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東芝公開集成有納米線晶體管的300mm晶圓

時(shí)間：2011-02-21 05:53:00

關(guān)鍵字：東芝晶體管晶圓集成

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[導(dǎo)讀]東芝展出的300mm晶圓（點(diǎn)擊放大）展板（點(diǎn)擊放大）東芝在“nano tech 2011國(guó)際納米科技綜合展及技術(shù)會(huì)議”（2011年2月16～18日，東京有明國(guó)際會(huì)展中心）上公開了集成有作為新一代邏輯LSI的基礎(chǔ)元件而備受期待

東芝展出的300mm晶圓（點(diǎn)擊放大）

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東芝在“nano tech 2011國(guó)際納米科技綜合展及技術(shù)會(huì)議”（2011年2月16～18日，東京有明國(guó)際會(huì)展中心）上公開了集成有作為新一代邏輯LSI的基礎(chǔ)元件而備受期待的納米線晶體管的300mm晶圓。這是一種有望以11nm以后工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的技術(shù)。

納米線晶體管具備將MOSFET的溝道設(shè)計(jì)成立體構(gòu)造后從3個(gè)方向由柵極電極圍起來(lái)的構(gòu)造。與現(xiàn)有的平面（Plane）構(gòu)造的MOSFET相比短溝道特性等更為出色，因此“有望將驅(qū)動(dòng)電壓降至0.5V”（東芝展臺(tái)解說(shuō)員）。東芝將該技術(shù)“定位于比現(xiàn)有MOSFET的后續(xù)晶體管即鰭型晶體管及SOI晶體管更先進(jìn)的下一代候補(bǔ)技術(shù)”（東芝展臺(tái)解說(shuō)員）（參閱本站報(bào)道）。

此次展出的300mm晶圓集成了具有將10條寬9nm、高14nm的溝道并排排列形成的晶體管。該納米線晶體管除了使外延硅固相生長(zhǎng)減小了源漏寄生電阻之外，還通過施加溝道結(jié)晶方向的控制及應(yīng)變提高了驅(qū)動(dòng)電流。據(jù)稱已經(jīng)獲得了超過平面構(gòu)造的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電流。（記者：大下淳一）

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