沒(méi)能趕上移動(dòng)處理器市場(chǎng)蓬勃發(fā)展的快班車(chē)，大概是英特爾近年來(lái)最大的失誤?，F(xiàn)在ARM不但占據(jù)了利潤(rùn)豐厚的手機(jī)/平板處理器業(yè)務(wù)，還反過(guò)來(lái)對(duì)英特爾的傳統(tǒng)業(yè)務(wù)（服務(wù)器等）虎視眈眈。

作為業(yè)界老大，英特爾豈能咽下這口氣？據(jù)路透社報(bào)道，英特爾已經(jīng)臥薪嘗膽，扔出了自己未來(lái)兩年的SoC處理器路線(xiàn)圖。在明年，英特爾會(huì)把自己桌面處理器的兩大法寶——3D晶體管技術(shù)、22nm HKMG工藝引入到移動(dòng)處理器上，力求一舉擊潰ARM。

在日前舉行的2012年國(guó)際電子元件會(huì)議上，英特爾首次談到了自家未來(lái)移動(dòng)處理器的開(kāi)發(fā)進(jìn)度。雖然英特爾并沒(méi)有透露具體的規(guī)格和名稱(chēng)，但引入22nm HKMG工藝是板上釘釘——英特爾表示這種工藝比目前的32nm工藝在能效上高出20%-65%，而且在控制電流泄漏、延長(zhǎng)電池續(xù)航等方面做得更好，為芯片設(shè)計(jì)者提供更多的組件選擇。

實(shí)現(xiàn)22nm制程的技術(shù)正是目前在Ivy Bridge處理器中所采用的Tri-Gate 3D立體晶體管技術(shù)。這種特殊的堆疊架構(gòu)是在三柵極導(dǎo)電通道三面添加“垂直尾翼結(jié)構(gòu)”，排除多余熱量，通過(guò)高組合柵絕緣體和應(yīng)變硅，為移動(dòng)設(shè)備提供更長(zhǎng)的電池壽命和更好的性能。

從曝光的路線(xiàn)圖上看，Intel已經(jīng)規(guī)劃要在2014年推出14nm的移動(dòng)處理器，可以預(yù)測(cè)，10nm工藝很也會(huì)在2015年之后露面。看來(lái)英特爾打算用最拿手的“Tick-Tock”策略，一步步壓死ARM。

站在ARM的角度來(lái)說(shuō)，面對(duì)使出全力的英特爾，顯然是比較危險(xiǎn)的。ARM沒(méi)有自己的半導(dǎo)體工廠(chǎng)，第三方獲得ARM授權(quán)生產(chǎn)處理器之后，得自己找地方代工——比如臺(tái)積電、意法半導(dǎo)體等，這些代工廠(chǎng)并未CPU生產(chǎn)專(zhuān)業(yè)戶(hù)，無(wú)論是時(shí)間還是技術(shù)，都是無(wú)法跟英特爾相比的。AMD第一任CEO桑德斯曾經(jīng)聲稱(chēng)“有Fab（工廠(chǎng)）才是真男人”，話(huà)說(shuō)得一點(diǎn)都不假。

不過(guò)，英特爾的路線(xiàn)也并非一帆風(fēng)順，22nm移動(dòng)芯片的出貨時(shí)間不容樂(lè)觀，英特爾高管馬克·玻爾最近表示，SoC的進(jìn)程比原計(jì)劃晚了6個(gè)月，估計(jì)要到2013年下半年才能出貨。如果再拖晚一點(diǎn)，英特爾在工藝制程上的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)就全都給消磨掉了。