上海華虹NEC介紹
上海華虹NEC的Power MOSFET和分離件組件(Discrete)制程為全球第1大，市占率超過(guò)50%，用于模擬／電源管理芯片、高壓、射頻以及功率器件。
此外，應(yīng)用于SIM卡和智能卡的eFlash制程為該公司第2大產(chǎn)品線(xiàn)。上海華虹NEC目前以0.13微米制程為主，亦正在開(kāi)發(fā)90奈米制程，為配合該開(kāi)發(fā)作業(yè)，該公司也將啟動(dòng)12吋產(chǎn)能建置的投資計(jì)劃。(李洵穎)
下載文檔傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類(lèi)為線(xiàn)性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷，因此不適合數(shù)字開(kāi)關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)字開(kāi)關(guān)Flash Memory 是一種非易失性的存儲(chǔ)器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在 PC 系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤(pán)以及主板 BIOS 中。
關(guān)鍵字： Flash 存儲(chǔ)器 嵌入式系統(tǒng)音頻創(chuàng)新品牌萊維特官宣發(fā)布新一代高性能聲卡CONNECT 6，現(xiàn)已上市 上海2022年9月23日 /美通社/ -- 奧地利知名音頻創(chuàng)新品牌萊維特剛剛發(fā)布了新一代高性能聲卡- CONNECT 6。作為創(chuàng)新型音頻...
關(guān)鍵字： NEC 聲卡 移動(dòng)設(shè)備 電腦為了最大限度地減少開(kāi)關(guān)階段的功耗，必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流，則功率損耗會(huì)降低，因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō)，柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...
關(guān)鍵字： 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET意法半導(dǎo)體推出符合 VDA 標(biāo)準(zhǔn)的LIN 交流發(fā)電機(jī)穩(wěn)壓器，提高 12V 汽車(chē)電氣系統(tǒng)的性能和靈活性
該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流，當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí)，續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車(chē)輛的整體電能需求不斷變化時(shí)，使輸...
關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管2022年樂(lè)瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子，其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流，獨(dú)特的柵極負(fù)壓開(kāi)啟機(jī)制，使其成為...
關(guān)鍵字： MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)
廠商專(zhuān)欄
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