面對韓國三星切入晶圓代工市場且不斷挑釁，臺積電昨（3）日開放媒體參觀南科14廠（Fab 14）時，首度打破沈默，強調(diào)南科14廠已建置四座12寸晶圓廠，正緊鑼密鼓興建的有三座，隨便一座都能打贏三星。
臺積電近來面臨強敵三星和半導(dǎo)體龍頭英特爾切入晶圓代工競爭，加上格羅方德和聯(lián)電等在28納米制程也迎頭趕上，分食臺積電部分客戶，臺積電前有強敵、后有追兵。臺積電昨天在外資法人買超2.52萬張力挺下，上漲2元，以105元作收，ADR早盤同步上漲1.6%。

臺積電為向競爭對手、客戶展現(xiàn)技術(shù)實力，昨天特別安排國內(nèi)外媒體參觀南科14廠，而且首度開放媒體進入核心無塵室和正在趕工的超大型旗艦廠，和勁敵拚場意味濃。

臺積電企業(yè)訊息處長暨法人關(guān)系處長孫又文首度證實即將導(dǎo)入20納米制程的南科14廠第五期工程（P5），在今年第2季開始裝機后，即將于年底進行最后試產(chǎn)階段的風(fēng)險生產(chǎn)，預(yù)定明年2月量產(chǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先競爭對手。緊接著第六工程也預(yù)定在明年元月完工，明年投入量產(chǎn)，創(chuàng)下臺積電有史以來最短的裝機時程。

臺積電南科Fab 14廠是20、16納米產(chǎn)能的重鎮(zhèn)。Fab 14廠目前已完成P1~P4四座12寸晶圓廠，正緊鑼密鼓興建P5~P7三座12寸晶圓廠。

其中，P1~P4月投片量已達20萬片，已成為單一廠區(qū)全球最大12晶圓廠；而正興建中的P5~P7，生產(chǎn)規(guī)模比前四座更大，潔凈室面積更是前面幾座的2.5倍大，被堪稱為全球最大的超大型12寸晶圓廠，這三座廠房共占地55萬平方米，比中科超大晶圓廠的40萬平方米更大。

由于七座12寸晶圓廠均采高度自動化，以及臺積電引以自豪的節(jié)能和廢水回收系統(tǒng)，讓臺積電回嗆對手三星，隨便一座都能打贏三星。

臺積電也不只靠產(chǎn)能大就取得晶圓代工龍頭地位。孫又文表示，去年十幾家主要客戶加計臺積電的總研發(fā)支出金額達到135.64億美元，超越三星的102.38億美元，及英特爾的101.48億美元。

孫又文強調(diào)，臺積電不與客戶競爭，與客戶共同追求成功，除了未來持續(xù)推進至20納米及16 納米FinFET先進制程，臺積電挾全球最大的IP智庫、最快的交期及最大的產(chǎn)能支持，未來又以結(jié)合設(shè)備、自動工具、矽智財?shù)葟S商形成「大同盟」，絕對有實力持續(xù)保持領(lǐng)先。



圖／經(jīng)濟日報提供
20納米 非過渡制程

臺積電企業(yè)訊息處長暨法人關(guān)系處長孫又文昨（3）日強調(diào)，20納米制程壽命不會只有一年，前兩年出貨量將與28納米量產(chǎn)的前兩年相當(dāng)。臺積電20納米制程預(yù)定明年量產(chǎn)，緊接著16納米也將于明年第4季試產(chǎn)，法人憂心，20納米制程恐成為過渡制程，孫又文的說法澄清外界疑慮。

孫又文表示，臺積電20納米和16納米制程設(shè)備，有95%幾乎相同，兩者制程技術(shù)的最大差距，是在晶體管（Transistor ）的結(jié)構(gòu)上，從Planar轉(zhuǎn)換成FinFET（鰭式場效電芯片），而且臺積電當(dāng)初投資計劃，就是把20納米和16納米視為一整個計畫，先建立20納米量產(chǎn)技術(shù)后，可以縮短16納米量產(chǎn)的學(xué)習(xí)曲線。她并強調(diào)，臺積電其實兩年前就開始投入20納米制程，而16 納米制程是20納米的延伸，這中間已有很長的學(xué)習(xí)曲線。

例如從20納米開始，臺積電就能夠針對雙重曝光（double-patterning）技術(shù)提早練兵，進入16納米唯一的改變只有晶體管結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換，這也是臺積電能在今年底進行最后試產(chǎn)階段的風(fēng)險生產(chǎn)，相對競爭對手三星到目前都還只是計畫，未見任何試產(chǎn)前的準(zhǔn)備，預(yù)料臺積電的16納米制程，絕對會比對手來的穩(wěn)健、可靠。