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宏力半導(dǎo)體發(fā)布0.18微米電壓可調(diào)CDMOS制程工具包

時間：2010-12-20 17:13:00

關(guān)鍵字： MOS 半導(dǎo)體電壓微米

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[導(dǎo)讀]宏力半導(dǎo)體專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，近日發(fā)布了國內(nèi)首個適用于模擬集成電路和電源管理集成電路的0.18微米電壓可調(diào)CDMOS(CMOS、LDMOS 及高壓Bipolar)制程。與標(biāo)準(zhǔn)0.5和0.35微米的電源管理CDM

宏力半導(dǎo)體專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，近日發(fā)布了國內(nèi)首個適用于模擬集成電路和電源管理集成電路的0.18微米電壓可調(diào)CDMOS(CMOS、LDMOS 及高壓Bipolar)制程。

與標(biāo)準(zhǔn)0.5和0.35微米的電源管理CDMOS制程相比，宏力半導(dǎo)體的最新0.18微米電壓可調(diào)CDMOS擁有更為緊湊的設(shè)計規(guī)則和包括STI、Co silicide和ONO spacer等在內(nèi)更為先進(jìn)的工藝模塊，從而可以減小單元尺寸并提高芯片的性能。由5V電壓驅(qū)動的高壓LDMOS器件的dual-gate解決方案建立在0.18微米CMOS低壓邏輯制程上，由此可以促進(jìn)智能電源管理產(chǎn)品的開發(fā)。

該制程可調(diào)電壓的范圍是NLDMOS(12V-60V)和PLDMOS(12V-45V)，其卓越的連續(xù)可調(diào)特性適用于對電壓有不同要求的電源管理應(yīng)用。客戶可在同一個工藝平臺上調(diào)節(jié)ESD和Latch up，而無需在不同電壓的平臺上進(jìn)行工藝的調(diào)整。

宏力半導(dǎo)體還特別為這個制程研發(fā)了一整套功能豐富的模型，以支持全程電壓可調(diào)LDMOS晶體管的工作電壓和相關(guān)幾何參數(shù)。與此同時，為工藝平臺配套的設(shè)計工具包(PDK)提供的Pcells可以讓設(shè)計師基于用戶輸入的最大工作電壓(Vdsmax)、和多指結(jié)構(gòu)中的指寬度和指數(shù)目而設(shè)計出晶體管的版圖。此外，該設(shè)計工具包的關(guān)鍵之處在于應(yīng)用Rdson(導(dǎo)通電阻)的輸入、最大工作電壓和布局風(fēng)格的功率單元之合成，從而用戶可以很方便地合成輸出功率單元的版圖。

低Rdson提供了極高的工作效率并允許高負(fù)載電流，由此芯片的功耗將減小到最低值。此外，宏力半導(dǎo)體還為電源管理芯片提供了多種工藝選項，包括高壓Bipolars、Zener二極管、 Schottky二極管、頂層厚鋁、懸浮NLDMOS、MIM電容、多晶硅高阻值電阻和OTP。

“宏力半導(dǎo)體是國內(nèi)第一家成功研發(fā)0.18微米電壓可調(diào)CDMOS制程及其設(shè)計工具包的晶圓代工廠。該工藝的優(yōu)勢在于通過高壓Bipolar器件就可滿足目前很多必須使用復(fù)雜的BCD工藝的應(yīng)用需求，由此可幫助客戶極大地優(yōu)化其產(chǎn)品的成本結(jié)構(gòu)?！变N售市場及服務(wù)資深副總裁衛(wèi)彼得博士說，“另外，由于其電壓可調(diào)及擁有多個工藝選項的特性，可以加速設(shè)計周期，為客戶縮短產(chǎn)品投放市場的時間。這個新工藝應(yīng)用十分廣泛，例如電源管理、LED驅(qū)動、音頻芯片和馬達(dá)控制?！?

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