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三星電子計(jì)劃將DRAM生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓

時(shí)間：2009-09-07 06:47:00

關(guān)鍵字： DRAM 三星電子晶圓 Flash

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[導(dǎo)讀]韓國(guó)三星電子計(jì)畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產(chǎn)DRAM，將DRAM的生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓，以藉由使用產(chǎn)能效率較高的大尺寸晶圓來(lái)提高DRAM的成本競(jìng)爭(zhēng)力。報(bào)導(dǎo)指出，三星電子計(jì)畫于10月底前停止在美國(guó)德州奧斯丁(

韓國(guó)三星電子計(jì)畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產(chǎn)DRAM，將DRAM的生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓，以藉由使用產(chǎn)能效率較高的大尺寸晶圓來(lái)提高DRAM的成本競(jìng)爭(zhēng)力。

報(bào)導(dǎo)指出，三星電子計(jì)畫于10月底前停止在美國(guó)德州奧斯丁(Austin)半導(dǎo)體工廠內(nèi)生產(chǎn)使用8寸晶圓的DRAM，加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產(chǎn)，故待奧斯丁工廠停止生產(chǎn)后，三星電子的DRAM生產(chǎn)將全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓。

彭博社曾于日前轉(zhuǎn)述韓國(guó)網(wǎng)路媒體“E-Daily”報(bào)導(dǎo)指出，三星電子擬在停止奧斯丁工廠的DRAM生產(chǎn)后，投下5億美元(約473億日?qǐng)A)改良生產(chǎn)線，于明(2010)年后半開始生產(chǎn)NAND Flash。

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