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產(chǎn)能制程推升明年臺積電市占升至52%

時間：2010-12-24 07:30:00

關(guān)鍵字：臺積電晶圓代工中芯先進(jìn)制程

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[導(dǎo)讀]晶圓代工版圖競爭激烈，目前臺積電持續(xù)以50%的市占率穩(wěn)居龍頭寶座，隨著擴(kuò)產(chǎn)腳步加速，以及先進(jìn)制程擴(kuò)大領(lǐng)先幅度，臺積電2011年市占率可望提升至52%，強(qiáng)大競爭對手之一的全球晶圓(Global Foundries)在合并特許以及大

晶圓代工版圖競爭激烈，目前臺積電持續(xù)以50%的市占率穩(wěn)居龍頭寶座，隨著擴(kuò)產(chǎn)腳步加速，以及先進(jìn)制程擴(kuò)大領(lǐng)先幅度，臺積電2011年市占率可望提升至52%，強(qiáng)大競爭對手之一的全球晶圓(Global Foundries)在合并特許以及大幅擴(kuò)充12吋產(chǎn)能下，市占率也站穩(wěn)12%，緊追聯(lián)電的15%。

根據(jù)DIGITIMES Research預(yù)估，2010年晶圓代工市場中，臺積電以50%的市占率，穩(wěn)居第1；臺積電2007年市占率約47%，自2008年站上50%后，連續(xù)3年維持50%。至于聯(lián)電與中芯2010年皆與2009年持平分別為15%與 6%。全球晶圓合并特許半導(dǎo)體后，2010年市占率預(yù)估將由2009年的9%提升至12%。

由此可看出，自2008~2010年前4大晶圓代工廠市占率并無顯著變化，不過4大代工廠外的其他業(yè)者合計市占率則由2008年的22%，將下滑至2010年的17%。半導(dǎo)體業(yè)者指出，晶圓代工產(chǎn)業(yè)需求龐大的資本投資，尤其先進(jìn)制程需要長年累月的技術(shù)，大者愈大趨勢已相當(dāng)明顯。

展望2011年，臺積電在先進(jìn)制程推進(jìn)上加速，40奈米第4季占營收比重將達(dá)20%；產(chǎn)能方面，臺積電2011年12吋產(chǎn)能將增加30%，雖然聯(lián)電、全球晶圓也積極擴(kuò)充，但仍不及臺積電的成長幅度，因此臺積電2011年仍將是IDM委外釋單的? 怳j受惠者，因此預(yù)估臺積電2011年市占率將提高至52%。

全球晶圓積極擴(kuò)充12吋產(chǎn)能，新加坡Fab7目前月產(chǎn)能約4.2萬片，2011年中將擴(kuò)增至5萬片；德國Fab1目前月產(chǎn)能在3萬片左右，2011年底將? 5萬片，預(yù)估2012年中將擴(kuò)增至8萬片。至于位于紐約的Fab8，于2009年7月動土，預(yù)估2012年底完工投產(chǎn)，規(guī)劃年產(chǎn)能6萬片。在擴(kuò)產(chǎn)及新客戶帶動下，全球晶圓2011年市占率將維持在12%。

至于大陸晶圓代工廠中芯2007年市占率約8%，然自2008年至2010年都維持在6%；中芯與臺積電的訴訟案也告一段落，自2010年第2季終結(jié)連12季的虧損，，并進(jìn)入65奈米制程量產(chǎn)，并取得IBM授權(quán)45/40奈米技術(shù)授權(quán)，預(yù)計于2011年進(jìn)入量產(chǎn)，加入40奈米戰(zhàn)局。中芯營運逐漸好轉(zhuǎn)，不過技術(shù)仍相對落后前3大競爭者，因此短期要見到市占率明顯提升恐怕不易。

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