[導(dǎo)讀]美國(guó)杜克大學(xué)(Duke University)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)宣布,他們發(fā)現(xiàn)了簡(jiǎn)易制作銅(Cu)納米線的方法。據(jù)介紹,通過(guò)在透明薄膜上進(jìn)行涂布,便能夠以低成本實(shí)現(xiàn)柔性透明電極。
銅納米線指直徑為90±10nm、長(zhǎng)度為10±3μm、
美國(guó)杜克大學(xué)(Duke University)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)宣布,他們發(fā)現(xiàn)了簡(jiǎn)易制作銅(Cu)納米線的方法。據(jù)介紹,通過(guò)在透明薄膜上進(jìn)行涂布,便能夠以低成本實(shí)現(xiàn)柔性透明電極。
銅納米線指直徑為90±10nm、長(zhǎng)度為10±3μm、呈微細(xì)棒狀的銅。杜克大學(xué)化學(xué)系助教Benjamin Wiley的研究小組開(kāi)發(fā)出了采用化學(xué)手段制造銅納米線的方法。
具體方法是向放在燒杯里的硝酸銅(Cu(NO3)2)水溶液中加入氫氧化鈉(NaOH)、乙二胺(EDA)以及肼(H2NNH2)等,然后在80℃的溫度下保存一個(gè)小時(shí)。溶液中首先會(huì)形成直徑為幾百nm的銅的粒子,銅納米線就會(huì)從粒子中生長(zhǎng)出來(lái),就像種子發(fā)芽一樣。
銅納米線的長(zhǎng)度,可通過(guò)調(diào)整生長(zhǎng)時(shí)間來(lái)控制。例如,當(dāng)生長(zhǎng)時(shí)間為3分30秒時(shí)長(zhǎng)度為1μm左右,而當(dāng)生長(zhǎng)時(shí)間為20分鐘時(shí),長(zhǎng)度將達(dá)到幾μm。
Wiley等人表示,通過(guò)采用卷對(duì)卷等涂布工藝在透明薄膜上對(duì)該銅納米線進(jìn)行涂層,從而可以取代ITO用于柔性顯示器和太陽(yáng)能電池中。實(shí)際制作的導(dǎo)電性透明薄膜的光透射率為65%。即使經(jīng)過(guò)1000次的彎曲試驗(yàn),以及暴露在空氣中一個(gè)月后,仍然保持了導(dǎo)電性。
目前存在的課題是確立量產(chǎn)技術(shù)、降低在透明薄膜上進(jìn)行涂布時(shí)的凝集,以及防止銅氧化。(記者:野澤 哲生)
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上海概倫電子股份有限公司是一家具備國(guó)際市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的EDA企業(yè),擁有領(lǐng)先的EDA關(guān)鍵核心技術(shù),致力于提高集成電路行業(yè)的整體技術(shù)水平和市場(chǎng)價(jià)值,提供專(zhuān)業(yè)高效的EDA流程和工具支撐。公司通過(guò)EDA方法學(xué)創(chuàng)新,推動(dòng)集成電路設(shè)計(jì)和...
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EDA
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隨著近日最新出產(chǎn)的高性能芯片大量使用4nm工藝,不少?gòu)S商的3nm制程工藝也被提上日程,正式進(jìn)入到了測(cè)試階段,也預(yù)計(jì)將在2023年年末就會(huì)看到3nm制程的產(chǎn)品面向市場(chǎng)。
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2nm
芯片
EDA
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芯片
EDA
封裝測(cè)試
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日深圳市發(fā)改委發(fā)布了一則關(guān)于促進(jìn)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施的意見(jiàn)征求稿,文件中的主要幾條談及了促進(jìn)半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)域支持、核心技術(shù)突破等多項(xiàng)內(nèi)容,這也表達(dá)了發(fā)改委對(duì)半導(dǎo)體集成電路技術(shù)依賴...
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半導(dǎo)體
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近兩年,國(guó)外廠商的FPGA芯片價(jià)格飆升,由于價(jià)格,貨期,出口管制等多方面因素的影響,很多公司都在尋找FPGA國(guó)產(chǎn)化替代方案。我工作中正在使用的幾款芯片也面臨停產(chǎn)的風(fēng)險(xiǎn),用一片少一片,了解到國(guó)產(chǎn)FPGA發(fā)展的也不錯(cuò),完全自...
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FPGA
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據(jù)一份與員工分享的財(cái)務(wù)報(bào)告,TikTok母公司字節(jié)跳動(dòng)(Bytedance)去年的運(yùn)營(yíng)虧損增至70億美元以上,是此前一年的逾三倍。該報(bào)告提供了一個(gè)罕見(jiàn)的了解這家非上市公司備受關(guān)注的財(cái)務(wù)狀況的機(jī)會(huì)。報(bào)告顯示,字節(jié)跳動(dòng)在20...
