王端強(qiáng)調(diào)，一旦三星因應(yīng)市場(chǎng)潮流轉(zhuǎn)攻后閘極，不免要投入大量資金與人力改造廠房與晶圓布局，在晶片量產(chǎn)成本與時(shí)程方面將落后臺(tái)積電等主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，促使既有的大客戶蘋(píng)果琵琶別抱。

事實(shí)上，除英特爾(Intel)自45奈米制程以后即力挺后閘極技術(shù)外，包括臺(tái)積電、聯(lián)電等一線晶圓代工大廠，均已表態(tài)在28、20奈米制程世代加入該技術(shù)推廣行列。至于格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)原本在28奈米制程強(qiáng)打前閘極，并宣稱(chēng)可提供更出色的功耗表現(xiàn)，但后來(lái)也轉(zhuǎn)而跟進(jìn)，并將于20奈米世代轉(zhuǎn)用后閘極。現(xiàn)階段，僅剩三星尚未傳出轉(zhuǎn)換消息，仍維持前閘極制造方案。

目前，臺(tái)積電的后閘極28奈米高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)制程，已成功進(jìn)入大量生產(chǎn)階段，技術(shù)居于領(lǐng)先地位；同時(shí)，該公司今年也一再調(diào)高資本支出，大手筆擴(kuò)充28、 20奈米產(chǎn)能，大幅增強(qiáng)接單能力。

據(jù)了解，后閘極與前閘極系實(shí)現(xiàn)HKMG結(jié)構(gòu)電晶體的兩大技術(shù)流派，差別在于安排矽晶片漏/源區(qū)離子注入、高溫退火和金屬閘極形成等步驟的先后順序。其中，后閘極先完成前兩項(xiàng)步驟后，再進(jìn)行金屬閘極形成；雖制程設(shè)備與技術(shù)要求較復(fù)雜，但可使閘極不易受到熱的影響，且能有效控制電晶體的臨界電壓，從而因應(yīng)低功耗到高效能應(yīng)用的全方位晶片開(kāi)發(fā)計(jì)劃。

除后閘極制程帶來(lái)的各種優(yōu)點(diǎn)，可望促使蘋(píng)果轉(zhuǎn)單外，王端也強(qiáng)調(diào)，蘋(píng)果與三星之間的專(zhuān)利戰(zhàn)火持續(xù)延燒，且三星在高階智慧型手機(jī)市場(chǎng)的占有率迅速爬升，亦為蘋(píng)果帶來(lái)更大威脅，預(yù)估兩家公司未來(lái)的合作關(guān)系將逐漸淡化。

王端認(rèn)為，蘋(píng)果每年重砸20幾億美元，委由三星操刀的處理器制造業(yè)務(wù)，勢(shì)將積極尋求其他晶圓代工合作對(duì)象，避免承擔(dān)過(guò)高的投資風(fēng)險(xiǎn)。屆時(shí)，技術(shù)、產(chǎn)能雙雙居于市場(chǎng)領(lǐng)先地位的臺(tái)積電，將更有勝出機(jī)會(huì)。