設(shè)備大廠美商科磊（KLA Tencor）昨（21）日在新竹舉行科技論壇，并發(fā)表新一代晶圓缺陷檢測系列設(shè)備及新技術(shù)?？评跔I銷長Brian Trafas表示，由半導(dǎo)體主流制程的微縮轉(zhuǎn)換趨勢來看，電子束檢測并無法取代光學(xué)檢測，尤其晶圓廠在要求提升先進制程良率之際，也要同步放大投片產(chǎn)能，電子束缺陷檢測設(shè)備支持的產(chǎn)出速度太慢，短期內(nèi)仍無法與光學(xué)檢測設(shè)備相抗衡。

雖然電子束晶圓缺陷檢測技術(shù)當(dāng)紅，臺灣設(shè)備廠漢微科及科磊已在電子束檢測設(shè)備市場上短兵相接，但因科磊擁有光學(xué)檢測的技術(shù)支持，Brian Trafas認(rèn)為，只有結(jié)合光學(xué)及電子束檢測技術(shù)，才有辦法協(xié)助晶圓廠在最短時間內(nèi)完成制程良率提升及拉高產(chǎn)能，如科磊的新一代晶圓缺陷檢測設(shè)備已獲臺積電及聯(lián)電采用。

Brian Trafas表示，行動裝置對于低功耗及先進半導(dǎo)體制程的需求十分強勁，包括臺積電在內(nèi)的半導(dǎo)體大廠，已開始跨入20納米以下先進制程，且隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)由2D轉(zhuǎn)進3D世代后，3D存儲器或鰭式場效晶體管（FinFET）、多重曝影（double patterning）微影等技術(shù)將是未來主流，在制程持續(xù)微縮的此刻，晶圓缺陷檢測的難度更高，因此需要更有效率的設(shè)備支持。

Brian Trafas指出，晶圓缺陷檢測可分為光學(xué)及電子束兩大類，其中光學(xué)檢測還包括了寬頻電漿（Broadband Plasma）及雷射散射（Laser Scatter）等制程。雖然電子束檢測技術(shù)近期受到業(yè)界及市場矚目，但要在產(chǎn)能龐大且生產(chǎn)很多不同產(chǎn)品的晶圓廠中，只單純使用電子束檢測設(shè)備，將因檢測速度不夠快，進而影響到晶圓廠的產(chǎn)出（through put）速度?？评谂_灣分公司總經(jīng)理張水榮表示，電子束檢測速度不夠快，無法支持晶圓廠投片量產(chǎn)速度，所以光學(xué)檢測設(shè)備仍是未來幾年的主流。