工研院IEK ITIS發(fā)布2010年第二季(10Q2)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)回顧與展望報(bào)告，由于全球景氣好轉(zhuǎn)，再加上比較基期低的原因，使得第二季臺(tái)灣整體IC產(chǎn)業(yè)不論年成長(zhǎng)率還是季成長(zhǎng)率，皆有不錯(cuò)的表現(xiàn)。總計(jì)2010年第二季臺(tái)灣整體IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值(含設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試)達(dá)新臺(tái)幣4,422億元，較上季(10Q1)成長(zhǎng)12.8%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng) 47.7%。

第二季全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概況

根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)的數(shù)據(jù)，10Q2全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售值達(dá)748億美元，較上季(10Q1)成長(zhǎng)7.1%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)42.6%；銷售量達(dá)1,759億顆，較上季(10Q1)成長(zhǎng)8.7%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)38.0%；ASP為0.425美元，較上季(10Q1)衰退1.5%，較去年同期 (09Q2)成長(zhǎng)3.3%。

10Q2美國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售值達(dá)137億美元，較上季(10Q1)成長(zhǎng)15.3%，較去年同期 (09Q2) 成長(zhǎng)55.5%；日本半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售值達(dá)113億美元，較上季(10Q1)成長(zhǎng)4.6%，較去年同期(09Q2) 成長(zhǎng)25.4%；歐洲半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售值達(dá)93億美元，較上季(10Q1)成長(zhǎng)1.1%，較去年同期(09Q2) 成長(zhǎng)39.8%；亞洲區(qū)半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售值達(dá)404億美元，較上季(10Q1)成長(zhǎng)6.6%，較去年同期(09Q2) 成長(zhǎng)44.7%。

根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)公布最新6月的訂單出貨報(bào)告，訂單出貨比(B/B Ratio)為1.19，較5月份的1.13小幅上揚(yáng)，但目前已連續(xù)12個(gè)月處于1以上的水準(zhǔn)，顯示半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣持續(xù)維持在復(fù)蘇之水準(zhǔn)。

北美半導(dǎo)體設(shè)備廠商6月份的3個(gè)月平均全球訂單預(yù)估金額為16.85億美元，較5月份最終訂單金額15.25億美元增加10.5%，比2009年同期成長(zhǎng) 379.0%，金額攀升到2006年8月以來最高水平。而在出貨表現(xiàn)部分，6月份的3個(gè)月平均出貨金額為14.21億美元，較5月13.45億美元成長(zhǎng) 5.7 %，比2009年同期成長(zhǎng)222.7%。

2010年第二季臺(tái)灣整體IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值(含設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試)達(dá)新臺(tái)幣4,422億元，較上季(10Q1)成長(zhǎng)12.8%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)47.7%。其中設(shè)計(jì)業(yè)產(chǎn)值為新臺(tái)幣1,196億元，較上季 (10Q1)成長(zhǎng)7.7%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)28.3%，為半導(dǎo)體次產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)最少者。

制造業(yè)為新臺(tái)幣2,176億元，較上季(10Q1)成長(zhǎng)15.4%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)59.8%；封裝業(yè)為新臺(tái)幣725億元，較上季(10Q1)成長(zhǎng)13.3%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)48.0%；測(cè)試業(yè)為新臺(tái)幣325億元，較上季(10Q1)成長(zhǎng)14.0%，較去年同期(09Q2)成長(zhǎng)54.8%。

2010年第二季臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值統(tǒng)計(jì)及預(yù)估
來源：工研院IEK ITIS計(jì)劃，2010/08

第二季臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)概況──設(shè)計(jì)業(yè)

首先觀察IC設(shè)計(jì)業(yè)，2010Q2在歐洲發(fā)生債信危機(jī)及中國(guó)大陸政府緝查山寨機(jī)等影響，造成臺(tái)灣許多以手機(jī)芯片、STB、無線網(wǎng)通芯片等為主的廠商營(yíng)收表現(xiàn)并不理想，如聯(lián)發(fā)科、瑞昱、揚(yáng)智等。但由于全球 iPad 、 iPhone 、平板計(jì)算機(jī)、電子書及低價(jià)智能型手機(jī)等熱 賣，帶動(dòng)臺(tái)灣觸控IC、電源管理IC、內(nèi)存控制芯片等廠商出貨量的大幅成長(zhǎng)。

