《寶島縱橫》臺灣是一個重視科技工業(yè)的地方。同樣，企業(yè)亦都必然注視智識產(chǎn)權的保護。
企業(yè)一直熱衷于申請專利以保障產(chǎn)業(yè)權益。臺灣經(jīng)濟部智慧財產(chǎn)局，或稱ＩＰＯ，于上星期公布
２００９年領取臺灣已授權專利的統(tǒng)計資料。２００９年總共有４﹒３７萬份已授權專利。當中
屬于發(fā)明的授權專利有１﹒４１萬份，而屬于有關產(chǎn)品外型、結構及制造的技術概念授權專利有
２﹒３５萬份。最后剩下的５９９５份則是設計類型的。

＊臺積電發(fā)明專利數(shù)量全臺第三＊

不難想象，三大授權專利都各自維護參與不同產(chǎn)業(yè)鏈的各機構。以富士康（０２０３８）為
例，基于業(yè)務主要集中于電子產(chǎn)品的代工生產(chǎn)，所以申請專利亦以與產(chǎn)品外型、結構及制造的技
術概念為主。
雖然如此，三類授權專利富士康都是獨占鰲頭的。不要以為于臺灣申請專利只是臺企之間的
玩意，好些國際知名的電子科技公司亦積極于島內(nèi)申請專利，如Ｓａｍｓｕｎｇ、Ｓｏｎｙ、
Ｉｎｔｅｌ、Ｈｙｎｉｘ、Ｓｈａｒｐ等。不計算產(chǎn)品外型、結構及制造的技術概念授權專利，
外企的授權專利數(shù)量占近全臺的４７％。
而值得注意是，發(fā)明專利的數(shù)量比較。此類專利的技術含量應是最高。以數(shù)量計，２００９
年獲得已授權發(fā)明專利的５大機構，排名順序是富士康、臺灣工研院、臺積電、友達及
Ｉｎｔｅｌ。從數(shù)量比對能力并不公平，因為每份專利的技術含量皆不能從數(shù)字反映，但亦可作
為企業(yè)投放研發(fā)資源及技術領先的參考。
臺積電雖然以２２５份發(fā)明專利排第三，低于獲授權３９０份發(fā)明專利排名第二位的臺灣工
研院。但臺灣工研院屬研究機構，而且參與的產(chǎn)業(yè)亦非常廣泛。故此，可見于半導體產(chǎn)業(yè)中，臺
積電的研發(fā)能力及資源投放都穩(wěn)占領導地位。未來幾年，相信臺積電于半導體生產(chǎn)技術上都難逢
敵手。

＊３２╱２８ｎｍ制程的技術改革＊

臺積電一改以往用Ｇａｔｅ－ｆｉｒｓｔ工藝的做法，計劃于２８ｎｍＨＫＭＧ柵極結構
制程技術中采用Ｇａｔｅ－ｌａｓｔ工藝。業(yè)界內(nèi)，Ｉｎｔｅｌ是Ｇａｔｅ－ｌａｓｔ的先鋒，
從４５ｎｍＨＫＭＧ制程起便一直在采用；而ＩＢＭ、ＡＭＤ、
Ｇｌｏｕｂａｌｆｏｕｄｒｉｅｓ則沿用Ｇａｔｅ－ｆｉｒｓｔ工藝。臺積電解釋，如今的
Ｇａｔｅ－ｆｉｒｓｔ＋ＨＫＭＧ工藝很難控制管子Ｖｔ電壓，而在管子的上覆層
（ｃａｐｐｉｎｇｌａｙｅｒ）上想辦法進行補償?shù)碾y度相當高。
工藝轉(zhuǎn)換不僅需要芯片代工廠商調(diào)整工序和制造工藝，還需要電路設計方調(diào)整電路
Ｌａｙｏｕｔ設計，這樣才能在轉(zhuǎn)換工藝后保持產(chǎn)品的管芯密度不變。臺積電為克服這些問題，
正與客戶的電路設計Ｌａｙｏｕｔ團隊一起合作解決。臺積電表示，今年將啟用三種不同的
２８ｎｍ制程實施計劃。
雖然從４０ｎｍ轉(zhuǎn)向２８ｎｍ制程的風險相當高，但臺積電已作出各方準備，如工藝可靠性
，以及產(chǎn)品優(yōu)良率控制等。為了順利進行技術改革，更從２００６到２００９年，增加技術團隊
人數(shù)達一倍。種種付出都是為了堅持其具前瞻性的看法。臺積電令人驚訝的不獨是技術水平，還
有是管理層的執(zhí)行力與其勇于創(chuàng)新的管理哲學。