三星電子全球率先研發(fā)出32納米HKMG制程工藝
[導(dǎo)讀]據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，三星電子在晶圓代工（Foundry）業(yè)界率先研發(fā)出32納米“HKMG（High-K Metal Gate）”制程工藝。 三星電子今后可用此次研發(fā)的技術(shù)給晶圓代工客戶提供具有競爭力的最新半導(dǎo)體產(chǎn)品。 三星電子介紹說，基于
據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，三星電子在晶圓代工（Foundry）業(yè)界率先研發(fā)出32納米“HKMG（High-K Metal Gate）”制程工藝。
三星電子今后可用此次研發(fā)的技術(shù)給晶圓代工客戶提供具有競爭力的最新半導(dǎo)體產(chǎn)品。
三星電子介紹說，基于同美國IBM等研發(fā)合作伙伴進(jìn)行聯(lián)合研究，并獲得的研究成果，成功研發(fā)了32納米HKMG制程技術(shù)，而該技術(shù)與現(xiàn)有的45納米制程相比，密集度高出1倍。
一般而言，制程越細(xì)化漏電量越大，但HKMG技術(shù)采用新物質(zhì)，有效將抵制程工藝的漏電量，并提高驅(qū)動(dòng)速度，是一種最尖端的低耗電制程技術(shù)。
據(jù)展望，該技術(shù)將在研制智能手機(jī)、平板電腦等下一代移動(dòng)終端方面起到重要作用。
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