臺積電與日本IDM廠瑞薩電子（Renesas）昨（28）日共同宣布，雙方已經簽署協(xié)議，擴大在微控制器（MCU）技術方面的合作至40奈米嵌入式快閃記憶體（eFlash ）制程，以生產應用于下一世代汽車以及家電等消費性產品的微控制器。
至于瑞薩是否出售鶴岡12吋廠予臺積電，雙方仍不予評論。而瑞薩對于外傳可能進行超過1萬名員工大規(guī)模裁員消息，則表示組織改革是必須進行的事，但目前為止并無決定任何具體計畫。
瑞薩是在去年底與臺積電達成90奈米合作協(xié)議，瑞薩將采用臺積電90奈米嵌入式快閃記憶體制程生產微控制器，此次則延伸合作內容，未來瑞薩將委托臺積電生產40奈米微控制器，至于28奈米制程則列為未來的合作方向。
此外，瑞薩及臺積電也決定建立MCU平臺與制造所需的先進技術，結合瑞薩電子支援高可靠性以及高速優(yōu)勢的金屬氧化氮氧化矽（MONOS）制程技術，以及臺積電先進的互補金屬氧化物半導體（CMOS）制程及靈活的產能調度，未來臺積電除了替瑞薩代工，也將可利用授權方式，提供MONOS制程平臺給其它IC設計廠或IDM廠使用。
瑞薩去年底成功開發(fā)的40奈米MCU晶片，已經在瑞薩那珂12吋廠中試產，目前制程尚未與臺積電CMOS制程整合，不過，在雙方達成合作協(xié)議后，瑞薩及臺積電將開始進行制程整合，未來瑞薩MCU晶片除了在自有晶圓廠生產，也將委由臺積電在竹科12吋廠Fab12中生產。
瑞薩MCU事業(yè)本部長巖元伸一表示，根據去年歷經日本大地震沖擊多條生產線與客戶業(yè)務之后所學習到的經驗，瑞薩已經加快晶圓廠網路（Fab Network）的布建，成為公司營運持續(xù)計畫（BCP）之中的一環(huán)。
而藉由此次的合作，雙方也有共識，將建造一個能夠為客戶穩(wěn)定供貨的架構，瑞薩身為微控制器市場的領導廠商，亦將推動市場成長，為MCU打造一個設計生態(tài)環(huán)境。
根據瑞薩以及臺積電間的協(xié)議，采用90奈米嵌入式快閃記憶體制程MCU將在明年量產，40奈米MCU在2014年量產，而瑞薩總產能的委外代工比重，也將由去年的15％，至2016年增加一倍至30％。