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[導讀]6月7日應用材料公司宣布推出半導體業(yè)界最先進的單硅片大電流離子注入系統(tǒng),即全新的Applied Varian VIISta? Trident系統(tǒng)。通過嵌入“摻雜物”原子以調整芯片電性能,新型VIISta Trident系統(tǒng)是唯一一臺被證明能夠確保

6月7日應用材料公司宣布推出半導體業(yè)界最先進的單硅片大電流離子注入系統(tǒng),即全新的Applied Varian VIISta? Trident系統(tǒng)。通過嵌入“摻雜物”原子以調整芯片電性能,新型VIISta Trident系統(tǒng)是唯一一臺被證明能夠確保成品率,在20納米技術節(jié)點實現(xiàn)高性能低功耗邏輯芯片制造的離子注入系統(tǒng)。

在20納米技術節(jié)點,優(yōu)化摻雜物激活和減少擴展、源/漏結及接觸區(qū)域的缺陷,成為阻礙高性能晶體管微縮化的重大挑戰(zhàn)。VIISta Trident系統(tǒng)具有準確調整摻雜物濃度和深度分布的獨特能力,對于先進器件的優(yōu)化性能、控制漏電流和降低可變性至關重要。

應用材料公司副總裁兼維利安產品事業(yè)部總經理Bob Halliday表示:“制造一枚常規(guī)先進邏輯芯片需要多達60個離子注入步驟,包括共同離子注入和精密材料改性應用,其中很多步驟對器件的性能至關重要。我們VIISta Trident技術的精準度是幫助客戶實現(xiàn)尖端芯片設計可盈利成品率的關鍵。這一標桿性性能鞏固了應用材料公司在為客戶提供最先進晶體管制造解決方案方面的領導地位。如今,所有制造20納米芯片的主要代工廠都在將我們的VIISta Trident系統(tǒng)作為首選設備使用?!?/p>

Trident系統(tǒng)性能優(yōu)越的關鍵在于其具有專利的雙磁體帶狀光束架構,實現(xiàn)了增強型低能量性能。該系統(tǒng)的能量純度模塊幾乎消除了會“玷污”關鍵晶體管通道并導致漏電流增加、性能降低的有害高能量成分。

相匹配的低溫技術可實現(xiàn)低至零下100°C的制造注入,提供晶體管間性能一致的卓越工藝控制。這對于制造在位緩沖存儲器中的嵌入式SRAM單元尤其重要,在此,構成每個單元的6個或8個晶體管必須精確一致,才能在低工作電壓下實現(xiàn)移動計算所需的可靠切換。

欲了解應用材料公司Varian VIISta Trident系統(tǒng)更多的技術細節(jié),請訪問www.appliedmaterials.com/technologies/library/varian-viista-trident。

Trident系統(tǒng)是應用材料公司在SEMICON West 2012(將于2012年7月10-12日在美國加利福尼亞州舊金山舉辦)上宣布推出的諸多重要技術之一。更多信息可通過登陸應用材料公司的在線展臺www.becauseinnovationmatters.com獲得,該網站將會在展會之前及期間實時更新。

應用材料公司(納斯達克:AMAT)是一家全球領先的高科技企業(yè)。應用材料的創(chuàng)新設備、服務和軟件被廣泛應用于先進半導體芯片、平板顯示器和太陽能光伏產品制造產業(yè)。我們的技術使智能手機、平板電視和太陽能面板等創(chuàng)新產品以更普及、更具價格優(yōu)勢的方式惠及全球商界和普通消費者。在應用材料,我們應用今天的創(chuàng)新去成就明天的產業(yè)。欲了解更多信息,請訪問:www.appliedmaterials.com。



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