2010Q2臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)業(yè)產(chǎn)值達(dá)新臺(tái)幣1,196億元，較2010Q1成長(zhǎng)7.7%，顯示2010Q2在邁入Q3暑期旺季，終端市場(chǎng)需求的仍穩(wěn)定成長(zhǎng)。預(yù)估2010全年臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)業(yè)產(chǎn)值將達(dá)新臺(tái)幣5,032億元，年成長(zhǎng)30.4%。

2010Q2 在臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)業(yè)主要廠商動(dòng)態(tài)方面，為聯(lián)發(fā)科將成立技術(shù)團(tuán)隊(duì)，與日本最大電信營(yíng)運(yùn)商N(yùn)TT DoCoMo合作，簽訂第四代行動(dòng)通訊(4G)的長(zhǎng)期演進(jìn)技術(shù)(LTE)技術(shù)授權(quán)協(xié)議，強(qiáng)化 4G 布局。聯(lián)發(fā)科在2.5G和2.75G已擁有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，且已持續(xù)演進(jìn)至3G技術(shù)，如TD-SCDMA、WCDMA。目前在4G方面布局，除了包括WiMAX 外，現(xiàn)又加入LTE。未來4G標(biāo)準(zhǔn)無論是WiMAX或LTE勝出，對(duì)聯(lián)發(fā)科而言仍是贏家。

在IC制造業(yè)的部分，2010Q2臺(tái)灣IC制造業(yè)產(chǎn)值達(dá)新臺(tái)幣2,176億元。其中晶圓代工的產(chǎn)值達(dá)到1,429億新臺(tái)幣，較2010Q1成長(zhǎng)13.7%，而較去年同期大幅成長(zhǎng)38.5%。

受到歐美地區(qū)及新興市場(chǎng)景氣持續(xù)回升的影響，晶圓代工產(chǎn)能持續(xù)不足，造成模擬IC、網(wǎng)通IC、MCU等IC缺貨的問題持續(xù)存在，12寸晶圓廠產(chǎn)能仍處在吃緊狀態(tài)，產(chǎn)能利用率處在九成以上的高水平，客戶仍排隊(duì)等待產(chǎn)能的供應(yīng)，晶圓代工公司因應(yīng)需求，陸續(xù)上調(diào)資本支出。

而以DRAM為主的IC制造業(yè)自有產(chǎn)品產(chǎn)值為747億新臺(tái)幣，較2010Q2成長(zhǎng)18.9%，而較去年同期大幅成長(zhǎng)126.4%，主要是去年基期較低，加上DRAM供需仍吃緊，臺(tái)灣廠商提高出貨量，在價(jià)量齊揚(yáng)下，表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期。

代表IC制造業(yè)未來產(chǎn)值成長(zhǎng)的重要領(lǐng)先指針──北美半導(dǎo)體設(shè)備的B/B Ratio于2010年六月達(dá)到1.19。呈現(xiàn)連續(xù)第12個(gè)月設(shè)備訂單值大于出貨值的現(xiàn)象，顯示國(guó)際大廠持續(xù)加大產(chǎn)能的投資，景氣呈現(xiàn)上場(chǎng)的趨勢(shì)。

2010Q2 在臺(tái)灣IC制造業(yè)主要廠商動(dòng)態(tài)方面，為2010年臺(tái)積電資本支出將超越Intel?？春冒雽?dǎo)體后市，臺(tái)積電加碼投資，在7月29日法說會(huì)中，宣布將 2010年資本支出由原訂的48億美元，調(diào)高至59億美元，超越英特爾(Intel)的52億美元，僅次于南韓三星(Samsung) ，董事長(zhǎng)張忠謀亦將2010年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)預(yù)估值上修至40%。

