金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)制程再進化。英飛凌(Infineon)日前成為全球首家以12寸薄晶圓技術(shù)制造車用功率MOSFET的廠商，該公司推出的首款OptiMOS 5 40V產(chǎn)品系列能針對減碳排放的應(yīng)用進行最佳化。

英飛凌汽車電子事業(yè)處總裁Jochen Hanebeck表示，透過以12寸薄晶圓技術(shù)制造汽車功率MOSFET，英飛凌可用具競爭力的價格，量產(chǎn)高效能的汽車功率MOSFET;該公司的12寸生產(chǎn)線具有安全供應(yīng)鏈和長遠的生產(chǎn)藍圖，使得汽車客戶能從中受惠。

據(jù)了解，英飛凌先進的12寸薄晶圓技術(shù)是提升新一代汽車功率MOSFET產(chǎn)品效能的關(guān)鍵;藉由薄晶圓技術(shù)，能夠?qū)⒐β屎膿p降到最低，更能達成MOSFET的微型設(shè)計，提升其高系統(tǒng)效率和功率密度。

相較于前一代OptiMOS，OptiMOS 5 40V產(chǎn)品減少了40%的導(dǎo)通電阻(RDS(on))，還能大幅降低功率損耗;除此之外，此代產(chǎn)品的優(yōu)值系數(shù)RDS(on)xQg減少35%，因此能最佳化切換特性。

由于OptiMOS 5 40V產(chǎn)品具有高功率密度和能源效率，因此可支援多種汽車BLDC和H型橋式驅(qū)動應(yīng)用，如電動窗、車門控制、天窗、燃油幫浦，以及閥門控制和快速切換直流對直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器。

尺寸方面，12寸薄晶圓的厚度僅60µm(0.06mm)，比一張厚度約為110µm(0.11mm)的標(biāo)準(zhǔn)書寫紙還薄，因而讓采用該技術(shù)的OptiMOS 5功率半導(dǎo)體成為業(yè)界最薄的產(chǎn)品。

據(jù)悉，英飛凌OptiMOS 5薄晶圓產(chǎn)品組合的首款產(chǎn)品為40V版本，該產(chǎn)品采用S308封裝(TSDSON-8)，尺寸僅3.3毫米(mm)×3.3毫米，并由英飛凌位于奧地利菲拉赫(Villach)的晶圓廠制造。

另一方面，由于12寸晶圓的直徑比標(biāo)準(zhǔn)8寸晶圓長50%，因此每片12寸晶圓所生產(chǎn)的晶片數(shù)可達后者的二點五倍。