李洵穎／臺(tái)北 臺(tái)積電在日本橫濱舉辦高階制程研討會(huì)，該公司新世代22奈米制程技術(shù)藍(lán)圖首次對(duì)外曝光。臺(tái)積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義在會(huì)中指出，臺(tái)積電已切入22奈米制程的研發(fā)作業(yè)，計(jì)劃2012~2013年將可望進(jìn)入試產(chǎn)。蔣尚義也在會(huì)中明白點(diǎn)出28奈米的試產(chǎn)時(shí)程，預(yù)計(jì)將在2010年下半。這是臺(tái)積電繼日前以28奈米制程拿下賽靈思(Xilinx)可編程邏輯芯片(FPGA)訂單后，再次以先進(jìn)制程拉開與競爭對(duì)手的差距。

臺(tái)積電2010年將28奈米制程視為研發(fā)技術(shù)重點(diǎn)，但也不忘積極規(guī)劃22奈米以下的市場。蔣尚義指出，臺(tái)積電22奈米高效能制程(HP)將于2012年第3季試產(chǎn)，22奈米低功耗(LP)制程則會(huì)在2013年第1季試產(chǎn)。這是臺(tái)積電首度將22奈米制程時(shí)程對(duì)外公開。

此外，被視為2010年重點(diǎn)之一的28奈米制程進(jìn)度，蔣尚義說，28奈米LP制程將于2010年6月底試產(chǎn)，28奈米HP制程則將在2010年9月試產(chǎn)，而低耗電高介電層／金屬閘(28HPL)制程的試產(chǎn)時(shí)程則在2010年12月進(jìn)行。臺(tái)積電自2008年宣布切入28奈米研發(fā)領(lǐng)域后，現(xiàn)階段的試產(chǎn)進(jìn)度較預(yù)期遞延約1個(gè)季度，但臺(tái)積電在日前以28奈米HPL制程拿下賽靈思FPGA訂單，預(yù)期28奈米可望于2010年底前開花結(jié)果。

根據(jù)臺(tái)積電先前的28奈米? s程藍(lán)圖，28奈米LP制程預(yù)計(jì)于2010年第1季底進(jìn)行試產(chǎn)，28奈米HP制程則預(yù)計(jì)于2010年第2季底開始試產(chǎn)，28奈米HPL制程的試產(chǎn)時(shí)程將繼前兩者之后推出，于2010年第3季進(jìn)行試產(chǎn)。

至于獨(dú)占全球的40奈米制程，蔣尚義表示，臺(tái)積電目前該制程在全球市占率已有80%以上。盡管2009年中曾出現(xiàn)良率問題，但經(jīng)過2個(gè)季度，該問題已獲得完全解決。蔣尚義說，40奈米缺陷密度(Defect Density)已從原先的每平方英吋0.3~0.4下降到0.1~0.3。40奈米制程占營收比重在2009年第4季時(shí)約9%，在良率問題獲得改善后，蔣尚義估計(jì)至2010年底將可提升至20%。

此外，為因應(yīng)40奈米需求攀升，臺(tái)積電擴(kuò)充季產(chǎn)能的計(jì)劃也同步進(jìn)行。蔣尚義指出，目前臺(tái)積電40奈米季產(chǎn)能為8萬片12吋晶圓，集中在竹科的12廠(Fab 12)，預(yù)計(jì)在2010年底季產(chǎn)能將倍增到16萬片，屆時(shí)部分產(chǎn)能也會(huì)配置在南科的14廠(Fab 14)。待產(chǎn)能擴(kuò)充完成后，亦有助于提振40奈制程營收比重。