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ArF曝光的22/20nm即將量產(chǎn)，凸版印刷構(gòu)建掩模生產(chǎn)線

時間：2010-09-15 06:39:00

關(guān)鍵字： RF 薄膜晶圓 TECHNOLOGY

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[導(dǎo)讀]凸版印刷宣布已經(jīng)建立了面向22nm及20nm工藝的ArF掩模供應(yīng)體制。在該公司的朝霞光掩模工廠內(nèi)，構(gòu)建了22nm/20nm用的ArF掩模生產(chǎn)線，提供給半導(dǎo)體廠家的試制及量產(chǎn)用途。該技術(shù)是與美國IBM聯(lián)合開發(fā)的。此次開發(fā)的掩

凸版印刷宣布已經(jīng)建立了面向22nm及20nm工藝的ArF掩模供應(yīng)體制。在該公司的朝霞光掩模工廠內(nèi)，構(gòu)建了22nm/20nm用的ArF掩模生產(chǎn)線，提供給半導(dǎo)體廠家的試制及量產(chǎn)用途。該技術(shù)是與美國IBM聯(lián)合開發(fā)的。

此次開發(fā)的掩模技術(shù)工藝為了使用ArF曝光技術(shù)來支持20nm工藝，主要采用了以下三項掩模技術(shù)。第一，開發(fā)出了可支持ArF曝光微細工藝所需的二次圖形（DP）和SMO（Source Mask Optimization）掩模技術(shù)。第二，導(dǎo)入名為薄膜OMOG（opaque MoSi on glass）的新型掩模材料，提高了微細圖案的分辨率、尺寸的均勻性和掩模的平坦度，降低了工藝造成的位置精度劣化，提高了掩模耐清洗性等。第三，減小了掩模的厚度。隨著工藝的微細化，電磁場偏置（electromagnetic field bias）等起因于掩模厚度的影響逐漸顯現(xiàn)。此次通過減薄薄膜厚度，減小了這些不良影響。

運用此次的掩模技術(shù)有望緩解掩模設(shè)計中的限制以及提高晶圓處理工序的生產(chǎn)效率，“不僅可以提高掩模自身性能，而且可以通過與晶圓處理工序中轉(zhuǎn)印時的優(yōu)點形成的組合效果，實現(xiàn)優(yōu)異的總體光刻解決方案”（凸版印刷）。該技術(shù)的具體細節(jié)預(yù)定在掩模相關(guān)國際會議“2010 SPIE Photomask Technology Conference”（9月13～16日，美國蒙特里）上發(fā)布。(記者：長廣恭明)

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