“STS Satellite Session DFM”剛開始后的會場攝影：Tech-On!。（點擊放大）
在“SEMICON Japan 2011”（幕張Messe會展中心）的最后一天12月9日，作為“SEMI技術研討會（STS） 2011”的30周年策劃之一，舉辦了“STS Satellite Session DFM”會議。會議的主題是“便于制造和提高生產效率的芯片設計、工藝設計及制造設計”。

STS是從2006年開始舉辦以DFM為主題的會議的。筆者前年和去年參加的會議是在幕張Messe會展中心國際會場舉行的有償會議。而此次是為吸引廣泛的聽眾而在展示會場（1號廳）的主場地舉行的免費會議。在會議開幕幾天前，web網站就貼出了座位已滿的通知，現(xiàn)場也是入座8成左右。免費會議的上座率一般為6～7成，所以說這次會議的上座率不錯。

DFM（design for manufacturability）可謂是在LSI開發(fā)中為實現(xiàn)利益最大化而優(yōu)化設計與制造關系的嘗試。在制造工藝不太微細的時代，即使設計方與制造方不太交流信息，也不會出問題。但隨著微細化的發(fā)展，尤其設計規(guī)則突破100nm以后，越來越難以按照設計（掩模布線設計）進行制造，兩者之間要交流的信息不斷增加。

在此次會議上，東芝的小林幸子第一個登臺演講，據小林介紹，信息交流本身進行得很順利。不過，該由設計方和制造方哪一方來負責解決問題則難以敲定。比如，設計方抱怨說“無法考慮那么多制造方面的事情”。因為考慮越多，成本和設計時間就增加得越多。而如果不考慮，制造方就會抱怨“這種設計，成品率無法提高”。

設計與制造的平衡點因企業(yè)和LSI品種而異，很難找到通用的最佳平衡點。可能因為這個原因，在小林之后上臺演講的不是在日本半導體廠商從事開發(fā)的工程師。據東芝的佐藤介紹，這次擴大了DFM的定義，特別邀請了演講者。

第二位演講者是日本產業(yè)技術綜合研究所的門田和也。門田從事計算機光刻（曝光工藝的模擬）的研究，介紹了將該技術應用于SRAM的結果等。據門田介紹，在16nm工藝之前，六個FinFET的SRAM單元即使沒有二次圖形也可以進行ArF液浸曝光。另外，還有報告顯示，計算機光刻采用GPU（graphical processing unit）之后，速度比使用微處理器時提高了25倍。

第三位演講者是TSMC日本的石原宏。石原介紹了TSMC針對DFM的舉措。TSMC從很早以前就開始從事DFM，比如，TSMC的參考流程從2005年的“5.0”開始采用DFM。后來的參考流程也把DFM作為最重要的關鍵詞。參考流程中包括各種EDA工具，而此次石原著重介紹的是28nm工藝使用的“Unified DFM引擎”。

該引擎是TSMC自主開發(fā)的DFM驗證用算法，已嵌入主要EDA供應商的產品中。以前，EDA供應商各自使用獨立的算法，但因誤差大，TSMC才親自開發(fā)算法，并提供給多家EDA供應商。通過結合基于規(guī)則的方法和基于模擬（模型）的方法，兼顧了精度和處理時間。

最后一位演講者是日本筑波大學的有馬澄佳。有馬原本打算介紹APC（advanced process control）與DFM的結合，但“因例子少，無法介紹”（有馬），所以有馬最終介紹了半導體廠商的經營等。比如，介紹了美國英特爾、美國Xilinx、臺灣TSMC成功的原因以及爾必達存儲器（初期）和瑞薩電子發(fā)展不順利的分析結果等。

不過，由于成功企業(yè)和不成功企業(yè)的前提條件不同，因此說服力不夠充分。讓脫離了開發(fā)尖端工藝的瑞薩今后變成英特爾是無稽之談。筆者更希望演講者能夠介紹無廠企業(yè)美國高通的成功原因，討論瑞薩能否趕上高通等內容。（記者：小島 郁太郎，Tech-On?。?