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[導(dǎo)讀]臺(tái)灣新竹, 2011年8月30日 /美通社-PR Newswire/ -- 領(lǐng)先的全球半導(dǎo)體生產(chǎn)商聯(lián)華電子股份有限公司 (簡(jiǎn)稱「聯(lián)華電子」(UMC))今天宣布,在 eEEPROM(嵌入式可電刪可程式設(shè)計(jì)唯讀記憶體)解決方案研發(fā)上已有突破性進(jìn)展

臺(tái)灣新竹, 2011年8月30日 /美通社-PR Newswire/ -- 領(lǐng)先的全球半導(dǎo)體生產(chǎn)商聯(lián)華電子股份有限公司 (簡(jiǎn)稱「聯(lián)華電子」(UMC))今天宣布,在 eEEPROM嵌入式可電刪可程式設(shè)計(jì)唯讀記憶體)解決方案研發(fā)上已有突破性進(jìn)展,將推出 I/O 電壓范圍為1.8V-5V,寫入抹除耐久性為一百萬(wàn)次的解決方案。此技術(shù)為該晶圓廠多年來(lái)致力于 eEEPROM 開發(fā)的重要里程碑。嵌入式 EEPROM 可應(yīng)用于銀行金融卡、智慧卡、身分識(shí)別卡以及微控制器等產(chǎn)品。

聯(lián)華電子 eEEPROM 的1.8V-5V I/O 電壓范圍,在延長(zhǎng)掌上型應(yīng)用產(chǎn)品電池壽命上,擁有優(yōu)異的表現(xiàn)。標(biāo)準(zhǔn)的2.5V/3.3V 或1.8V/3.3V 輸入電壓,需要雙元件與電壓調(diào)整器,才能達(dá)到這些固定電壓以外的范圍。而聯(lián)華電子尖端的 eEEPROM 解決方案,則僅需單一元件,且不需要額外的電路,即可提供1.8V-5V 可變電壓范圍。此高彈性高效率的系統(tǒng)單晶片制程,可同時(shí)兼具更小尺寸與更長(zhǎng)電池壽命的兩項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。

而在耐久性方面,除了標(biāo)準(zhǔn)的十萬(wàn)次之外,聯(lián)華電子現(xiàn)提供一百萬(wàn)次寫入抹除回圈,作為 eEEPROM 解決方案的另一選擇。藉由此一高效能技術(shù),聯(lián)華電子客戶將可推出能大幅延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命的高可靠度嵌入式記憶體元件。

「eEEPROM 是個(gè)挑戰(zhàn)性十足的技術(shù),而我們?cè)诖祟I(lǐng)域的優(yōu)越表現(xiàn),彰顯了聯(lián)華電子在特殊技術(shù)上對(duì)客戶的承諾,致力于提供客戶一系列創(chuàng)新、高效能、尺寸更小的解決方案,」聯(lián)華電子特殊技術(shù)開發(fā)處陳立哲資深處長(zhǎng)表示:「在延長(zhǎng)電池壽命及寫入抹除回圈次數(shù)上,聯(lián)華電子很高興能有此長(zhǎng)足進(jìn)步,可協(xié)助客戶滿足現(xiàn)今尖端應(yīng)用產(chǎn)品之多元化與高標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)需求?!?

聯(lián)華電子的 eEEPROM 技術(shù)目前已于0.35微米與0.25微米制程量產(chǎn),并于0.18微米制程試產(chǎn)。0.11微米制程正在研發(fā)中,預(yù)計(jì)于明年初推出。基礎(chǔ)智慧財(cái)產(chǎn)權(quán),例如 eEEPROM macros、標(biāo)準(zhǔn)元件資料庫(kù)與 SRAM,皆包含于此解決方案中,使客戶得以優(yōu)化其微系統(tǒng)設(shè)計(jì)并加速設(shè)計(jì)導(dǎo)入。

消息來(lái)源 聯(lián)華電子股份有限公司



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