在全球Fabless產(chǎn)業(yè)的復(fù)蘇，以及全球IDM公司擴(kuò)大半導(dǎo)體制造的委外代工趨勢(shì)，全球晶圓代工12寸晶圓廠產(chǎn)能將呈現(xiàn)吃緊的現(xiàn)象。若IDM退出半導(dǎo)體制造的速度過快，將使得晶圓代工產(chǎn)能的供給從賣方市場(chǎng)演變?yōu)橘I方市場(chǎng)。展望未來，全球半導(dǎo)體晶圓的投資主力將從Memory產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)為Foundry產(chǎn)業(yè)。

第二季臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)概況──封測(cè)業(yè)

在 IC封測(cè)業(yè)的部分，2010Q2受惠于上游晶圓代工成長(zhǎng)13.7%，下游封測(cè)業(yè)也同步成長(zhǎng)。2010Q2臺(tái)灣封裝業(yè)產(chǎn)值為725億新臺(tái)幣，較2010Q1 成長(zhǎng)13.3%，較去年同期成長(zhǎng)48.0%。2010Q2臺(tái)灣測(cè)試業(yè)產(chǎn)值為325億新臺(tái)幣，較2010Q1成長(zhǎng)14.0%，較去年同期成長(zhǎng)54.8%。主要在于手機(jī)芯片、繪圖芯片需求強(qiáng)勁和內(nèi)存出貨持續(xù)暢旺，帶動(dòng)整體產(chǎn)值的成長(zhǎng)。另外，受到國(guó)際金價(jià)大漲影響，將金打線轉(zhuǎn)為銅打線封裝仍是后段封測(cè)廠持續(xù)關(guān)注的議題。

2010Q2在臺(tái)灣IC封測(cè)業(yè)主要廠商動(dòng)態(tài)方面，為力成、聯(lián)電、Elpida合作明年試產(chǎn)28nm制程3D IC芯片。三大廠于6月21日針對(duì)TSV技術(shù)舉行簽約儀式，這是近年來邏輯和內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域罕見的跨產(chǎn)業(yè)大合作，三大廠將針對(duì)28nm的先進(jìn)制程提升3D IC的整合技術(shù)，運(yùn)用Elpida的DRAM技術(shù)和聯(lián)電的先進(jìn)邏輯技術(shù)，搭配力成的封裝技術(shù)，共同開發(fā)Logic IC和DRAM的3D IC異質(zhì)整合完整解決方案。[!--empirenews.page--]

在電子產(chǎn)品高效能、高整合度、低功耗等組件規(guī)格趨勢(shì)之下，半導(dǎo)體廠商不再只是遵循著摩爾定律發(fā)展，3D IC已成未來先進(jìn)封裝必走之路，未來Logic IC會(huì)和Mobile DRAM整合，手機(jī)將為最大應(yīng)用市場(chǎng)。

Logic IC如繪圖芯片也可和DRAM進(jìn)行整合，達(dá)到高速、高效能的要求，未來應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?huì)十分寬廣。力成、聯(lián)電、Elpida看到3D IC最大塊的市場(chǎng)，已積極布局一起合作希望率先搶奪Logic IC和Memory堆棧市場(chǎng)。

重大事件分析：鈺創(chuàng)、茂德合作進(jìn)軍SDRAM，臺(tái)DRAM廠布局非標(biāo)準(zhǔn)型產(chǎn)品

茂德與利基型內(nèi)存廠鈺創(chuàng)進(jìn)行結(jié)盟，將在中科12寸晶圓廠為鈺創(chuàng)代工高容量256Mb DDR2產(chǎn)品，采用72nm制程，這是茂德跨入消費(fèi)性電子市場(chǎng)首部曲，鈺創(chuàng)也亦在SDRAM產(chǎn)能吃緊情況下獲得產(chǎn)能供給。茂德也采用爾必達(dá)63nm制程布局Mobile RAM市場(chǎng)，從128Mb產(chǎn)品切入，預(yù)計(jì)2011年第2季量產(chǎn)，專攻低階手機(jī)市場(chǎng)。

