就在不久前，說起汽車電子化，指的還是把機械部件換成半導(dǎo)體和電子部件，以及為汽車配備視聽設(shè)備和信息娛樂系統(tǒng)。而現(xiàn)在，新的電子化浪潮席卷了汽車領(lǐng)域，利用信息處理和圖像處理技術(shù)的ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)）及自動駕駛等功能的實用化備受期待。

　　這為電子行業(yè)帶來了巨大的商機。半導(dǎo)體廠商正在針對車載領(lǐng)域改進面向消費領(lǐng)域和ICT（信息通信技術(shù)）領(lǐng)域開發(fā)并積累了業(yè)績的產(chǎn)品，向汽車廠商和一級零部件供應(yīng)商推銷。在2014年1月15～17日于東京有明國際會展中心舉行的“第6屆國際汽車電子技術(shù)展”上，半導(dǎo)體廠商的積極展示十分引人注目。

　　以前，此類展會上展示的都是達到一定的完成度、并得到汽車廠商認可的產(chǎn)品。此次卻出現(xiàn)了很多正在開發(fā)或預(yù)定開發(fā)的展品，可見半導(dǎo)體廠商的態(tài)度發(fā)生了轉(zhuǎn)變。下面就介紹幾個代表性展示。

　　以誤差對策提高可靠性

　　瑞薩電子的展示強調(diào)的是，如何將已經(jīng)用于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等產(chǎn)品的SRAM制造誤差補償技術(shù)運用到車載IC上（圖1）。通過監(jiān)控工作狀態(tài)、調(diào)整偏壓，以圖延長年久老化的SRAM壽命，并將其用于車載MCU的SRAM上。瑞薩的目標是，3年后使汽車廠商在MCU的開發(fā)中采用該技術(shù)。

圖1：瑞薩參考展出的高可靠性SRAM的演示

　　把誤差補償技術(shù)用于年久老化的補償。

　　意法半導(dǎo)體的“STiH485”將原來面向電視機等消費類產(chǎn)品開發(fā)的媒體處理SoC進行了改進，并轉(zhuǎn)用于車載用途。該公司演示了把該產(chǎn)品用于ADAS和車輛全方位監(jiān)控系統(tǒng)的做法（圖2）。目前，該產(chǎn)品利用28nm的Bulk CMOS工藝制造，不過意法半導(dǎo)體正在開發(fā)采用28nm FDSOI（全耗盡型SOI）CMOS工藝的產(chǎn)品，由此削減芯片面積，降低成本。

圖2：意法半導(dǎo)體公司的ADAS演示

　　因駕駛員看向旁邊，屏幕上出現(xiàn)了警告提示。

　　飛索半導(dǎo)體通過展板介紹了把富士通半導(dǎo)體時代面向移動產(chǎn)品開發(fā)并銷售的升降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器IC“MB39C326”針對汽車儀表板用途進行了改進的產(chǎn)品。在2014年內(nèi)計劃開始樣品供貨。

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　　將手機基站用半導(dǎo)體用于發(fā)動機

　　飛思卡爾半導(dǎo)體則介紹了把面向手機基站開發(fā)的高功率RF晶體管用于汽車發(fā)動機點火的項目。這是與大發(fā)工業(yè)和Imagineering共同推進的，利用晶體管在發(fā)動機內(nèi)產(chǎn)生等離子，點燃燃料。該技術(shù)有望提高燃效。該公司在展區(qū)內(nèi)展示了試制品（圖3）。

圖3：配備飛思卡爾的RF晶體管的試制品

　　LAPIS Semiconductor公司參考展出了車載直流電源通信。由于是在12V的直流電源布線上重疊數(shù)據(jù)進行傳輸，因此用一根布線既能供電又能提供數(shù)據(jù)。利用了從沖電氣工業(yè)時代開始在通信領(lǐng)域積累的OFDM（直交頻分復(fù)用）技術(shù)等。該公司在展區(qū)內(nèi)利用通過市售FPGA試制的收發(fā)IC進行了演示（圖4）。

圖4：LAPIS展示的電力和數(shù)據(jù)的發(fā)送演示

　　SII（精工電子）展示了可檢測0.5Pa壓力變化的壓力傳感器?？赏ㄟ^測量大氣壓掌握高度等。展示的電路使用了該公司開發(fā)的通用運算放大器，這是一款不僅擴大了工作溫度范圍，而且提高了耐壓的車載級產(chǎn)品。

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　　動態(tài)改變FPGA的邏輯

　　從通信裝置到消費類電子產(chǎn)品都在使用的FPGA廠商也針對汽車領(lǐng)域積極展開了行動。例如，賽靈思此次利用遙控車進行了車輛全方位監(jiān)控系統(tǒng)的演示（圖5），可根據(jù)車輛的換擋操作動態(tài)更改FPGA的邏輯。該公司強調(diào)，這樣可提高邏輯電路的裝配效率。

圖5：賽靈思在演示中使用的遙控車

　　英飛凌科技的展示宣傳的是把移動產(chǎn)品用SoC等尖端邏輯IC常用的300mm晶圓用于車載半導(dǎo)體制造。具體而言，該公司展示了用于Si IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）制造的硅晶圓。減薄晶圓可降低IGBT的損失，為了強調(diào)晶圓的厚度之薄，該公司以彎曲的狀態(tài)展示了超薄晶圓（圖6）。

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來源：[db:出處]

作者：tee