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[導(dǎo)讀]微影設(shè)備大廠艾司摩爾(ASML)首臺深紫外光(EUV)機臺已正式送到客戶端進行裝機,日前,ASML也用EUV機臺試產(chǎn)出首片27奈米半間距(half pitch)的芯片。不過,目前EUV除成本高昂外,光罩檢測與光阻為目前EUV進入量產(chǎn)的兩大

微影設(shè)備大廠艾司摩爾(ASML)首臺深紫外光(EUV)機臺已正式送到客戶端進行裝機,日前,ASML也用EUV機臺試產(chǎn)出首片27奈米半間距(half pitch)的芯片。不過,目前EUV除成本高昂外,光罩檢測與光阻為目前EUV進入量產(chǎn)的兩大難題,使得EUV是否能來的及進入量產(chǎn)仍困難重重。

ASML雖已產(chǎn)出27奈米半間距芯片,但由于該芯片設(shè)計為實驗性質(zhì),與實際量產(chǎn)、形狀多變復(fù)雜的設(shè)計,仍有相當大的差距,因此對業(yè)界來說,僅具代表性意義。

目前ASML的第1臺EUV微影機臺NXE:3100已正式出貨,在2011年中前,還有5臺將陸續(xù)出貨,至于量產(chǎn)型NXE:3300機臺,將有8套訂單在2012年開始出貨。

然而,就整個半導(dǎo)體制程來說,光罩檢測已被業(yè)界認為是22奈米最嚴重的問題;由于EUV微影設(shè)備售價昂貴,因此假設(shè)1個廠房中有20臺微影機臺,客戶恐僅愿意設(shè)置1臺光罩檢測機臺,使得檢測設(shè)備需求相對少了許多,因此也降低廠商開發(fā)意愿。檢測設(shè)備相關(guān)廠商如科磊(KLA-Tencor)。

若進一步推到16奈米,光阻將成為最大的難題,如光阻敏感度(photosensitivity),線邊緣粗糙度(Line Edge Roughness;LER),以及線寬粗糙度(Line Width Roughness;LWR)等問題,目前尚未? }發(fā)出規(guī)格符合且可量產(chǎn)用的光阻。相關(guān)投入廠商包括陶氏化學(xué)(Dow Chemical)、信越及Sumitomo等。

其實最令業(yè)界憂心的是,外圍設(shè)備及材料供貨商,大部分公司規(guī)模無法長期投入重金,進行EUV技術(shù)的研發(fā),若這些供貨商出現(xiàn)斷層,恐影響整個EUV技術(shù)的成熟度,并拖遲EUV進入量產(chǎn)的時程。因此,目前業(yè)界也有部分產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟組織,協(xié)助外圍供貨商尋求資金奧援。因此未來包括臺積電、全球晶圓(Global Foundries)等EUV的潛在使用者,都可能必須投資設(shè)備廠,以維持EUV供應(yīng)鏈的完整。

身為EUV陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(imec)認為,EUV技術(shù)最快于2014年可望技術(shù)量產(chǎn),而應(yīng)用內(nèi)存制程又將早于邏輯制程。若以ASML將于2012年開始出貨量產(chǎn)型的NEX:3300機臺來算,樂觀者認為,可能2013年,EUV技術(shù)就可進入量產(chǎn);反之,悲觀者則認為,由于供應(yīng)鏈不健全,恐延至2015年。



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