[導讀]聯電（2303）、爾必達（Elpida）、力成（6239）等3家半導體大廠今（21）日將宣布策略合作，據了解，3家業(yè)者將針對銅制程直通硅晶穿孔（Cu-TSV）3D芯片新技術進行合作開發(fā)，除了針對3D堆棧銅制程之高容量DRAM技術合作
聯電（2303）、爾必達（Elpida）、力成（6239）等3家半導體大廠今（21）日將宣布策略合作，據了解，3家業(yè)者將針對銅制程直通硅晶穿孔（Cu-TSV）3D芯片新技術進行合作開發(fā)，除了針對3D堆棧銅制程之高容量DRAM技術合作，未來也將開發(fā)DRAM及邏輯芯片之3D堆棧芯片技術，爭取手機、高性能家電、游戲機等整合型單芯片市場商機。
聯電與爾必達在2007年底已在低介電銅制程上合作，聯電授權爾必達使用其低介電銅導線制程技術，以應用在爾必達的DRAM產品制程上，爾必達則是許可聯電將爾必達的DRAM技術應用在嵌入式DRAM制程上。同時，聯電與爾必達也針對相位變化隨機存取內存（PRAM）進行合作，結合爾必達在硫族化合物（GST）材料的專業(yè)硅智財，與聯電在互補金屬氧化（CMOS）邏輯制程進行整合。
聯電于2008年再度與爾必達延伸合作內容至晶圓代工領域，爾必達將提供其位于日本廣島的12吋廠產能，聯電則提供硅智財（IP）及銅制程技術，鎖定爭取日本IDM廠委外代工訂單。
而隨著聯電在去年將聯日半導體（UMCJ）納入成為百分之百持股子公司，爾必達的12吋廠產能若得以靈活運用，聯電將可順勢進入日本特殊應用芯片（ASIC）代工市場。
然隨著整合型單芯片的市場應用趨于成熟，爾必達于去年宣布成功開發(fā)出以Cu-TSV技術生產的8Gb DDR3，但為了將Cu-TSV技術應用到邏輯芯片產品線，或是應用到整合內存及邏輯芯片的整合型單芯片市場，于是聯電、爾必達不僅決定再度合作，還找上了在TSV市場已有初步研發(fā)成果的力成，3家公司共同合作搶進日益重要的Cu-TSV等3D芯片市場。
相較于聯電結合了爾必達及力成的DRAM制造及封測資源，共同開發(fā)TSV技術，臺積電與轉投資封測廠采鈺、精材間，已經藉由先進光學封裝技術布局3D芯片，并開始量產部分制程采用TSV技術的CMOS影像傳感器，同時也在其開放創(chuàng)新平臺（OIP）中，提供客戶有關TSV相關的晶圓制造及封測等制程。
聯電與爾必達在2007年底已在低介電銅制程上合作，聯電授權爾必達使用其低介電銅導線制程技術，以應用在爾必達的DRAM產品制程上，爾必達則是許可聯電將爾必達的DRAM技術應用在嵌入式DRAM制程上。同時，聯電與爾必達也針對相位變化隨機存取內存（PRAM）進行合作，結合爾必達在硫族化合物（GST）材料的專業(yè)硅智財，與聯電在互補金屬氧化（CMOS）邏輯制程進行整合。
聯電于2008年再度與爾必達延伸合作內容至晶圓代工領域，爾必達將提供其位于日本廣島的12吋廠產能，聯電則提供硅智財（IP）及銅制程技術，鎖定爭取日本IDM廠委外代工訂單。
而隨著聯電在去年將聯日半導體（UMCJ）納入成為百分之百持股子公司，爾必達的12吋廠產能若得以靈活運用，聯電將可順勢進入日本特殊應用芯片（ASIC）代工市場。
然隨著整合型單芯片的市場應用趨于成熟，爾必達于去年宣布成功開發(fā)出以Cu-TSV技術生產的8Gb DDR3，但為了將Cu-TSV技術應用到邏輯芯片產品線，或是應用到整合內存及邏輯芯片的整合型單芯片市場，于是聯電、爾必達不僅決定再度合作，還找上了在TSV市場已有初步研發(fā)成果的力成，3家公司共同合作搶進日益重要的Cu-TSV等3D芯片市場。
相較于聯電結合了爾必達及力成的DRAM制造及封測資源，共同開發(fā)TSV技術，臺積電與轉投資封測廠采鈺、精材間，已經藉由先進光學封裝技術布局3D芯片，并開始量產部分制程采用TSV技術的CMOS影像傳感器，同時也在其開放創(chuàng)新平臺（OIP）中，提供客戶有關TSV相關的晶圓制造及封測等制程。
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