美國(guó)應(yīng)用材料公司（AMAT）開(kāi)發(fā)出了邏輯IC等使用的銅（Cu）布線低介電率（low-k）層間絕緣膜的表面改質(zhì)處理裝置“Applied Producer Onyx”。該裝置將參展“Semicon Japan 2011”（2011年12月7～9日，幕張Messe會(huì)展中心）。

據(jù)AMAT介紹，邏輯IC中布線耗電量占總耗電量的1/3左右，因此削減布線耗電量是提高尖端邏輯IC性能、延長(zhǎng)電池驅(qū)動(dòng)時(shí)間的關(guān)鍵。要想提高性能和延長(zhǎng)電池驅(qū)動(dòng)時(shí)間，就需要削減伴隨布線微細(xì)化而增加的布線電阻和布線容量。其中，為削減布線容量，AMAT一直在推進(jìn)層間絕緣膜的low-k化。此時(shí)遇到的問(wèn)題是，即使在層間絕緣膜中使用low-k材料，由于旨在形成通孔和布線溝道的蝕刻以及布線嵌入后的CMP（化學(xué)機(jī)械研磨）影響，表面構(gòu)成會(huì)發(fā)生變化，表面附近的介電常數(shù)也會(huì)增加。而且微細(xì)化得到推進(jìn)后，該問(wèn)題的影響會(huì)相對(duì)增大，因此在22nm工藝以后將是一個(gè)更為重要的問(wèn)題。此次裝置就是為了解決這個(gè)問(wèn)題而開(kāi)發(fā)的。

AMAT此次開(kāi)發(fā)出了改善low-k膜表面膜質(zhì)的技術(shù)。在層間膜表面的氧（O）-氫（H）鍵結(jié)部分加入硅（Si）-碳（C）鍵結(jié)。據(jù)AMAT介紹，由此可實(shí)現(xiàn)20％左右的low-k化，從而能將布線的耗電量削減10％。另外，采用此次技術(shù)還有望提高層間絕緣膜的機(jī)械強(qiáng)度，作為在布線技術(shù)領(lǐng)域近年愈發(fā)受到關(guān)注的CPI（Chip-Package Interaction，芯片-封裝相互作用）問(wèn)題解決對(duì)策，此次技術(shù)也可有效發(fā)揮作用（參閱本站報(bào)道）。而且，此次開(kāi)發(fā)的裝置“已有多臺(tái)用于試產(chǎn)先進(jìn)邏輯器件”（該公司，英文發(fā)布資料）。（記者：長(zhǎng)廣 恭明，Tech-On?。?br>