[導讀]美國賽靈思（Xilinx）公布了28nm工藝FPGA中采用的核心技術。該公司計劃在28nm工藝FPGA方面，將總功耗較上代產品削減50％，同時將最大集成度增至原來的2倍。為此，該公司組合采用了以下三項技術。第一，基于high-k柵極
美國賽靈思（Xilinx）公布了28nm工藝FPGA中采用的核心技術。該公司計劃在28nm工藝FPGA方面，將總功耗較上代產品削減50％，同時將最大集成度增至原來的2倍。為此，該公司組合采用了以下三項技術。第一，基于high-k柵極絕緣膜和金屬柵極的低功耗工藝。與采用28nm級高性能工藝時相比，可削減待機時的功耗。第二，為了削減工作時的功耗，采用復合氧化（Multigate Oxide）技術等。第三，通過采用時鐘門控（Clock Gating）和第五代重構（Partial Reconfiguration）技術，將功耗進一步削減20％。
通過導入上述技術，“實現了全球首款超高端FPGA。由此能夠取代在有線通信領域中使用的ASIC”（賽靈思產品開發(fā)副總裁Steve Douglass）。例如，通過單芯片28nm工藝FPGA實現具有1Tbit/秒處理能力的高端交換結構（Switch Fabric）和400G OTN線卡等。
賽靈思在28nm工藝FPGA方面統(tǒng)一了此前按照高端和低價格劃分的架構。在90nm工藝“Virtex-4”以后，高端FPGA中采用的ASMBL架構將擴展到低價位產品中。目標是由此減少用戶對產品開發(fā)和市場開拓投入的投資。
賽靈思還公布了在28nm工藝FPGA中委托的硅代工企業(yè)。具體為臺灣臺積電（TSMC）和韓國三星電子（Samsung Electronics）。其中，臺積電是與賽靈思相互競爭的美國阿爾特拉（Altera）的主要代工企業(yè)。
賽靈思此前將采用40nm工藝制造技術的高端FPGA“Virtex-6”的生產外包給了臺灣聯(lián)華電子（UMC）。采用45nm工藝制造技術的低價位FPGA“Spartan-6”，則生產外包給了三星電子。此次的28nm工藝，雖然臺積電取代了聯(lián)華電子，不過賽靈思表示“聯(lián)華電子今后在65nm及40nm工藝FPGA的制造方面，仍將是我們重要的合作伙伴”。（記者：大石 基之）
通過導入上述技術，“實現了全球首款超高端FPGA。由此能夠取代在有線通信領域中使用的ASIC”（賽靈思產品開發(fā)副總裁Steve Douglass）。例如，通過單芯片28nm工藝FPGA實現具有1Tbit/秒處理能力的高端交換結構（Switch Fabric）和400G OTN線卡等。
賽靈思在28nm工藝FPGA方面統(tǒng)一了此前按照高端和低價格劃分的架構。在90nm工藝“Virtex-4”以后，高端FPGA中采用的ASMBL架構將擴展到低價位產品中。目標是由此減少用戶對產品開發(fā)和市場開拓投入的投資。
賽靈思還公布了在28nm工藝FPGA中委托的硅代工企業(yè)。具體為臺灣臺積電（TSMC）和韓國三星電子（Samsung Electronics）。其中，臺積電是與賽靈思相互競爭的美國阿爾特拉（Altera）的主要代工企業(yè)。
賽靈思此前將采用40nm工藝制造技術的高端FPGA“Virtex-6”的生產外包給了臺灣聯(lián)華電子（UMC）。采用45nm工藝制造技術的低價位FPGA“Spartan-6”，則生產外包給了三星電子。此次的28nm工藝，雖然臺積電取代了聯(lián)華電子，不過賽靈思表示“聯(lián)華電子今后在65nm及40nm工藝FPGA的制造方面，仍將是我們重要的合作伙伴”。（記者：大石 基之）
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