本周在奧斯汀由美國半導體制造技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟(Sematech)牽頭舉辦的表面制備與清潔技術(shù)大會(SPCC:Surface Preparation and Cleaning Conference)上,與會者紛紛表示EUV光刻技術(shù)的發(fā)展對EUV有關(guān)的量測技術(shù)以及掩膜清潔技術(shù)已經(jīng)提出了更高的要求，因此需要考慮采用新的技術(shù)來處理EUV掩膜坯(mask blank:即尚未刻出圖像的掩膜板坯)，以及EUV掩膜版（patterned mask：即已刻制出圖像的掩膜板）上的顆粒沾污。



除了有關(guān)技術(shù)問題的討論之外，各廠商在投資回報率方面的擔憂也表現(xiàn)的比較明顯。目前，只有少數(shù)半導體廠商愿意使用EUV光刻技術(shù)，因此參加此次SPCC會議的相關(guān)廠商普遍擔憂用于開發(fā)新型掩膜清潔技術(shù)及其裝置的資金投入恐怕會出現(xiàn)入不敷出的情況。

別的不說，光是供研究用EUV掩膜襯底的價格就高的驚人，一位廠商代表透露：“為了進行掩膜清潔技術(shù)的研究，單是購買一片EUV掩膜板襯底的資金就有可能達到10萬美元。所以目前我們很糾結(jié)于如何獲得足夠的資金投資。”

Sematech組織的掩膜清潔技術(shù)工程師Aron Cepler表示，Sematech組織的EUV掩膜清潔技術(shù)研發(fā)小組目前獲取試驗用掩膜坯的方法是，從包括Sematech組織成員公司在內(nèi)的各種來源處索取剩余不用的掩膜坯，不過通過如此途徑獲取的數(shù)量非常有限，而且報廢的速度也很快。

由于市面上的EUV掩膜板廠商數(shù)量相對較少，加上EUV檢測用裝備價格又十分昂貴，因此要獲取開發(fā)有關(guān)技術(shù)所需的資金，就必須通過與半導體芯片廠商聯(lián)營合作的形式來取得。Sematech組織的高管David Chan在SPCC大會上公布了由Sematech領(lǐng)導的EUV掩膜基建財團(EUV Mask Infrastructure (EMI) consortium)在技術(shù)研發(fā)方面取得的一些進展，EMI財團成立的目的是開發(fā)EUV掩膜板用檢測工具。目前Sematech在這方面的研究重點已經(jīng)轉(zhuǎn)向了與15nm半代制程以及8nm半代制程有關(guān)的研發(fā)。他表示：“我們需要使用無瑕疵的EUV掩膜板，但是如果你根本沒有辦法檢測到這些瑕疵，制程技術(shù)的開發(fā)便無法進行?！?br>
Sematech的目標是開發(fā)出一款名為AIMS的掩膜檢查用工具。Chan表示：“AIMS項目取得了相當?shù)倪M展，而有關(guān)的合作協(xié)議也已經(jīng)進入正式簽訂的階段。如果沒有AIMS，那么要實現(xiàn)量產(chǎn)化的EUV解決方案是不可能的。而由于該項目的研發(fā)周期(約3年)較長，因此必須優(yōu)先啟動?！?br>
另外，EMI組織還會分別為EUV掩膜坯和EUV掩膜板開發(fā)各自適用的檢測裝備，定于2013年啟動的16nm節(jié)點制程上的EUV光刻技術(shù)中，必須使用這些掩膜板。

Chan還表示，必須馬上開始研發(fā)尖端成像檢測技術(shù)，并稱這方面可以采用光化學類解決方案，也有可能采用包括電子束技術(shù)在內(nèi)的其它解決方案。

另外，Sematech還組織了另一個負責研發(fā)多射束掩膜刻寫技術(shù)的技術(shù)合作組織，Chan表示：“有關(guān)的項目正在討論中且取得了不少進展?！?br>
他還透露：”DRAM廠商希望能在2011年開始在試生產(chǎn)中啟用EUV光刻技術(shù)?！?br>
要滿足國際半導體技術(shù)發(fā)展路線圖(ITRS)對EUV光刻瑕疵率提出的既定要求，EUV掩膜清潔及顆粒沾污移除裝置需要具備能將18nm尺寸的顆粒污染移除的能力。然而，現(xiàn)有的大視場檢測工具只能檢測出比30nm稍小尺寸的顆粒污染，為此，Sematech組織換用了視場較小的掃描電子顯微技術(shù)來進行顆粒沾污的檢測。


顆粒沾污移除前后的掩膜圖像對比

Sematech組織的掩膜清潔技術(shù)工程師Aron Cepler在會上介紹了Sematech組織是如何通過調(diào)整顆粒沾污移除用電子束的劑量，來達到最佳顆粒沾污移除效率(particle removal efficiency (PRE))的方法.他透露，與顆粒的尺寸和成分相關(guān)，清潔顆粒沾污用的電子束曝光劑量存在一個臨界值，在這個臨界值以下，則無法成功移除這些顆粒沾污。

他還介紹了碳污染與SiO2/聚苯乙烯膠乳顆粒的附著性之間的關(guān)系。



他在會上表示，掩膜板上SiO2顆粒沾污的附著力可在8天的靜置期內(nèi)保持不變，而PSL顆粒沾污的附著力變化機制則有所不同。另外，會上還討論了EUV掩膜版的保護層(capping layer)分別使用2.5nm厚度的釕材質(zhì)保護層和2.5nm厚度TaNO保護層時顆粒沾污附著力的區(qū)別，研究結(jié)果顯示TaNO材質(zhì)保護層的顆粒沾污附著力更大。