盛美半導體（上海）有限公司日前在中國半導體國際展上發(fā)表了十二英寸單片兆聲波清洗設備的最新工藝，本工藝用于45nm技術及以下節(jié)點的十二英寸高端硅片清洗。盛美獨家具有自主知識產權的清洗技術可以去除數十納米超微小顆粒，同時使硅片表面的材料損失降到最低，并且不影響硅片表面的平整度。

隨著半導體芯片制造進入更小的技術節(jié)點，清洗技術的一大挑戰(zhàn)是在控制硅片表面的材料損失以及保護硅片表面平整度的前提下，做到最大限度的減少缺陷密度。當積成電路線寬越變越小，可影響硅片良率的顆粒也越來越小，而顆粒越小越難清洗。在硅片清洗時，如何避免微結構損傷也是一個很具挑戰(zhàn)的難題，這就造成了控制芯片良率的清洗工藝窗口越來越小。

盛美半導體設備公司的創(chuàng)始人、首席執(zhí)行官王暉博士說： “ 要攻克45納米及以下技術節(jié)點的清洗難關，一個理想的解決方案就是平衡物理力量和化學力量。我們的Ultra C單片清洗機是首次能憑借兆聲波與特定的稀釋化學液，清除數十納米微顆粒，并在客戶生產線上展現出了非凡的微顆粒清除效率與可觀的良率提升?！?/p>

盛美獨有的自主知識產權技術，“SAPS”（空間交變相移）技術 可以控制兆聲波能量在硅片面內以及硅片到硅片之間的非均勻度都小于2%。而目前在市面上的單片兆聲波清洗設備只能控制兆聲波能量非均勻度在10-20%。

盛美的十二英寸Ultra C單片清洗機是量產型設備，用于45納米及以下技術節(jié)點，可內置八個清洗腔體，每小時可加工250-350片硅片，兼容5種可循環(huán)利用的化學液體，多家亞洲客戶正在對該設備進行研發(fā)及生產評估。