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Kilopass完成臺(tái)積電認(rèn)證

時(shí)間：2010-04-06 10:40:00

關(guān)鍵字： OPA 臺(tái)積電內(nèi)存 5NM

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[導(dǎo)讀]半導(dǎo)體邏輯非揮發(fā)性內(nèi)存（NVM）硅智財(cái)（IP）領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)廠商Kilopass Technology Inc.宣布，該公司的XPM嵌入式一次性可編程（OTP）非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)率先在臺(tái)積電40nm及45nm低功率制程技術(shù)中完成臺(tái)積電IP-9000 Level 4

半導(dǎo)體邏輯非揮發(fā)性內(nèi)存（NVM）硅智財(cái)（IP）領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)廠商Kilopass Technology Inc.宣布，該公司的XPM嵌入式一次性可編程（OTP）非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)率先在臺(tái)積電40nm及45nm低功率制程技術(shù)中完成臺(tái)積電IP-9000 Level 4認(rèn)證與偏差鑒定。

此外，Kilopass 40/45nm一次性可編程技術(shù)的早期采用客戶已成功完成設(shè)計(jì)定案（Taped Out）。Kilopass邏輯型XPM一次性可編程技術(shù)不需另加成本即可與標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程整合，是市面上針對(duì)該產(chǎn)業(yè)最先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的領(lǐng)先非揮發(fā)性內(nèi)存智財(cái)。

「我們很高興與Kilopass合作，為本公司客戶40/45nm的智財(cái)需求提供支持，」臺(tái)積電智財(cái)組合營(yíng)銷部副總監(jiān)Dan Kochpatcharin表示：「Kilopass為本公司那些向40nm技術(shù)升級(jí)的無線行動(dòng)和機(jī)上盒客戶提供了及時(shí)的支持，讓他們能夠獲得高性能、低功率以及高整合度?！?/P>

「我們與規(guī)模最大的純晶圓半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電密切合作，確保我們的技術(shù)能夠?yàn)樽罴舛说脑O(shè)計(jì)客戶所用，」Kilopass工程部副總裁Lee Cleveland表示：「本公司先進(jìn)的低功率制程節(jié)點(diǎn)非揮發(fā)性內(nèi)存智財(cái)技術(shù)的推出進(jìn)一步提高了我們的能力，可滿足行動(dòng)與消費(fèi)性應(yīng)用對(duì)于性能及功率的嚴(yán)格要求。我們很高興成為第一家在臺(tái)積電45nm/40nm制程節(jié)點(diǎn)上提供邏輯一次性可編程內(nèi)存的智財(cái)供貨商。」

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臺(tái)積電3nm制程工藝再推遲一個(gè)季度?

據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電繼之前將3nm制程工藝的量產(chǎn)時(shí)間由外界預(yù)計(jì)的9月底推遲到第四季度后，再一次將其延后一個(gè)季度，預(yù)計(jì)將于明年才能量產(chǎn)。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電 3nm

[模擬技術(shù)]

為何市場(chǎng)無視“衰退將至”的消息? 臺(tái)積電給出的利空究竟成色幾何?

周四美股交易時(shí)段，受到“臺(tái)積電預(yù)期明年半導(dǎo)體行業(yè)可能衰退”的消息影響，包括英偉達(dá)、英特爾、阿斯麥等頭部公司均以大跌開盤，但在隨后兩個(gè)小時(shí)內(nèi)紛紛暴力拉漲，多家千億美元市值的巨頭較開盤低點(diǎn)向上漲幅竟能達(dá)到10%。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電半導(dǎo)體芯片

[快訊]

三星LPDDR5X內(nèi)存運(yùn)行速度可達(dá)8.5 Gbps

三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon）移動(dòng)平臺(tái)上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲(chǔ)器之間的高速信號(hào)環(huán)境，三星超過了自身...

關(guān)鍵字： GBPS 三星內(nèi)存 LPDDR5

[美通社全球TMT]

三星LPDDR5X內(nèi)存運(yùn)行速度可達(dá)8.5 Gbps；樂高集團(tuán)選擇亞馬遜云科技為首選云服務(wù)供應(yīng)商

（全球TMT2022年10月18日訊）三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon）移動(dòng)平臺(tái)上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和...

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[通信先鋒]

基于臺(tái)積電16nm工藝，俄羅斯S1000芯片胎死腹中

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，俄羅斯芯片設(shè)計(jì)廠商Baikal Electronics最新設(shè)計(jì)完成的48核的服務(wù)器處理器S1000將由臺(tái)積電代工，但可惜的是，鑒于目前美國(guó)歐盟對(duì)俄羅斯的芯片制裁政策，大概率會(huì)導(dǎo)致S1000芯片胎死腹中。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電 16nm 俄羅斯 S1000 芯片

[通信先鋒]

又涉侵權(quán)？美貿(mào)委會(huì)對(duì)三星、臺(tái)積電等發(fā)起337調(diào)查

據(jù)業(yè)內(nèi)信息，近日一家名為Daedalus Prime的小公司陸續(xù)對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體巨頭發(fā)起337專利訟訴，其中包含三星電子、高通公司、臺(tái)積電等。

關(guān)鍵字：專利侵權(quán) 三星臺(tái)積電高通公司 337調(diào)查 USITC

[芯榜]

傳：達(dá)成協(xié)議！臺(tái)積電，75億美元印度建廠！

據(jù)外媒TECHPOWERUP報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣一直在考慮將其芯片生產(chǎn)擴(kuò)展到其他國(guó)家已不是什么秘密，臺(tái)積電已同意在亞利桑那州建廠，同時(shí)歐盟、日本、甚至俄羅斯都在傳出正與臺(tái)積電洽談建廠。

關(guān)鍵字：芯片臺(tái)積電 5G設(shè)備

[芯榜]

臺(tái)積電前十大客戶曝光！

12 月 15 日消息，英特爾 CEO 基辛格近日被曝光訪問臺(tái)積電，敲定 3 納米代工產(chǎn)能。此外，digitimes 放出了一張來源于彭博社的數(shù)據(jù)，曝光了臺(tái)積電前 10 大客戶營(yíng)收貢獻(xiàn)占比。

關(guān)鍵字：英特爾臺(tái)積電蘋果

[芯榜]

剛剛，臺(tái)風(fēng)來襲！臺(tái)灣晶圓廠危險(xiǎn)了...

雖然說臺(tái)積電、聯(lián)電廠房設(shè)備安全異常，并不會(huì)因?yàn)橐淮螐?qiáng)臺(tái)風(fēng)產(chǎn)生多大損傷。但強(qiáng)臺(tái)風(fēng)造成的交通機(jī)場(chǎng)轉(zhuǎn)運(yùn)、供水供電影響，對(duì)于這些半導(dǎo)體大廠來說也可謂是不小的麻煩。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電聯(lián)電廠半導(dǎo)體

[嵌入式硬件]

1.4nm是什么？三星宣布將在2027年量產(chǎn)，趕超臺(tái)積電？

近日，在加利福尼亞州圣何塞舉行的三星代工論壇上，三星電子公布了其芯片制造業(yè)務(wù)的未來技術(shù)路線圖，宣布在2025年開始大規(guī)模量產(chǎn)2nm工藝，更先進(jìn)的1.4nm工藝則預(yù)計(jì)會(huì)在2027年投產(chǎn)，主要面向高性能計(jì)算和人工智能等應(yīng)用。

關(guān)鍵字：三星臺(tái)積電芯片 1.4nm