設備大廠志圣工業(yè)在2011年臺灣半導體展中將針對3D IC Interposer干式制程，展示創(chuàng)新晶圓壓膜機，以迎合未來的3D IC時代潮流。志圣表示，透過在IC載板的真空壓膜技術，將其運用在半導體制程，使晶圓光阻制程中有更好的良率，節(jié)省成本，并縮短3分之1的生產時間，在矽中介層(Si-Interposer)制程中可適用于成型(Molding)、重布線(RDL)及非導電膠膜(NCF)等，可有效簡化多道制程。


志圣的壓膜設備量產至今已銷售超過1,000臺以上，該公司將于半導體展中，針對3DIC矽中介層的干式制程，展出全新自動晶圓壓膜機。志圣
由于終端產品趨勢走向輕薄短小，晶片封裝需要縮小體積尺寸，并且講究多功能整合需求，因此3D IC制程格外重要。隨著3D封裝技術發(fā)展，品質與成本問題成為產品能否大量進入商業(yè)化的關鍵，因此矽中介層成為關鍵制程，確保制程中的矽中介層晶圓良率便相形重要。

志圣將于7~9日在臺灣半導體展中，展示全新的真空晶圓壓膜機及電漿蝕刻機設備。志圣表示，真空晶圓壓膜機在矽中介層制程及相關重新布線(RDL)技術上，可以發(fā)揮極佳的功能。在矽中介層制程中，晶圓壓膜機可以完成應用于以下工序，包括以干膜替代原有的濕膜光阻(Photo Risist)功能；在UBM的工序中，以干膜做為光阻功能；在成型工序中，以干膜取代環(huán)氧樹脂；在RDL工序中，以干膜取代濕式涂布；在底部填充(underfill)工序中，以干膜取代濕膠。另外，在矽中介層制程后的覆晶封裝、基板黏合IC的工序中，志圣真空壓膜機可以導入NCF制程中，進而減少工序及增加良率的創(chuàng)新制程工法。

志圣指出，3D IC的干式制程可以比濕制程快3倍的原因，在于干式壓膜可以將干膜裁切得比晶圓小，在壓膜后不必再做裁切邊緣的制程，省去晶邊清洗(EBR)的制程及時間，減少一個制程工序，也降低產生不良品的機率。

此外，志圣運用高階的吸真空后再壓膜的技術與流程，讓干膜與晶圓間完全沒有空隙，不會因滾輪壓膜所產生空隙及氣泡的不良，亦解決使用晶圓對晶圓(WTW)黏合機的溢膠和較長制程時間等問題產生。