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EDA
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隨著硅工藝發(fā)展接近物理極限,用來(lái)刻畫(huà)工藝演進(jìn)速度的摩爾定律也開(kāi)始被打破,半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)了后摩爾時(shí)代。然而集成電路芯片產(chǎn)業(yè)并沒(méi)有因此而停滯發(fā)展,現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(Field Programmable Gate Array...
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EDA
機(jī)器學(xué)習(xí)
隨著美國(guó)對(duì)華限制可用于GAAFET的EDA 設(shè)計(jì)工具,凸顯EDA 在芯片設(shè)計(jì)關(guān)鍵角色。由于目前EDA 產(chǎn)業(yè)高度集中,前三大廠商以美商為主。預(yù)計(jì)臺(tái)積電2nm制程也將采用美商針對(duì)GAAFET 架構(gòu)的EDA軟件。另?yè)?jù)臺(tái)媒報(bào)道,...
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數(shù)十年中,摩爾定律演進(jìn)推動(dòng)著芯片制造工藝和設(shè)計(jì)架構(gòu)發(fā)生了翻天覆地的變化,隨著晶體管尺寸逼近物理極限,未來(lái)先進(jìn)設(shè)計(jì)及工藝向著延續(xù)摩爾定律(More Moore)、超越摩爾定律(More than Moore)和新型器件(B...
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EDA
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華大九天
EDA
28nm
9月20日,SEG Solar宣布將在美國(guó)德克薩斯州休斯頓建立光伏組件制造工廠,預(yù)計(jì)年產(chǎn)能將超過(guò)2GW。工廠將于2022年底開(kāi)工建設(shè),并于2023年中全面投入使用。工廠將配備三條先進(jìn)生產(chǎn)線,能夠生產(chǎn)使用182毫米或210...
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SOLAR
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太陽(yáng)能電池
印度大型跨國(guó)企業(yè)韋丹塔(Vedanta)與印度古吉拉特邦政府簽署了兩項(xiàng)諒解備忘錄,旨在將印度納入全球硅業(yè)地圖,使該國(guó)在半導(dǎo)體和顯示器這一關(guān)鍵領(lǐng)域自給自足。該舉將根據(jù)印度總理莫迪的愿景,在關(guān)鍵工業(yè)州設(shè)立半導(dǎo)體工廠、顯示器工...
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富士康
顯示器
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印度大型跨國(guó)企業(yè)韋丹塔(Vedanta)與印度古吉拉特邦政府簽署了兩項(xiàng)諒解備忘錄,旨在將印度納入全球硅業(yè)地圖,使該國(guó)在半導(dǎo)體和顯示器這一關(guān)鍵領(lǐng)域自給自足。該舉將根據(jù)印度總理莫迪的愿景,在關(guān)鍵工業(yè)州設(shè)立半導(dǎo)體工廠、顯示器工...
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半導(dǎo)體
富士康
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EDA
Cadence 解決方案和生態(tài)系統(tǒng)部門(mén)主管Frank Schirrmeister談一下EDA發(fā)展趨勢(shì),
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EDA
Cadence
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,華大九天昨天披露了投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表,華大九天表示在電路的仿真工具相關(guān)領(lǐng)域突破核心技術(shù),精度和性能得到了雙維度提升,適用于仿真精度和性能要求較高的模擬芯片設(shè)計(jì)。
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EDA
仿真
前陣子,美國(guó)宣布將對(duì)EDA軟件實(shí)施出口限制。由于EDA是半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)芯片的必要工具,這將影響中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展。大多數(shù)的半導(dǎo)體公司和行業(yè)也都會(huì)受到不同程度的影響。
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EDA
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是德科技
EDA
EDA是芯片IC設(shè)計(jì)不可或缺的重要部分,屬于芯片制造上游產(chǎn)業(yè),涵蓋集成電路設(shè)計(jì)、布線、驗(yàn)證和仿真等所有流程,EDA被行業(yè)內(nèi)稱為“芯片之母”。
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EDA
芯片
集成電路
放眼世界,我們面對(duì)的是百年未有之大變局,而半導(dǎo)體行業(yè)又挺立在大變局的潮頭,成為大國(guó)競(jìng)爭(zhēng)力的焦點(diǎn)。根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,2021年全球售出1.15萬(wàn)億顆芯片,銷(xiāo)售額達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的5559億美元,同比...
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EDA
軟件
半導(dǎo)體