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臺積電PowerTrim技術(shù)助LSI降低產(chǎn)品漏電耗能

時間：2010-01-08 07:41:00

關(guān)鍵字： LSI POWER 臺積電 RIM

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[導(dǎo)讀]晶圓代工大廠臺積電日前宣布，該公司客戶美商巨積(LSI)使用臺積電65奈米低功耗制程的降低功耗(PowerTrim)技術(shù)，有效減少下一世代產(chǎn)品的總漏電耗能達(dá)25%以上。臺積電這項降低功耗的技術(shù)與服務(wù)獲得Tela Innovations獨

晶圓代工大廠臺積電日前宣布，該公司客戶美商巨積(LSI)使用臺積電65奈米低功耗制程的降低功耗(PowerTrim)技術(shù)，有效減少下一世代產(chǎn)品的總漏電耗能達(dá)25%以上。臺積電這項降低功耗的技術(shù)與服務(wù)獲得Tela Innovations獨家專利授權(quán)，是將設(shè)計技術(shù)與先進(jìn)半導(dǎo)體制程巧妙整和的創(chuàng)新技術(shù)，能有效降低每個產(chǎn)品的漏電耗能。
降低功耗軟件(PowerTrim Software)分析巨積公司的設(shè)計，并些微增加在對時序較不敏感的路徑上的閘極長度，以代替本來的組件。而閘極長度的增加，將使漏電功耗成指數(shù)型的遞減，是以這些細(xì)微的調(diào)整會有相當(dāng)可觀的影響。

美商巨積產(chǎn)品及測試工程暨網(wǎng)絡(luò)組件處處長Norm Lawrence表示：「低功耗與高效能是我們產(chǎn)品成功的關(guān)鍵，藉由和臺積電密切的合作并采用Tela Innovations的降低功耗技術(shù)，我們的產(chǎn)品減少了超過25%的漏電耗能，有效改善漏電的良率分布?！?br>
臺積電降低功耗服務(wù)藉由臨界尺寸(Critical Dimension)的微調(diào)技術(shù)，分析產(chǎn)品設(shè)計，并在對時序較不敏感的路徑上將閘極長度調(diào)整為合適的大小，同時有效節(jié)省對時序較不敏感的路徑上的晶體管耗能，而不影響芯片的性能。

此閘極臨界尺寸微調(diào)屬于光學(xué)臨近效應(yīng)修正(Optical Proximity Correction)的一部分，并不影響組件或芯片尺寸。因此，降低功耗服務(wù)能在不影響芯片性能及尺寸下，有效的大幅降低漏電耗能，同時亦能大幅降低漏電耗能變異性，進(jìn)而改善組件參數(shù)良率。

臺積電降低功耗服務(wù)可與其他降低漏電的技術(shù)如multi-Vt cell libraries、reverse body biasing、 header/footer sleep switches、與voltage islands等相容，可進(jìn)一步減少漏電并強(qiáng)化節(jié)能效果，較臨介高壓晶體管的表現(xiàn)為佳。

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