除茂德意識(shí)到多角化趨避風(fēng)險(xiǎn)，南亞科也同時(shí)布局Mobile RAM市場(chǎng)，將從Low-Power DDR/DDR2市場(chǎng)切入，希望能大幅降低PC相關(guān)產(chǎn)品比重，預(yù)計(jì)2010年第三季進(jìn)入試產(chǎn)。

金融風(fēng)暴后，臺(tái)灣DRAM廠展開多角化產(chǎn)品線策略分散僅專注標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品的風(fēng)險(xiǎn)，自2010年開始，陸續(xù)傳出DRAM廠開始布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域，包括SDRAM、Mobile RAM、NAND Flash、繪圖卡內(nèi)存(GDDR)等。

如日本DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)在2010年即開始轉(zhuǎn)型，將多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM生產(chǎn)都釋放給臺(tái)廠，而Elpida在廣島廠的產(chǎn)能被Mobile RAM產(chǎn)品擠到滿載，Elpida已投入至消費(fèi)性電子相關(guān)產(chǎn)品。美光(Micron)方面也已將標(biāo)準(zhǔn)型DRAM重心交由華亞科，而自己把心力放在NAND Flash和NOR Flash的布局，其產(chǎn)品線多角化布局會(huì)越來越明顯。

重大事件分析：Global Foundries大擴(kuò)產(chǎn)將對(duì)聯(lián)電形成強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)壓力

Global Foundries于6月1日首度在臺(tái)灣舉行記者會(huì)，宣布全球產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃。Global Foundries表示，2010年全球晶圓產(chǎn)業(yè)已展現(xiàn)復(fù)蘇趨勢(shì)，該公司自2009年收購(gòu)新加坡特許半導(dǎo)體后，12寸晶圓產(chǎn)能已經(jīng)超越全球晶圓代工第二大廠聯(lián)電，目前首要工作是整合其德國(guó)、新加坡與美國(guó)晶圓廠，暫無任何入股其它晶圓廠的計(jì)劃。

Global Foundries表示，2010年該公司資本支出預(yù)計(jì)將達(dá)27億~28億美元，2011年則約為15億美元。預(yù)期2014年可望年產(chǎn)160萬片12寸晶圓。Global foundries與新加坡的Chartered均是Common Platform成員，兩家公司合并后有助于聯(lián)盟內(nèi)制造產(chǎn)能的整合，爭(zhēng)取IDM廠商的委外代工訂單。

而合并后的Global foundries則透過大股東ATIC資金的強(qiáng)力支持，大舉擴(kuò)張12寸晶圓廠產(chǎn)能，在ATIC資金及IBM Common Platform技術(shù)的之優(yōu)勢(shì)之下，已對(duì)臺(tái)灣的聯(lián)電形成強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)。未來全球?qū)I(yè)晶圓代工市場(chǎng)占有率第二大及第三大之爭(zhēng)將日趨激烈。

重大事件分析：韓國(guó)海力士與大陸太極實(shí)業(yè)合資成立內(nèi)存封測(cè)廠海太半導(dǎo)體

海太半導(dǎo)體由無錫市太極實(shí)業(yè)和韓國(guó)海力士合資成立，總投資達(dá)3.5億美元，以半導(dǎo)體產(chǎn)品的探針測(cè)試、封裝為主攻方向。規(guī)劃以1G DRAM為主，產(chǎn)量7,500萬顆/月的封裝測(cè)試能力，年銷售額3億美元，是大陸技術(shù)最領(lǐng)先的集成電路后段封測(cè)專業(yè)公司。無錫集成電路產(chǎn)業(yè)已形成包括芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、硅單晶材料和外延片、掩膜等在內(nèi)的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

繼日本IDM大廠東芝與大陸南通富士通合資成立封測(cè)廠“無錫通芝公司 ”之后，現(xiàn)大陸太極實(shí)業(yè)又與海力士合資成立內(nèi)存封測(cè)廠海太半導(dǎo)體。大陸透過與國(guó)際大廠合資，積極導(dǎo)入先進(jìn)技術(shù)，顯示出發(fā)展高階封測(cè)技術(shù)企圖心。

