臺灣臺積電（TSMC）7月1日面向新聞媒體進行了“TSMC 2010 Japan TechnologySymposium”(7月2日舉辦)的會前說明會，臺積電研發(fā)副總裁兼首席技術(shù)官JackSun和臺積電日本代表董事社長小野寺誠，在說明會上介紹了技術(shù)開發(fā)狀況和業(yè)務狀況。其中，JackSun介紹的技術(shù)開發(fā)狀況與該公司在2010年2月24日舉行的“TSMC 2010 Executive Forum on LeadingEdge Technology”的內(nèi)容相比沒有太大變化。不過，關于20nm曝光技術(shù)方面，Jack Sun表示“EUV（extreme ultraviolet）曝光和多電子束直寫（MEBDW）都可以，我們需要可以滿足成本和處理能力要求的技術(shù)”，由此可以看出臺積電強烈期待曝光技術(shù)能較現(xiàn)狀取得大的進展。

關于工藝技術(shù)的開發(fā)狀況方面，已經(jīng)開始試驗性生產(chǎn)采用SiON柵極絕緣膜的28nm低功耗版工藝（28LP）。關于采用HKMG（組合使用高介電率柵極絕緣膜和金屬柵極）的三項工藝（28HP，28HPL，28HPM）方面，正在推進試驗性生產(chǎn)的準備工作。28HP、28HPL以及28HPM分別預定在2010年第四季度、2011年第一季度以及2011年第四季度開始驗性生產(chǎn)。另外，20nm工藝也正在進行開發(fā)，目的是在2012年第四季度開始生產(chǎn)高性能版的“20G”，在2013年第二季度開始生產(chǎn)低功耗版的“20SoC”。

在曝光技術(shù)方面，臺積電展示了同時記載有20nm工藝用MEBDW（用于接觸孔和通孔，處理能力為100張/小時）、EUV曝光（開口數(shù)（NA）為0.25）以及組合使用超解像技術(shù)和布局技術(shù)的ArF液浸曝光（NA1.35）的三種技術(shù)的圖案。其中，在MEBDW和EUV曝光方面展示了最新成果。例如，在MEBDW方面展示了采用光束為110、加速電壓為5KeV的Preα機，對半間距為30nm的接觸孔進行曝光的成果，今后為了實現(xiàn)10張/小時和100張/小時的處理能力，計劃擴展到1萬3000光束并推進實現(xiàn)集群工具（Cluster Tool）化，以支持20nm和14nm。

另外在EUV方面，臺積電展示了對20nm的第一層金屬布線和14nm的接觸層進行EUV曝光的成果，同時還表示預定在2011年早些時候?qū)搿癗XE：3100”。不過，JackSun指出，“課題均是成本和處理能力”。對于記者提出的“從目前來看，您認為哪一種技術(shù)更有前途”這一問題，JackSun未作出明確回答，讓人覺得他對上述的技術(shù)都還很不滿意。（記者：長廣 恭明）