本為此迅速確立了WLP技術。WLP能利用普通的表面封裝技術配備到主板上，因此可以用于Ultrabook、智能手機以及平板PC等價格競爭激烈的產品。之后就是“希望日本的封裝行業(yè)快速推進配備WLP的主板的微細間距化”（富田）。富田表示，目前微細間距的目標為30～40μm，這與“日本封裝技術發(fā)展藍圖”等介紹的周列式（Peripheral Array）倒裝芯片連接所要求的最小焊點間距（Pad pitch）基本相同。
利用300mm晶圓試制[!--empirenews.page--]
英特爾日本此次展示的WLP工藝設想裸片厚度為200μm～75μm，在其上設置20μm厚的背面膜（Back Side Film）和40μm厚的前端模件（Front Side Mold）。裸片側的銅凸點高40μm，其上有高80μm的板卡連接用微球（Micro Ball）。
試制的WLP采用300mm晶圓，以45nm節(jié)點工藝制造了9.5mm×9.5mm的裸片。裸片厚度有200μｍ和75μm兩種，裸片凸點的間距最小為227μm。包括切割在內，WLP的各工藝均能用普通設備處理，板卡的表面封裝也可以用普通設備完成。此次試制的WLP板卡對WLP進行了底部填充，估計是為了提高可靠性。
富田在介紹完試制的WLP工藝詳情后還公開了可靠性的評測結果，稱“目前達到了非常高的水平”。在演講的最后，富田介紹了可進一步提高可靠性的“Fully Encapsulated WLP Process”工藝。
在演講后的問答環(huán)節(jié)，聽眾提出了很多提問。比如，此次的WLP工藝設想的裸片尺寸是多大？富田回答道：“計劃主要為8mm×8mm左右。估計最大為10×10mm左右?！绷硗飧惶镞€介紹，輸入輸出I/O數為600～800。
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ce="Tahoma, Verdana, Arial">此次的WLP的截面構造，英特爾日本的數據。（點擊放大）
此次的WLP工藝，英特爾日本的數據。（點擊放大）
試制的WLP，（a）為正面，（b）為背面。英特爾日本的數據。（點擊放大）
試制的WLP安裝在板卡上（a）是從正面拍攝的。（ｂ）為厚度為200μm的裸片WLP的截面圖。（c）為厚度75μm的裸片WLP的截面圖。英特爾日本的數據。
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