海力士與ST在大陸無錫已有一座12寸內(nèi)存晶圓廠，月產(chǎn)能4萬片，制程技術(shù)90~45nm。海太半導(dǎo)體的成立，將可建立海力士在中國(guó)境內(nèi)一條龍生產(chǎn)方式，節(jié)省生產(chǎn)、物流費(fèi)用，進(jìn)一步提高成本優(yōu)勢(shì)。若大陸透過與國(guó)際大廠合作而取得先進(jìn)技術(shù)，進(jìn)而帶動(dòng)當(dāng)?shù)胤鉁y(cè)業(yè)的技術(shù)升級(jí)與轉(zhuǎn)型，未來對(duì)臺(tái)灣封測(cè)業(yè)的全球競(jìng)爭(zhēng)力將造成威脅。

2009年下半年時(shí)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到各國(guó)政府經(jīng)濟(jì)振興方案的影響，使得全球半導(dǎo)體銷售較2009年上半年呈現(xiàn)大幅度成長(zhǎng)。而2010年上半年時(shí)，在全球景氣的復(fù)蘇腳步優(yōu)于預(yù)期，再加上產(chǎn)能不足下，亦使得今年上半年的銷售成績(jī)呈現(xiàn)亮眼的表現(xiàn)。因此預(yù)估第三季的年成長(zhǎng)率與季成長(zhǎng)率，將會(huì)受到比較基期高的影響，而使得成長(zhǎng)力道減弱。

雖然產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)力道將出現(xiàn)放緩，但晶圓代工與封測(cè)產(chǎn)能供不應(yīng)求之情況，仍將持續(xù)，這可從半導(dǎo)體廠商紛紛宣布資本支出大幅增加獲得證實(shí)。


臺(tái)灣晶圓代工與IC封測(cè)大廠2009年與2010年資本支出
來源：各公司法說資料、IC Insights、工研院IEK ITIS計(jì)劃，2010/08

展望第三季，IC設(shè)計(jì)業(yè)部分，預(yù)估2010Q3臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)業(yè)產(chǎn)值達(dá)1,375億新臺(tái)幣，較2010Q2成長(zhǎng)15.0%。由于臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)業(yè)已逐漸步入穩(wěn)定成長(zhǎng)的循環(huán)軌跡，第三、四季仍將是傳統(tǒng)旺季，預(yù)期未來在PC、NB、LCD TV、手機(jī)等需求帶動(dòng)下，2010年產(chǎn)值達(dá)新臺(tái)幣5,032億元，年成長(zhǎng)將達(dá)30.4%，遠(yuǎn)超過2009年2.9%。

在IC 制造業(yè)部分，預(yù)估2010Q3臺(tái)灣IC制造業(yè)產(chǎn)值達(dá)2,290億新臺(tái)幣，較2010Q2成長(zhǎng)5.2%。由于2010年上半年的基期已高，加上去年第三季起陸續(xù)回升到金融風(fēng)暴前的產(chǎn)值水準(zhǔn)，將使得2010年下半年臺(tái)灣IC制造業(yè)的季成本及年成長(zhǎng)都將呈現(xiàn)趨勢(shì)的走勢(shì)。第三、四季仍將會(huì)是傳統(tǒng)旺季，預(yù)期未來在終端3C產(chǎn)品的需求帶動(dòng)下，2010年產(chǎn)值達(dá)新臺(tái)幣8,698億元，年成長(zhǎng)將達(dá)50.8%。

最后，在IC封測(cè)業(yè)部分，預(yù)估2010Q3封測(cè)業(yè)進(jìn)入傳統(tǒng)旺季，但上半年基期已墊高，封裝及測(cè)試業(yè)營(yíng)收分別較2010Q2成長(zhǎng)5.0%及6.2%。預(yù)估2010年封裝及測(cè)試業(yè)產(chǎn)值分別達(dá)新臺(tái)幣2,896億和1,306億元，年成長(zhǎng)為45.1%和49.1%。