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臺(tái)積電宣布直接使用20nm工藝，將在平板式晶體管上首先采用

時(shí)間：2010-04-16 06:28:00

關(guān)鍵字：臺(tái)積電平板晶體管節(jié)點(diǎn)

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[導(dǎo)讀]臺(tái)灣臺(tái)積電（TSMC）在美國(guó)加利福尼亞州圣何塞舉行的“TSMC 2010 Technology Symposium”上，宣布將跳過(guò)22nm工藝節(jié)點(diǎn)，直接轉(zhuǎn)向20nm節(jié)點(diǎn)。據(jù)稱，直接轉(zhuǎn)向20nm工藝節(jié)點(diǎn)的背景，是因?yàn)榇_立了圖形（Patterning）技術(shù)及布

臺(tái)灣臺(tái)積電（TSMC）在美國(guó)加利福尼亞州圣何塞舉行的“TSMC 2010 Technology Symposium”上，宣布將跳過(guò)22nm工藝節(jié)點(diǎn)，直接轉(zhuǎn)向20nm節(jié)點(diǎn)。據(jù)稱，直接轉(zhuǎn)向20nm工藝節(jié)點(diǎn)的背景，是因?yàn)榇_立了圖形（Patterning）技術(shù)及布局設(shè)計(jì)方法等。

宣布這一消息的臺(tái)積電研究資深發(fā)展副總裁蔣尚義還透露，2012年下半年將開(kāi)始20nm工藝的風(fēng)險(xiǎn)性量產(chǎn)。并且，此次該公司還表示，20nm工藝將優(yōu)先用于平板式晶體管，而非FinFET之類(lèi)的三維晶體管。似乎還對(duì)工藝細(xì)節(jié)作了改進(jìn)。

臺(tái)積電稱，將對(duì)諸如高介電率（high-k）材料、金屬柵極、應(yīng)變硅、銅布線及低介電率（low-k）層間布線絕緣膜等采用新技術(shù)。另外，蔣尚義還表示，“臺(tái)積電已驗(yàn)證，在FinFET及高遷移率元件等其他晶體管上采用20nm工藝的可能性也很高”。（記者：小島郁太郎）

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雖然說(shuō)臺(tái)積電、聯(lián)電廠房設(shè)備安全異常，并不會(huì)因?yàn)橐淮螐?qiáng)臺(tái)風(fēng)產(chǎn)生多大損傷。但強(qiáng)臺(tái)風(fēng)造成的交通機(jī)場(chǎng)轉(zhuǎn)運(yùn)、供水供電影響，對(duì)于這些半導(dǎo)體大廠來(lái)說(shuō)也可謂是不小的麻煩。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電聯(lián)電廠半導(dǎo)體

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