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臺積電40nm制程仍存良率不足問題

時間：2009-11-09 12:56:00
關鍵字： 臺積電    NVIDIA    AMD    離子   
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[導讀]據業(yè)界分析，臺積電的40nm制程目前仍然存在著良率不足的問題。今年早些時候，臺積電曾公開承認此問題，但后來他們宣稱已解決先前大部分良率問題。不過，根據本周四Nvidia公司舉辦的一次會議的內容，我們可以看出Nvid

據業(yè)界分析，臺積電的40nm制程目前仍然存在著良率不足的問題。今年早些時候，臺積電曾公開承認此問題，但后來他們宣稱已解決先前大部分良率問題。不過，根據本周四Nvidia公司舉辦的一次會議的內容，我們可以看出Nvidia公司內部對臺積電的40nm產能及良率方面仍然存在較大的擔憂。而另外一 家廠商AMD也是深受其害。

不過并非所有廠商的情況均是如此，比如Altera公司便表示其委托臺積電代工的40nm FPGA產品“良率數據良好。”

相比之下，Nvidia則對臺積電的40nm制程良率表達了較為不信任的意見，據Barclays公司的分析師 C.J. Muse透露：“在Nvidia的會議上，與會者整晚都在討論臺積電的40nm產能及良率問題。”

“管理層討論了臺積電的良率改進，但他們認為改進的程度仍顯不足。盡管良率的確有所改進，但不容忽視的是臺積電曾提到目前40nm制程制作過程中仍存在腔體匹配問題(Chamber matching：即保證各個用于對晶圓進行離子注入的工藝腔氣體配方成分盡量一致)，希望他們能盡快解決。”

此前有消息指出，造成臺積電40nm制程腔體匹配問題的罪魁禍首是其離子注入設備的供應商。

“AMD與Nvidia均受到此問題的影響，而AMD搶先兩個月推出DX11顯卡產品的優(yōu)勢則正逐步被這個問題所抵消掉.”



來源：CNBeta 

作者：zhaobin

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