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進(jìn)軍下世代！高通與臺(tái)積電合作28奈米 2010年中投產(chǎn)

時(shí)間：2010-01-08 22:12:00

關(guān)鍵字：臺(tái)積電高通制程技術(shù) 通信產(chǎn)品

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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電(TSMC；TSM-US；2330-TS)與美商高通(Qualcomm；QCOM-US)今天宣布正密切合作，將無(wú)線通信產(chǎn)品由45奈米制程直接推進(jìn)至28奈米制程，以更具成本效益，將更多功能整合在更小芯片上，加速無(wú)線通信產(chǎn)品在新市場(chǎng)的擴(kuò)展

臺(tái)積電(TSMC；TSM-US；2330-TS)與美商高通(Qualcomm；QCOM-US)今天宣布正密切合作，將無(wú)線通信產(chǎn)品由45奈米制程直接推進(jìn)至28奈米制程，以更具成本效益，將更多功能整合在更小芯片上，加速無(wú)線通信產(chǎn)品在新市場(chǎng)的擴(kuò)展。
高通預(yù)計(jì)第一批產(chǎn)品將在2010年中投產(chǎn)。

臺(tái) 積電指出，28奈米制程密度可較前一代制程高出1倍，讓執(zhí)行行動(dòng)運(yùn)算的半導(dǎo)體組件，能在更低耗電下，提供更多功能。
高通與臺(tái)積電目前在28 奈米世代的合作，包括高介電層／金屬閘(high-k metal gate, HKMG)的高效能制程技術(shù)，以及具備氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)的低耗電高速制程技術(shù)。

高通包括Snapdragon?芯片組平臺(tái)在內(nèi)的下世代系統(tǒng)單芯片解決方案，小尺寸與低功耗是重要特色。
高通與臺(tái)積電過(guò)去在65奈米與45奈米制程技術(shù)就已密切合作，現(xiàn)在更進(jìn)一步延伸至低耗電、低漏電的28奈米世代進(jìn)行量產(chǎn)。
高通預(yù)計(jì)于2010年中投產(chǎn)首批28奈米產(chǎn)品。

高通并指出，其整合無(wú)晶圓廠制造模式(Integrated Fabless Manufacturing；IFM)成功的關(guān)鍵，就是與策略性技術(shù)及集成電路制造伙伴密切合作，不但展現(xiàn)極高的效率，也加速整個(gè)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)發(fā)展。

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關(guān)鍵字：臺(tái)積電 3nm

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關(guān)鍵字：臺(tái)積電半導(dǎo)體芯片

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