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[導讀]先進半導體光刻技術領域的領導商 Molecular Imprints, Inc. (簡稱MII)18日宣布交付業(yè)界首款能夠?qū)崿F(xiàn)450mm 硅晶圓基底圖案成形的先進光刻平臺。該產(chǎn)品目前被用于支450mm晶圓工藝開發(fā)需求,有望促進半導體行業(yè)向低成

先進半導體光刻技術領域的領導商 Molecular Imprints, Inc. (簡稱MII)18日宣布交付業(yè)界首款能夠?qū)崿F(xiàn)450mm 硅晶圓基底圖案成形的先進光刻平臺。該產(chǎn)品目前被用于支450mm晶圓工藝開發(fā)需求,有望促進半導體行業(yè)向低成本450mm晶圓生產(chǎn)的轉型。
mprio? 450于2012年年底獲得了一家領先半導體生產(chǎn)商的認可,根據(jù)該公司與這家生產(chǎn)商簽訂的多年期晶圓服務合同。英特爾公司技術制造工程部門 (TME) 企業(yè)副總裁兼總經(jīng)理 Robert E. Bruck 于2013年1月14日在加州半月灣舉辦的國際半導體設備與材料協(xié)會 (SEMI) 行業(yè)戰(zhàn)略研討會上對完全圖案化的450mm 晶圓進行了演示。
Molecular Imprints 總裁兼首席執(zhí)行官 Mark Melliar-Smith 表示:“半導體設備生產(chǎn)商必須盡早獲得完全圖案化的高品質(zhì)450mm 晶圓,以便及時開發(fā)和優(yōu)化他們的產(chǎn)品與工藝,為行業(yè)轉型做好準備。我們專有的 Jet and Flash? 壓印光刻 (J-FIL?) 技術是當今市場上唯一一項光刻解決方案,具備半導體行業(yè)向450mm 晶圓批量生產(chǎn)轉型所需的性能。該公司的 J-FIL? 技術已經(jīng)展示了24納米圖案結構,其刻線邊緣粗糙度小于2納米(3西格瑪),臨界尺寸均勻性為1.2納米(3西格瑪),可使用簡單的單一圖案工藝擴展至10納米。Imprio? 450平臺擁有新的通用型基底卡盤設計,可實現(xiàn)300mm 和450mm 晶圓的無中斷處理。有了這項先進的光刻技術來支持這項全球性計劃,半導體行業(yè)有望提前兩年實現(xiàn)向450mm 晶圓生產(chǎn)的轉型。隨著價值幾十億美元的多年期光刻開發(fā)計劃成為一種行業(yè)標準,我們能夠在收到客戶訂單后的僅一年時間內(nèi)完成先進納米壓印平臺的設計、建造和交付。在這里,我想特別感謝幫助我們?nèi)〉镁薮蟪删偷?Molecular Imprints 團隊以及我們的半導體客戶和供應鏈廠商?!?br> J-FIL 避免了功率受限的遠紫外線 (EUV) 光源、復雜的光學透鏡和鏡面以及利用超靈敏光致抗蝕劑讓圖案成形的難度,這些固有的擁有成本優(yōu)勢使其非常適合用于半導體存儲器的制造。這款新型 450mm 圖案成形系統(tǒng)已被認可,再加上該公司近期獲得了一份包含多個壓印模板的采購訂單,這些都體現(xiàn)了 Molecular Imprints 在將 J-FIL 技術整合進先進 CMOS 設備的批量生產(chǎn)方面所取得的巨大進步。(責編:Anna)



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