英飛凌(Infineon)12日宣布，以1.006億歐元收購奇夢達(Qimonda)位于德國德勒斯登的12寸晶圓廠，進行策略性產(chǎn)能擴張，成為繼德州儀器(TI)后，第二家以12寸晶圓生產(chǎn)類比晶片的半導體公司，除可進一步強化英飛凌在功率半導體市場的地位外，亦為迎戰(zhàn)德州儀器凌厲的攻勢做好準備。

英飛凌亞太區(qū)總裁暨執(zhí)行董事張仰學表示，該公司將視市場需求狀況來規(guī)畫12寸晶圓產(chǎn)能上線時間。
透過取得該12寸晶圓制造設備，英飛凌為將來12寸功率半導體的量產(chǎn)潛能奠定重要的基礎。英飛凌亞太區(qū)總裁暨執(zhí)行董事張仰學表示，自金融海嘯漸遠離起，英飛凌即已開始投入12寸晶圓量產(chǎn)的布局，目前相關研發(fā)工作正緊鑼密鼓展開，一旦正式導入12寸晶圓生產(chǎn)，將可為英飛凌增加大量的額外產(chǎn)能，對該公司在功率半導體市場的發(fā)展將有莫大助益。

事實上，英飛凌正致力于12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計劃，針對以薄晶圓技術(shù)生產(chǎn)12寸晶圓功率半導體進行評估。為此，該公司已在位于奧地利菲拉赫(Villach)的工廠架設試產(chǎn)線。而本次購置的部分機器，將加入該試產(chǎn)線陣容。英飛凌計劃于今年會計年度內(nèi)決定12寸晶圓的量產(chǎn)時間和制造基地。

據(jù)了解，英飛凌在奧地利展開的12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)工作，主要將用于超接合(Super Junction)技術(shù)的金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)等功率半導體元件的生產(chǎn)。根據(jù)Yole Développement今年3月公布的研究資料顯示，未來5年，超接合MOSFET市場的年復合成長率(CAGR)將高達13%，而英飛凌目前以57%的占有率位居市場龍頭，意法半導體(ST)則以31%的市占緊追在后，而東芝(Toshiba)、快捷(Fairchild)、威世(Vishay)等業(yè)者也看好未來市場成長潛力，急起直追。

此外，近來在類比晶片市場攻勢不斷的德州儀器，亦將功率半導體視為其首要搶攻市場，除積極厚實產(chǎn)品組合與銷售陣容外，今年初新上線的成都8寸晶圓廠也全面投入MOSFET產(chǎn)品量產(chǎn)，讓英飛凌、意法半導體等功率半導體大廠猶如芒刺在背。因此，不少市場人士咸認為，英飛凌加碼12寸晶圓廠，除產(chǎn)能擴張考量外，亦是防堵德州儀器在功率半導體市場坐大的關鍵布局。

為因應市場對MOSFET持續(xù)強勁的需求，英飛凌已準備將2011會計年度的資本支出預算從約7億歐元增加到8.5億歐元，以完成此項交易及未來產(chǎn)能擴充計劃。