臺(tái)積電11日董事會(huì)通過3筆資本預(yù)算，金額將近新臺(tái)幣16.5億美元。值得注意的是，位于中科的12吋晶圓廠Fab15動(dòng)土所需資金預(yù)算也在此次董事會(huì)獲得確認(rèn)，估計(jì)金額為2.1億美元。根據(jù)董事長(zhǎng)張忠謀先前指出，F(xiàn)ab15將于2010年中動(dòng)土，并將會(huì)切入28奈米技術(shù)，成為臺(tái)積電最先進(jìn)的晶圓廠。

臺(tái)積電董事會(huì)11日通過3筆資本預(yù)算，包括10.516億美元用于擴(kuò)充晶圓12廠Fab12與晶圓14廠Fab14先進(jìn)制程產(chǎn)能、3.85億美元擴(kuò)充與升級(jí)8吋廠產(chǎn)能，以及2.1億美元于臺(tái)中科學(xué)園區(qū)興建晶圓15廠Fab15。其中Fab15資金預(yù)算是首次經(jīng)由董事會(huì)提出并核準(zhǔn)。

隨著景氣復(fù)蘇，加上整合組件廠加速委外釋單，臺(tái)積電12吋和8吋晶圓廠目前皆處于滿載局面。該公司董事長(zhǎng)張忠謀先前曾指出，0.13微米以下的先進(jìn)制程產(chǎn)能缺口高達(dá)30~40%，為迎合客戶需求，因此決定興建晶圓廠。

為了產(chǎn)能長(zhǎng)遠(yuǎn)規(guī)畫，臺(tái)積電加速布局先進(jìn)晶圓廠，決定在中科興建第3座12吋超大型晶圓廠Fab15，預(yù)計(jì)2010年中動(dòng)土，初期將以40奈米開始切入，未來會(huì)伺機(jī)盡快循序切入28奈米和20奈米制程。

此外，臺(tái)積電2010年將擴(kuò)建竹科12吋廠Fab12的第5期工程及南科12吋廠Fab14的第4期工程，屆時(shí)單月產(chǎn)能各會(huì)? F到10萬片，并會(huì)導(dǎo)入最先進(jìn)的40奈米制程量產(chǎn)，而Fab12也會(huì)在下半年開始以28奈米量產(chǎn)投片。

臺(tái)積電2010資本支出上看48億美元，主要用于擴(kuò)充產(chǎn)能，目前仍維持不變。該公司全年總產(chǎn)能亦將首度突破千萬片大關(guān)，產(chǎn)量上看1,124萬片的8吋約當(dāng)晶圓，而12吋廠先進(jìn)制程年度總產(chǎn)能則會(huì)年增35%，比重也將首度達(dá)到5 0%。