近日消息，索尼在其日本官網(wǎng)上發(fā)布消息稱，它們研發(fā)出全球首款三層堆棧式CMOS。這款CMOS相比原有的堆棧式CMOS增加了DRAM層，大幅提高CMOS的數(shù)據(jù)處理能力，令其可以拍攝最高1000fps的超慢速視頻。下面就跟大家介紹一下這款索尼最新的CMOS吧。

首先用一張列表介紹一下這款全新的索尼CMOS基本參數(shù)：

索尼全新三層堆棧式CMOS的主要參數(shù)(來源索尼日本)

由于這款新感光元件還在開發(fā)期沒有商用，索尼暫時沒有為其正式命名。從規(guī)格上看，這款CMOS的像素值為2120萬，最高可以拍攝5520*3840分辨率的圖像。CMOS對角線長度7.73mm，尺寸1/2.3英寸，單個像素面積為1.22μm。支持1/120秒內(nèi)讀取1930萬像素圖片并拍攝最高1000fps的超慢速視頻，架構(gòu)為傳統(tǒng)的拜耳陣列。

主流索尼Exmor RS堆棧式CMOS的參數(shù)對比

從上面的參數(shù)來看這款CMOS將主要發(fā)力點放在了高速處理和視頻拍攝上面。從靜態(tài)圖像參數(shù)上講，2120萬像素的數(shù)字在索尼自家的Exmor RS CMOS中也屬于比較靠前的位次，1/2.3英寸的CMOS面積同樣位次靠前，可以提供相對不錯的畫質(zhì)輸出。單位像素1.22μm不及自家一些1.44μm的產(chǎn)品，與HTC的UltraPixel 2μm相比也有不小差距。拜耳陣列是傳統(tǒng)的RGBG結(jié)構(gòu)，與IMX298和IMX398的RGBW架構(gòu)不同，所以綜合來看在進(jìn)光量上面可能會吃一些虧。

背照式CMOS(左)與堆棧式CMOS(右)(圖片來源索尼日本)

早在2012年8月索尼就推出了堆棧式CMOS架構(gòu)，它使用有信號處理電路的芯片替代了之前常見的背照式CMOS圖像傳感器中的支持基板，在芯片上重疊形成背照式CMOS元件的像素部分，從而實現(xiàn)了在較小的芯片尺寸上形成大量像素點的工藝。由于像素部分和電路部分是獨立設(shè)計的，因此像素部分可以針對高畫質(zhì)優(yōu)化，電路部分可以針對高性能優(yōu)化。

堆棧式CMOS(左)與加入DRAM層的三層堆棧式CMOS(圖片來源索尼日本)

這次，索尼將CMOS架構(gòu)做出了調(diào)整，在像素層和電路層之間新加入了DRAM層(動態(tài)隨機存儲單元)，這一部分在整個CMOS模組當(dāng)中充當(dāng)緩存角色，用于存儲像素層獲取到的圖像信息，因此大幅提升了傳感器處理數(shù)據(jù)的速度。根據(jù)索尼方面的數(shù)據(jù)，新CMOS可以在1/120秒內(nèi)讀取1930萬像素的圖片，這個速度比自家的旗艦級CMOS IMX318快上4倍。

加入DRAM層的索尼最新三層堆棧式CMOS橫斷面(圖片來源索尼日本)

同時，雖然數(shù)據(jù)處理速度大幅提升，但DRAM層的加入并沒有對整個CMOS模組的能耗造成拖累。加上依舊保持堆棧式CMOS體積小的優(yōu)勢，可以被應(yīng)用在某些追求超纖薄的智能手機上面，符合智能手機整體纖薄化的發(fā)展趨勢。