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張忠謀公開臺(tái)積電20nm制程技術(shù)部分細(xì)節(jié)

時(shí)間：2010-04-16 08:24:00

關(guān)鍵字：臺(tái)積電制程技術(shù) GLOBALFOUNDRIES 光刻技術(shù)

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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電公司宣布他們將于28nm制程之后跳過22nm全代制程，直接開發(fā)20nm半代制程技術(shù)。在臺(tái)積電公司日前舉辦的技術(shù)會(huì)展上，臺(tái)積電公司展示了部分 20nm半代制程的一些技術(shù)細(xì)節(jié)，20nm制程將是繼28nm制程之后臺(tái)積電的下一個(gè)

臺(tái)積電公司宣布他們將于28nm制程之后跳過22nm全代制程，直接開發(fā)20nm半代制程技術(shù)。在臺(tái)積電公司日前舉辦的技術(shù)會(huì)展上，臺(tái)積電公司展示了部分 20nm半代制程的一些技術(shù)細(xì)節(jié)，20nm制程將是繼28nm制程之后臺(tái)積電的下一個(gè)主要制程平臺(tái)，另外，20nm之后，臺(tái)積電還會(huì)跳過18nm制程。

根據(jù)臺(tái)積電會(huì)上展示的信息顯示，他們的20nm制程將采用10層金屬互聯(lián)技術(shù)，并仍然采用平面型晶體管結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)技術(shù)方面則會(huì)使用 HKMG/應(yīng)變硅和較新的“l(fā)ow-r”技術(shù)（即由銅+low-k絕緣介質(zhì)組成的互連層）。另外，臺(tái)積電的20nm制程工藝將徹底放棄柵極氧化硅型絕緣層，全面轉(zhuǎn)向HKMG柵極結(jié)構(gòu)。

光刻工藝方面，臺(tái)積電20nm制程將繼續(xù)沿用193nm沉浸式光刻技術(shù)，不過會(huì)起用雙重掩膜技術(shù)（double-patterning）和SMO 技術(shù)（source-mask optimization）以增強(qiáng)現(xiàn)有的193nm沉浸式光刻技術(shù)。

與臺(tái)積電之前推出的制程技術(shù)首先專注于低功耗的風(fēng)格不同，臺(tái)積電的20nm制程技術(shù)將把高性能作為開發(fā)的重點(diǎn)。

臺(tái)積電這次透露20nm制程細(xì)節(jié)的舉動(dòng)令他們相對(duì)其它代工業(yè)對(duì)手如GlobalFoundries，三星，聯(lián)電等似乎有“領(lǐng)先一步”的優(yōu)越感。此前三星和聯(lián)電公司在公開場(chǎng)合甚少或根本沒有提及其發(fā)展2xnm級(jí)別制程工藝技術(shù)的計(jì)劃。而 GlobalFoundries公司此前則表示要到 2012年下半年才會(huì)開始啟用22nm級(jí)別的制程工藝，而臺(tái)積電啟動(dòng)20nm制程的日期則也放在了12年下半年。相比之下，Intel公司則計(jì)劃于 2011年第四季度轉(zhuǎn)向22nm制程技術(shù)。

過去，臺(tái)積電總是遵循ITRS的發(fā)展路線圖執(zhí)行自己的制程研發(fā)計(jì)劃，先開發(fā)出“全代”型制程工藝，然后再研發(fā)出更高級(jí)的“半代”型制程工藝，方便用戶進(jìn)行制程升級(jí)。不過這次20nm制程的研發(fā)計(jì)劃似乎與過去他們的風(fēng)格稍有不同。為了突出自己產(chǎn)品的差異化，他們會(huì)首先勸說客戶采用半代型制程，比如他們雖然開發(fā)出了32nm制程技術(shù)，不過卻在大力宣傳并勸說客戶使用自己的28nm制程技術(shù)。

過去，人們?cè)詾榕_(tái)積電會(huì)推出22nm制程，不過據(jù)臺(tái)積電CEO張忠謀介紹：“用戶當(dāng)然也可以選擇22nm制程，不過我們決定跳過這種制程?！彼⒄J(rèn)為 20nm制程技術(shù)能提供比22nm制程更高的晶體管密度，管子性能以及成本。

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